项目一单相半波整流调光灯电路.ppt

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1、项目一,单相半波整流调光灯电路,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,一、任务描述与目标晶闸管（Thyristor）是一种开关元件，具有可控单向导电性，即和一般的二极管一样单向导电，但与一般二极管不同的是，导通时刻是可以控制的，被广泛应用于可控整流、调光、调压、调速、无触点开关、逆变及变频等方面。在实际晶闸管的使用过程中，我们除了能确定晶闸管的管脚和对其好坏进行判断外，还要掌握其导通关断条件。本次任务的目标如下。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（一）晶闸管结构及导通关断条件1晶闸管结构晶闸管是一种大功率PNPN四层半导体元件，具有3个PN结，引出3个极，阳极A、阴极K、门极（控制极）G，其

2、外形及符号如图1-2所示，各管脚名称（阳极A、阴极K、门极G）标于图中。图1-2（g）所示为晶闸管的图形符号及文字符号。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,图1-2 晶闸管的外形及符号,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,晶闸管的内部结构和等效电路如图所示。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,2晶闸管管脚判别普通晶闸管的外形如图1-2所示。螺栓式和平板式晶闸管从外观上判断，3个电极形状各不相同，无需做任何测量就可以识别。小电流TO-220AB型塑封式和贴片式晶闸管面对印字面、引脚朝下，则从左向右的排列顺序依次为阴极K、阳极A和门极G。小电流TO-92型塑封式晶闸管面对印字面、引脚朝下，则从

3、左向右的排列顺序依次为阴极K、门极G和阳极A。小功率螺栓式晶闸管的螺栓为阳极A，门极G比阴极K细。对于大功率螺栓式晶闸管来说，螺栓是晶闸管的阳极A(它与散热器紧密连接)，门极和阴极则用金属编制套引出，像一根辫子，粗辫子线是阴极K，细辫子线是门极G。平板式晶闸管中间金属环是门极G，用一根导线引出，靠近门极的平面是阴极,另一面则为阳极。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,3普通晶闸管测试方法（1）阳极和阴极间电阻正反向电阻测量。万用表挡位置于欧姆挡R100，将红表笔接在晶闸管的阳极，黑表笔接在晶闸管的阴极观察指针摆动情况，如图所示。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,将黑表笔接晶闸管的阳极，红

4、表笔接晶闸管的阴极观察指针摆动情况，如图所示。,原因：晶闸管是4层3端半导体器件，在阳极和阴极之间有3个PN结，无论加何电压，总有1个PN结处于反向阻断状态，因此正反向阻值均很大。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（2）门极和阴极间正反向电阻测量。将红表笔接晶闸管的阴极，黑表笔接晶闸管的门极观察指针摆动情况，如图左图所示。将黑表笔接晶闸管的阴极，红表笔接晶闸管的门极观察指针摆动情况，如图右图所示。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,4晶闸管导通关断条件晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的控制电路（在电力电

5、子技术中叫触发电路）连接，如图1-8所示。晶闸管的导通条件是：阳极加正向电压、门极加适当正向电压。关断条件是：流过晶闸管的电流小于维持电流。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（二）晶闸管的阳极伏安特性晶闸管的阳极与阴极间电压和阳极电流之间的关系，称为阳极伏安特性。其伏安特性曲线如图所示。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（三）晶闸管主要参数1晶闸管的电压定额（1）断态重复峰值电压UDRM。在晶闸管的阳极伏安特性图中，我们规定，当门极断开，晶闸管处在额定结温时，允许重复加在管子上的正向峰值电压为晶闸管的断态重复峰值电压，用UDRM表示。它是由伏安特性中的正向转折电压UBO减去一定裕量，成

6、为晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM，然后再乘以90%而得到的。至于断态不重复峰值电压UDSM与正向转折电压UBO的差值，则由生产厂家自定。这里需要说明的是，晶闸管正向工作时有两种工作状态：阻断状态（简称断态）、导通状态（简称通态）。参数中提到的断态和通态一定是正向的，因此，“正向”两字可以省去。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（2）反向重复峰值电压URRM。相似于UDRM，一般规定，当门极断开，晶闸管处在额定结温时，允许重复加在管子上的反向峰值电压为反向重复峰值电压，用URRM表示。它是由伏安特性中的反向击穿电压URO减去一定裕量，成为晶闸管的反向不重复峰值电压URSM，然后再乘以90

7、%而得到的。至于反向不重复峰值电压URSM与反向转折电压URO的差值，则由生产厂家自定。一般晶闸管若承受反向电压，它一定是阻断的。因此参数中“阻断”两字可省去。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（3）额定电压UTN。将UDRM和URRM中的较小值按百位取整后作为该晶闸管的额定值。例如，一晶闸管实测UDRM812V，URRM756V，将两者较小的756V取整得700V，该晶闸管的额定电压为700V。在晶闸管的铭牌上，额定电压是以电压等级的形式给出的，通常标准电压等级规定为：电压在1000V以下，每100V为一级，10003000V，每200V为一级，用百位数或千位和百位数表示级数。在使用过程

8、中，环境温度的变化、散热条件以及出现的各种过电压都会对晶闸管产生影响，因此在选择管子的时候，应当使晶闸管的额定电压是实际工作时可能承受的最大电压的23倍，即UTN(23)UTM,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（4）通态平均电压UT(AV)。在规定环境温度、标准散热条件下，元件通以额定电流时，阳极和阴极间电压降的平均值，称通态平均电压（一般称管压降），其数值按表分组。从减小损耗和元件发热来看，应选择UT(AV)较小的管子。实际当晶闸管流过较大的恒定直流电流时，其通态平均电压比元件出厂时定义的值要大，约为1.5V。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,2晶闸管的电流定额（1）额定电流IT(A

9、V)。由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来表示，晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。所谓通态平均电流是指在环境温度为40和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170的电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。将该电流按晶闸管标准电流系列取值，称为晶闸管的额定电流。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,但是决定晶闸管结温的是管子损耗的发热效应，表征热效应的电流是以有效值表示的，其两者的关系为ITN=1.57IT(AV)如额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流有效值为157A。由于电路不同

10、、负载不同、导通角不同，流过晶闸管的电流波形不一样，从而它的电流平均值和有效值的关系也不一样，晶闸管在实际选择时，其额定电流的确定一般按以下原则：管子在额定电流时的电流有效值大于其所在电路中可能流过的最大电流的有效值，同时取1.52倍的余量，即所以,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（2）维持电流IH。在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降到刚好能保持导通的最小阳极电流称为维持电流IH。维持电流与元件容量、结温等因素有关，额定电流大的管子维持电流也大，同一管子结温低时维持电流增大，维持电流大的管子容易关断。同一型号的管子其维持电流也各不相同。（3）擎住电流IL。在晶闸管加上触发电压，当元

11、件从阻断状态刚转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件持续导通所需要的最小阳极电流，称擎住电流IL。对同一个晶闸管来说，通常擎住电流比维持电流大数倍。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（4）断态重复峰值电流IDRM和反向重复峰值电流IRRM。IDRM和IRRM分别是对应于晶闸管承受断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM时的峰值电流。它们都应不大于表1-1中所规定的数值。（5）浪涌电流ITSM。ITSM是一种由于电路异常情况（如故障）引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。用峰值表示。浪涌电流有上下2个级，这些不重复电流定额用来设计保护电路。,任务一 晶闸管及其导

12、通关断条件测试,3门极参数（1）门极触发电流IGT。室温下，在晶闸管的阳极、阴极加上6V的正向阳极电压，管子由断态转为通态所必需的最小门极电流，称为门极触发电流IGT。（2）门极触发电压UGT。产生门极触发电流IGT所必需的最小门极电压，称为门极触发电压UGT。为了保证晶闸管的可靠导通，常常采用实际的触发电流比规定的触发电流大。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,4动态参数（1）断态电压临界上升率du/dt。du/dt是在额定结温和门极开路的情况下，不导致从断态到通态转换的最大阳极电压上升率。实际使用时的电压上升率必须低于此规定值。限制元件正向电压上升率的原因是，在正向阻断状态下，反偏的J2

13、结相当于一个结电容，如果阳极电压突然增大，便会有一充电电流流过J2结，相当于有触发电流。若du/dt过大，即充电电流过大，就会造成晶闸管的误导通。所以在使用时，采取保护措施，使它不超过规定值。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（2）通态电流临界上升率di/dt。di/dt是在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果阳极电流上升太快，则晶闸管刚一开通时，会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，造成J2结局部过热而使晶闸管损坏。因此，在实际使用时要采取保护措施，使其被限制在允许值内。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（四）晶闸管命名及型号含义1国产晶闸管的命名及型号含

14、义国产晶闸管（可控硅）的型号有部颁新标准（JB1144-75）KP系列和部颁旧标准（JB1144-71）3CT系列。KP系列的型号及含义如下。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,3CT系列的型号及含义如下。3表示3个电极、C表示N型硅材料、T表示可控硅元件，3CT501表示额定电压为500V、额定电流为1A的普通晶闸管；3CT12表示额定电压为400V、额定电流为12A的普通晶闸管。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,2国外晶闸管的命名及型号含义“SCR”（Semiconductor Controlled Rectifier）是晶闸管（单向可控硅）的统称。在这个命名前提下，各个生产商有其自

15、己产品命名方式。最早的MOTOROLA（摩托罗拉）半导体公司取第一个字M代表其摩托罗拉，CR代表单向，因而组合成单向晶闸管MCR的第一代命名，代表型号有MCR100-6、MCR100-8、MCR22-6、MCR16M、MCR25M等。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,PHILIPS（飞利浦）公司则沿袭了BT字母来对晶闸管的命名，如BT145-500R、BT148-500R、BT149D、BT150-500R、BT151-500R，BT152-500R、BT169D、BT258-600R等。日本三菱公司在晶闸管器件命名上，则去掉了SCR的第一个字母S，以CR直接命名，代表型号有CR02AM、

16、CR03AM等。意法ST半导体公司对晶闸管的命名，型号前缀字母为X、P、TN、TYN、TS、BTW，如X0405MF、P0102MA、TYN412、TYN812、TYN825、BTW67-600、BTW69-1200等。美国泰科（TECCOR）以型号前缀字母S来对晶闸管命名，例如S8065K、S6006D、S8008L、S8025L等。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,四、总结与提升（一）晶闸管好坏的判断将万用表欧姆挡置于R10或R100挡，测量阳极-阴极之间和阳极-门极之间正反向电阻，正常值都应在几百千欧以上；门极-阴极之间正向电阻约数十欧姆到数百欧姆，反向电阻较正向电阻略大。测量时，如

17、发现任何两个极短路或门极对阴极断路，说明晶闸管已经损坏。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（二）晶闸管导通关断原理 由晶闸管的内部结构可知，它是4层（P1N1P2N2）3端（A、K、G）结构，有3个PN结，即J1、J2、J3。因此可用3个串联的二极管等效（见图1-3）。当阳极A和阴极K两端加正向电压时，J2处于反偏状态，P1N1P2N2结构处于阻断状态，只能通过很小的正向漏电流；当阳极A和阴极K两端加反向电压时，J1和J3处于反偏状态，P1N1P2N2结构也处于阻断状态，只能通过很小的反向漏电流，所以晶闸管具有正反向阻断特性。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,晶闸管的P1N1P2N2结

18、构又可以等效为2个互补连接的晶体管，如图所示。晶闸管的导通关断原理可以通过等效电路来分析。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,当晶闸管加上正向阳极电压，门极也加上足够的门极电压时，则有电流IG从门极流入N1P2N2管的基极，经N1P2N2管放大后的集电极电流IC2又是P1N1P2管的基极电流，再经P1N1P2管的放大，其集电极电流IC1又流入N1P2N2管的基极，如此循环，产生强烈的正反馈过程，使2个晶体管快速饱和导通，从而使晶闸管由阻断迅速地变为导通。导通后晶闸管两端的压降一般为1.5 V左右，流过晶闸管的电流将取决于外加电源电压和主回路的阻抗。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,晶闸管

19、一旦导通后，即使IG=0，但因IC1的电流在内部直接流入N1P2N2管的基极，晶闸管仍将继续保持导通状态。若要晶闸管关断，只有降低阳极电压到零或对晶闸管加上反向阳极电压，使IC1的电流减少至N1P2N2管接近截止状态，即流过晶闸管的阳极电流小于维持电流，晶闸管方可恢复阻断状态。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,（三）晶闸管的选择例1-1根据图1-1（b）调节灯电路中的参数，确定本模块中晶闸管的型号。提示：该电路中，调光灯两端电压最大值为0.45U2，其中U2为电源电压。解：第一步，单相半波可控整流调光电路晶闸管可能承受的最大电压。第二步，考虑23倍的余量。（23）UTM=（23）311V=

20、622933V,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,第三步，确定所需晶闸管的额定电压等级。因为电路无储能元器件，因此选择电压等级为7的晶闸管就可以满足正常工作的需要了。第四步，根据白炽灯的额定值计算出其阻值的大小。第五步：确定流过晶闸管电流的有效值。,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,在单相半波可控整流调光电路中，当=0时，流过晶闸管的电流最大，且电流的有效值是平均值的1.57倍。由前面的分析可以得到流过晶闸管的平均电流为：由此可得，当=0时流过晶闸管电流的最大有效值为：,任务一 晶闸管及其导通关断条件测试,第六步，考虑1.52倍的余量。第七步，确定晶闸管的额定电流IT(AV)。因为电路无储

21、能元器件，因此选择额定电流为1A的晶闸管就可以满足正常工作的需要了。由以上分析可以确定晶闸管应选用的型号为KP1-7。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,一、任务描述与目标前面已知要使晶闸管导通，除了加上正向阳极电压外，还必须在门极和阴极之间加上适当的正向触发电压与电流。为门极提供触发电压与电流的电路称为触发电路。对晶闸管触发电路来说，首先触发信号应该具有足够的触发功率（触发电压和触发电流），以保证晶闸管可靠导通；其次触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿要陡峭；最后触发脉冲必须与主电路晶闸管的阳极电压同步并能根据电路要求在一定的移相范围内移相。单结晶体管触发电路具有结构简单、调试方便

22、、脉冲前沿陡、抗干扰能力强等优点，广泛应用于50 A以下中、小容量晶间管的单相可控整流装置中。本次任务的目标如下。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,观察单结晶体管，认识其外形结构、端子及型号。会选用和检测单结晶体管。掌握单结晶体管的基本参数，初步具备成本核算意识。掌握单结晶体管的特性，能利用其特性分析单结晶体管触发电路的工作原理。学会单结晶体管触发电路调试技能。在小组合作实施项目过程中培养与人合作的精神。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,二、相关知识（一）单结晶体管的结构及测试1单结晶体管的结构,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,2单结晶体管的电极判定在

23、实际使用时，可以用万用表来测试管子的3个电极，方法如下。（1）测量e-b1和e-b2间反向电阻 万用表置于电阻挡，将万用表红表笔接e端，黑表笔接b1端，测量e-b1两端的电阻，测量结果如图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,将万用表黑表笔接b2端，红表笔接e端，测量b2-e两端的电阻，测量结果如图所示。结果：两次测量的电阻值均较大（通常在几十千欧）。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（2）测量测量e-b1和e-b2间正向电阻。将万用表黑表笔接e端，红表笔接b1端，再次测量b1-e两端的电阻，测量结果如图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,将万用

24、表黑表笔接e端，红表笔接b2端，再次测量b2-e两端的电阻，测量结果如图所示。结果：两次测量的电阻值均较小（通常在几千欧），且,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（3）测量b1-b2间正反向电阻。将万用表红表笔接b1端，黑表笔接b2端，测量b2-b1两端的电阻，测量结果如图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,将万用表黑表笔接b1端，红表笔接b2端，再次测量b1-b2两端的电阻，测量结果如图所示。结果：b1-b2间的电阻RBB为固定值。由以上的分析可以看出，用万用表可以很容易地判断出单结晶体管的发射极，只要发射极对了，即使b1、b2接反了，也不会烧坏管子，只是没有脉

25、冲输出或者脉冲幅度很小，这时只要将2个引脚调换一下就可以了。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,3单结晶体管的测试我们可以通过测量管子极间电阻或负阻特性的方法来判定它的好坏。其具体操作步骤如下。（1）测量PN结正、反向电阻大小。将万用表置于Rl00挡或R1k挡，黑表笔接e，红表笔分别接b1或b2时，测得管子PN结的正向电阻一般应为几千欧至几十千欧，要比普通二极管的正向电阻稍大一些。再将红表笔接e，黑表笔分别接bl或b2，测得PN结的反向电阻，正常时指针偏向无穷大（）。一般讲，反向电阻与正向电阻的比值应大于100为好。（2）测量基极电阻RBB。将万用表的红、黑表笔分别任意接基极b1和

26、b2，测量b1-b2间的电阻应在212k范围内，阻值过大或过小都不好。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（3）测量负阻特性。单结晶体管负阻特性测试电路如图所示。在管子的基极b1、b2之间外接10V直流电源，将万用表置于R100挡或R1k挡，红表笔接b1，黑表笔接e，因这时接通了仪表内部电池，相当于在e-b1之间加上1.5V正向电压。由于此时管子的输入电压（1.5V）远低于峰点电压Up，管子处于截止状态，且远离负阻区，所以发射极电流Ie很小（微安级），仪表指针应偏向左侧，表明管子具有负阻特性。如果指针偏向右侧，即Ie相当大（毫安级），与普通二极管伏安特性类似，则表明被测管子无负阻特

27、性，当然不宜使用。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（二）单结晶体管伏安特性及主要参数1单结晶体管的伏安特性当2个基极b1和b2间加某一固定直流电压UBB时，发射极电流IE与发射极正向电压UE之间的关系曲线称为单结晶体管的伏安特性IEf（UE），试验电路图及特性如图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,当开关S断开，IBB为0，加发射极电压UE时，得到如图中所示伏安特性曲线，该曲线与二极管伏安特性曲线相似。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（1）截止区aP段。当开关S闭合，电压UBB通过单结晶体管等效电路中的rbl和rb2分压，得A点相应电压UA，可

28、表示为式中，分压比，是单结晶体管的主要参数，一般为0.30.9。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,当UE从零逐渐增加，但UEUA时，单结晶体管的PN结反向偏置，只有很小的反向漏电流。当UE增加到与UA相等时，IE0，即如图1-24（b）所示特性曲线与横坐标交点b处。进一步增加UE，PN结开始正偏，出现正向漏电流，直到当发射结电位UE增加到高出UBB一个PN结正向压降UD时，即UEUPUBB+UD时，等效二极管VD才导通，此时单结晶体管由截止状态进入到导通状态，并将该转折点称为峰点P。P点所对应的电压称为峰点电压UP，所对应的电流称为峰点电流IP。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管

29、触发电路测试,（2）负阻区PV段。当UEUP时，等效二极管VD导通，IE增大，这时大量的空穴载流子从发射极注入A点到b1的硅片，使rbl迅速减小，导致UA下降，因而UE也下降。UA的下降，使PN结承受更大的正偏，引起更多的空穴载流子注入到硅片中，使rbl进一步减小，形成更大的发射极电流IE，这是一个强烈的增强式正反馈过程。当IE增大到一定程度，硅片中载流子的浓度趋于饱和，rbl已减小至最小值，A点的分压UA最小，因而UE也最小，得曲线上的V点。V点称为谷点，谷点所对应的电压和电流称为谷点电压UV和谷点电流IV。这一区间称为特性曲线的负阻区。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（3）

30、饱和区VN段。当硅片中载流子饱和后，欲使IE继续增大，必须增大电压UE，单结晶体管处于饱和导通状态。改变UBB，器件由等效电路中的UA和特性曲线中UP也随之改变，从而可获得一族单结晶体管伏安特性曲线，如图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,2单结晶体管的主要参数单结晶体管的主要参数有基极间电阻rBB、分压比、峰点电流IP、谷点电压UV、谷点电流IV及耗散功率等。国产单结晶体管的型号主要有BT31、BT33、BT35等，BT表示特种半导体管。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（三）单结晶体管自激振荡电路利用单结晶体管的负阻特性和电容的充放电，可以组成单结晶体管自激

31、振荡电路。单结晶体管自激振荡电路的电路图和波形图如图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,设电容器初始电压为零，电路接通以后，单结晶体管是截止的，电源经电阻R2、RP对电容C进行充电，电容电压从零起按指数充电规律上升，充电时间常数为REC；当电容两端电压达到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管导通，电容开始放电，由于放电回路的电阻很小，因此放电很快，放电电流在电阻R4上产生了尖脉冲。随着电容放电，电容电压降低，当电容电压降到谷点电压UV以下，单结晶体管截止，接着电源又重新对电容进行充电如此周而复始，在电容C两端会产生一个锯齿波，在电阻R4两端将产生一个尖脉冲波，如图上图所示。

32、,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（四）单结晶体管触发电路上述单结晶体管自激振荡电路输出的尖脉冲可以用来触发晶闸管，但不能直接用作晶闸管的触发电路，还必须解决触发脉冲与主电路同步的问题。图所示为单结晶体管触发电路。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,1同步电路（1）什么是同步。触发信号和电源电压在频率和相位上相互协调的关系称同步。例如，在单相半波可控整流电路中，触发脉冲应出现在电源电压正半周范围内，而且每个周期的 角相同，确保电路输出波形不变，输出电压稳定。（2）同步电路组成。同步电路由同步变压器、VD1半波整流、电阻R1及稳压管组成。同步变压器一次侧与晶闸管整流电路

33、接在同一相电源上，交流电压经同步变压器降压、单相半波整流后再经过稳压管稳压削波形成一梯形波电压，作为触发电路的供电电压。梯形波电压零点与晶闸管阳极电压过零点一致，从而实现触发电路与整流主电路的同步。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,2脉冲移相与形成（1）电路组成。脉冲移相与形成电路实际上就是单结晶体管自激振荡电路。脉冲移相由R7及等效可变电阻VT2和电容C组成，脉冲形成由单结晶体管、温补电阻R8、脉冲变压器原边绕组组成。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（2）工作原理。梯形波通过R7及等效可变电阻VT2向电容C1充电，当充电电压达到单结晶体管的峰值电压UP时，单结晶

34、体管V导通，电容通过脉冲变压器原边放电，脉冲变压器副边输出脉冲。同时由于放电时间常数很小，C1两端的电压很快下降到单结晶体管的谷点电压Uv，使V关断，C1再次充电，周而复始，在电容C1两端呈现锯齿波形，在脉冲变压器副边输出尖脉冲。在一个梯形波周期内，V可能导通、关断多次，但只有输出的第一个触发脉冲对晶闸管的触发时刻起作用。充电时间常数由电容C1和等效电阻等决定，调节RP1改变C1的充电的时间，控制第一个尖脉冲的出现时刻，实现脉冲的移相控制。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,3各主要点波形,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,四、总结与提升（一）单结晶体管触发电路的移相范

35、围1移相范围移相范围是指一个周期内触发脉冲的移动范围，一般用电角度来表示。单结晶体管触发电路一个周期内有时有多个脉冲，只有第一个脉冲触发晶闸管导通，因此，单结晶体管触发电路的脉冲可移动的范围是第一个脉冲离纵轴最近时的电角度到最远时的电角度。如图下图（a）为最小控制角1，（b）为最大控制角2，移相范围为12。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,2控制角的确定方法（1）调节垂直控制区（VERTICAL）的“SCAL”和水平控制区（HORIZONTAL）的“SCAL”，使示波器波形显示窗口显示的波形便于观察（调好后不要再随意调节）。（2）根据

36、波形的一个周期360对应网格数，可估算波形的控制角。如观察图波形，可以估计，这个波形对应的是大概控制角为45的波形。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（二）单结晶体管构成的其他触发电路,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,1同步电路（1）同步电路组成。同步电路由同步变压器、桥式整流电路VD1VD4、电阻R1及稳压管组成。（2）工作原理。同步变压器一次侧与晶闸管整流电路接在同一相电源上，交流电压经同步变压器降压、单相桥式整流后再经过稳压二极管稳压削波，形成一梯形波电压，作为触发电路的供电电压。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,2脉冲移相与形成（1）电路组成。

37、脉冲移相与形成电路实际上就是上述单结晶体管自激振荡电路。脉冲移相由电阻RE（RP和R2组成）和电容C组成，脉冲形成由单结晶体管、温补电阻R3、输出电阻R4组成。（2）工作原理。改变自激振荡电路中电容C的充电电阻的阻值，就可以改变充电的时间常数，图中用电位器RP来实现这一变化，例如RPC出现第一个脉冲的时间后移Ud。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,3各主要点波形（1）桥式整流后脉动电压的波形(见触发电路图中“A”点)。由电子技术的知识我们可以知道“A”点波形为由VD1VD44个二极管构成的桥式整流电路输出波形，如下图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（2）削波

38、后梯形波电压波形（见触发电路图中“B”点）。该点波形是经稳压管削波后得到的梯形波，如下图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（3）电容电压的波形（见触发电路图中“C”点）。由于电容每半个周期在电源电压过零点从零开始充电，当电容两端的电压上升到单结晶体管峰点电压时，单结晶体管导通，触发电路送出脉冲，电容的容量和充电电阻RE的大小决定了电容两端的电压从零上升到单结晶体管峰点电压的时间，波形如下图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（4）输出脉冲的波形（见触发电路图中“D”点）。单结晶体管导通后，电容通过单结晶体管的eb1迅速向输出电阻R4放电，在R4上得到很窄的

39、尖脉冲。波形如图所示。,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（三）触发电路元件的选择（1）充电电阻RE的选择。改变充电电阻RE的大小，就可以改变自激振荡电路的频率，但是频率的调节有一定的范围，如果充电电阻RE选择不当，将使单结晶体管自激振荡电路无法形成振荡。充电电阻RE的取值范围为,任务二 单结晶体管及单结 晶体管触发电路测试,（2）电阻R3的选择。电阻R3是用来补偿温度对峰点电压UP的影响，通常取值范围为200600。（3）输出电阻R4的选择。输出电阻R4的大小将影响输出脉冲的宽度与幅值，通常取值范围为50100。（4）电容C的选择。电容C的大小与脉冲宽窄和RE的大小有关，通常取值

40、范围为0.1F1F。,任务三 单相半波可控整流电路调试,一、任务描述与目标单相半波可控整流调光灯主电路实际上就是负载为电阻性的单相半波可控整流电路，电阻负载的特点是负载两段电压波形和电流波形相似，其电压、电流均允许突变。调光灯在调试及修理过程中，电路工作原理的掌握、输出波形ud和晶闸管两端电压uT波形的分析是非常重要的。本次任务的目标如下。,任务三 单相半波可控整流电路调试,会分析单相半波可控整流电路的工作原理。能安装和调试调光灯电路。能根据测试波形或相关点电压电流值对电路现象进行分析。在电路安装与调试过程中，培养职业素养。在小组实施项目过程中培养团队合作意识。,任务三 单相半波可控整流电路调

41、试,二、相关知识（一）单相半波可控整流电路结构1电路结构半波整流可控整流电路是变压器的次级绕组与负载相接，中间串联一个晶闸管，利用晶闸管的可控单向导电性，在半个周期内通过控制晶闸管导通时间来控制电流流过负载的时间，另半个周期被晶闸管所阻，负载没有电流。电路结构如下图所示。,任务三 单相半波可控整流电路调试,整流变压器（调光灯电路可直接由电网供电，不采用整流变压器）具有变换电压和隔离的作用，其一次和二次电压瞬时值分别用u1和u2表示，电流瞬时值用i1和i2表示，电压有效值用U1和U2表示，电流有效值用I1和I2表示。晶闸管两端电压用uT表示，晶闸管两端电压最大值用UTM表示。流过晶闸管的电流瞬时

42、值用iT表示，有效值用IT表示，平均值用IdT表示。负载两端电压瞬时值用ud表示，平均值用Ud表示，有效值用U表示，流过负载电流瞬时值用id表示，平均值用Id表示，有效值用I表示。,任务三 单相半波可控整流电路调试,2分析整流电路几个名词术语（1）控制角。控制角也叫触发角或触发延迟角，是指晶闸管从承受正向电压开始到触发脉冲出现之间的电角度。晶闸管承受正向电压开始的时刻要根据晶闸管具体工作电路来分析，单相半波电路中，晶闸管承受正向电压开始时刻为电源电压过零变正的时刻，如图所示。,任务三 单相半波可控整流电路调试,（2）导通角。导通角是指晶闸管在一个周期内处于导通的电角度。单相半波可控整流电路电阻

43、性负载时，=180-，如上图所示。不同电路或者同一电路不同性质的负载，导通角和控制角的关系不同。（3）移相。移相是指改变触发脉冲出现的时刻，即改变控制角的大小。（4）移相范围。移相范围是指一个周期内触发脉冲的移动范围，它决定了输出电压的变化范围。单相半波可控整流电路电阻性负载时，移相范围为180。不同电路或者同一电路不同性质的负载，移相范围不同。,任务三 单相半波可控整流电路调试,（二）单相半波可控整流电路电阻负载工作原理1控制角=0时在=0时即在电源电压u2过零变正点，晶闸管门极触发脉冲出现，如下图所示。在电源电压零点开始，晶闸管承受正向电压，此时触发脉冲出现，满足晶闸管导通条件晶闸管导通，

44、负载上得到输出电压ud的波形是与电源电压u2相同形状的波形；当电源电压u2过零点，流过晶闸管电流为0（晶闸管的维持电流很小，一般为几十毫安，理论分析时假设为0），晶闸管关断，负载两端电压ud为零；在电源电压 负半周内，晶闸管承受反向电压不能导通，直到第二周期=0触发电路再次施加触发脉冲时，晶闸管再次导通。,任务三 单相半波可控整流电路调试,任务三 单相半波可控整流电路调试,2控制角=30时改变晶闸管的触发时刻，即控制角的大小可改变输出电压的波形，下图（a）所示为=30的输出电压的理论波形。在=30时，晶闸管承受正向电压，此时加入触发脉冲晶闸管导通，负载上得到输出电压ud的波形是与电源电压u2相

45、同形状的波形；同样当电源电压u2过零时，晶闸管也同时关断，负载上得到的输出电压ud为零；在电源电压过零点到=30之间的区间上，虽然晶闸管已经承受正向电压，但由于没有触发脉冲，晶闸管依然处于截止状态。,任务三 单相半波可控整流电路调试,任务三 单相半波可控整流电路调试,3控制角为其他角度时=60时输出电压和晶闸管两端电压的理论波形,任务三 单相半波可控整流电路调试,3控制角为其他角度时=90时输出电压和晶闸管两端电压的理论波形,任务三 单相半波可控整流电路调试,3控制角为其他角度时=120时输出电压和晶闸管两端电压的理论波形,任务三 单相半波可控整流电路调试,由以上的分析和测试可以得出以下结论。

46、在单相半波整流电路中，改变大小即改变触发脉冲在每周期内出现的时刻，则ud和id的波形变化，输出整流电压的平均值Ud大小也随之改变，减小，Ud增大，反之，Ud减小。这种通过对触发脉冲的控制来实现控制直流输出电压大小的控制方式称为相位控制方式，简称相控方式。单相半波整流电路理论上移相范围0180。在本项目中若要实现移相范围达到0180，则需要改进触发电路以扩大移相范围。,任务三 单相半波可控整流电路调试,（三）单相半波可控整流电路电感性负载工作原理1.电感性负载的特点为了便于分析，在电路中把电感Ld与电阻Rd分开，如图所示。,任务三 单相半波可控整流电路调试,电感线圈是储能元件，当电流id流过线圈

47、时，该线圈就储存有磁场能量，id愈大，线圈储存的磁场能量也愈大。当id减小时，电感线圈就要将所储存的磁场能量释放出来，试图维持原有的电流方向和电流大小。电感本身是不消耗能量的。众所周知，能量的存放是不能突变的，可见当流过电感线圈的电流增大时，Ld两端就要产生感应电动势，即，其方向应阻止id的增大，如图上图（a）所示。反之，id要减小时，Ld两端感应的电动势方向应阻碍的id减小，如图上图（b）所示。,任务三 单相半波可控整流电路调试,2.不接续流二极管时工作原理（1）电路结构。单相半波可控整流电路电感性负载电路如图所示。,任务三 单相半波可控整流电路调试,（2）工作原理,任务三 单相半波可控整流

48、电路调试,（2）工作原理 在0t1期间：晶闸管阳极电压大于零，此时晶闸管门极没有触发信号，晶闸管处于正向阻断状态，输出电压和电流都等于零。在t1时刻：门极加上触发信号，晶闸管被触发导通，电源电压u2施加在负载上，输出电压ud=u2。由于电感的存在，在ud的作用下，负载电流id只能从零按指数规律逐渐上升。,任务三 单相半波可控整流电路调试,在时刻：交流电压过零，由于电感的存在，流过晶闸管的阳极电流仍大于零，晶闸管会继续导通，此时电感储存的能量一部分释放变成电阻的热能，同时另一部分送回电网，电感的能量全部释放完后，晶闸管在电源电压u2的反压作用下而截止。直到下一个周期的正半周，即2时刻，晶闸管再次

49、被触发导通。如此循环，其输出电压、电流波形如工作原理图所示。,任务三 单相半波可控整流电路调试,结论：由于电感的存在，使得晶闸管的导通角增大，在电源电压由正到负的过零点也不会关断，使负载电压波形出现部分负值，其结果使输出电压平均值Ud减小。电感越大，维持导电时间越长，输出电压负值部分占的比例愈大，Ud减少愈多。当电感Ld非常大时（满足LdRd，通常Ld10Rd即可），对于不同的控制角，导通角将接近2-2，这时负载上得到的电压波形正负面积接近相等，平均电压Ud0。可见，不管如何调节控制角，Ud值总是很小，电流平均值Id也很小，没有实用价值。实际的单相半波可控整流电路在带有电感性负载时，都在负载两

50、端并联有续流二极管。,任务三 单相半波可控整流电路调试,3接续流二极管时工作原理（1）电路结构。为了使电源电压过零变负时能及时地关断晶闸管，使ud波形不出现负值，又能给电感线圈Ld提供续流的旁路，可以在整流输出端并联二极管，如图所示。由于该二极管是为电感负载在晶闸管关断时提供续流回路，故称续流二极管。,任务三 单相半波可控整流电路调试,（2）工作原理,任务三 单相半波可控整流电路调试,从波形图上可以看出以下几点。在电源电压正半周（0区间），晶闸管承受正向电压，触发脉冲在时刻触发晶闸管导通，负载上有输出电压和电流。在此期间续流二极管VD承受反向电压而关断。在电源电压负半波（2区间），电感的感应电