频率响应概述与晶体管的高频等效电路.ppt

《频率响应概述与晶体管的高频等效电路.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《频率响应概述与晶体管的高频等效电路.ppt（24页珍藏版）》请在三一办公上搜索。

1、第十一讲 频率响应概述与晶体管的高频等效电路(5.1、5.2、5.3),第十一讲 频率响应概述与晶体管的高频等效电路,一、频率响应的基本概念,二、放大电路的频率参数,三、晶体管的高频等效电路,四、场效应管的高频等效电路,一、频率响应的基本概念,1.研究的问题：放大电路对信号频率的适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的函数。在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围，在设计放大电路时，应满足信号频率的范围要求。,2.基本概念（1）高通电路:信号频率越高，输出电压越接近输入电压。,（1）高通电路：频率响应,fL,低频

2、段放大倍数表达式的特点？下限截止频率的特征？,ffL时放大倍数约为1,（2）低通电路:信号频率越低，输出电压越接近输入电压。,（2）低通电路：频率响应,fH,高频段放大倍数表达式的特点？上限截止频率的特征？,ffH时放大倍数约为1,（3）几个结论,电路低频段的放大倍数需乘因子,当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍，相角超前45；当 f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍，相角滞后45。,截止频率决定于电容所在回路的时间常数,电路高频段的放大倍数需乘因子,频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。,二、放大电路的频率参数,在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电容等的容抗增大，使

3、动态信号损失，放大能力下降。,高通电路,低通电路,在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。,下限频率,上限频率,三、晶体管的高频等效电路 1.混合模型：形状像，参数量纲各不相同,结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。,rbb：基区体电阻rbe：发射结电阻C：发射结电容re：发射区体电阻rbc：集电结电阻C：集电结电容rc：集电区体电阻,因多子浓度高而阻值小,因面积大而阻值小,混合模型：忽略小电阻，考虑集电极电流的受控关系,gm为跨导，它不随信号频率的变化而变。,为什么引入参数gm？,因在放大区iC几乎仅决定于iB而阻值

4、大,因在放大区承受反向电压而阻值大,混合模型：忽略大电阻的分流,混合模型的单向化（即使信号单向传递）,等效变换后电流不变,晶体管简化的高频等效电路,？,2.电流放大倍数的频率响应,为什么短路？,电流放大倍数的频率特性曲线,电流放大倍数的波特图:采用对数坐标系,采用对数坐标系，横轴为lg f，可开阔视野；纵轴为 单位为“分贝”（dB），使得“”“”。,lg f,注意折线化曲线的误差,20dB/十倍频,折线化近似画法,3.晶体管的频率参数,共射截止频率,共基截止频率,特征频率,集电结电容,通过以上分析得出的结论：低频段和高频段放大倍数的表达式；截止频率与时间常数的关系；波特图及其折线画法；C的求法。,四、场效应管的高频等效电路,可与晶体管高频等效电流类比，简化、单向化变换。,单向化变换,讨论一,1.为什么波特图开阔了视野？同样长度的横轴，在单位长度不变的情况下，采用对数坐标后，最高频率是原来的多少倍？,讨论二,电路如图。已知各电阻阻值；静态工作点合适，集电极电流ICQ2mA；晶体管的rbb=200，Cob=5pF，f=1MHz,0=100。试求解该电路中晶体管高频等效模型中的各个参数。,讨论二,第十一讲结束！下一讲将讲述：单管及多级放大电路的频率响应,作业：5.1、5.3、5.5,