维修电工(高级)第二章.ppt
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1、电力电子技术基础,第二章,第二章电力电子技术基础,培训学习目标,熟悉电力晶体管、门极关断晶闸管熟悉电力晶体管、门极关断晶闸管和功率场效应晶体管的主要特点;熟悉三相半波可控整流电路的组成、工作原理和波形分析;掌握正弦波触发电路的组成及控制方式;熟悉三相桥式可控整流电路的组成、工作原理和波形分析;掌握三相全控桥式整流主电路与锯齿波同步触发电路的安装与调试;掌握逆变电路的基本原理和典型应用。,第二章 电力电子技术基础,第三节 逆变电路66 一、有源逆变电路66 二、无源逆变电路69 三、中高频电源71复习思考题,第一节 电力电子器件 一、功率晶体管(GTR)二、门极关断(GTO)晶闸管 三、功率场效
2、应晶体管(MOSFET)第二节 晶闸管整流电路 一、三相半波可控整流电路 二、三相桥式整流电路,目 录,第一节电力电子器件,一、功率晶体管(GTR),1.GTR的结构,图2-1,2.GTR的主要参数,(1)开路阻断电压UCEO(2)集电极最大持续电流ICM(3)电流增益hFE(4)开通时间ton(5)关断时间toff,第一节电力电子器件,二、门极关断(GTO)晶闸管,1.GTO的门极伏安特性,图 2-3,2.GTO的主要参数,(1)电流关断增益Goff(2)最大可关断阳极电流IATO,3.GTO的优点,1)用门极负脉冲电流关断方式代替主电路换流,关断所需能量小。2)门极关断晶闸管只需提供足够幅
3、度、宽度的门极关断信号就能保证可靠的关断。3)有较高的开关速度,可关断晶闸管的工作频率可达35kHz。,第一节电力电子器件,三、功率场效应晶体管(MOSFET),MOSFET是一种单极型的电压控制器件,具有驱动功率小、工作速度高,无二次击穿问题,安全工作区域宽等显著特点。,1.功率MOSFET的基本工作原理,在栅极电压为零(UGS=0)时,即使在漏极和源极(简称漏源,DS)之间施加电压也不会造成P区内载流子的移动,也就是说,此时MOSFET处于关断状态。但是,在保持漏源(DS)间施加正向电压的前提下,如果在栅极G上施加正向电压(UGS0),就有漏极电流ID,则MOSFET开始导通。若在栅极上加
4、反向电压(UGS0),则没有电流ID流过,器件处于关断状态。,图2-4,第一节电力电子器件,三、功率场效应晶体管(MOSFET),2.MOSFET的主要参数,(1)通态电阻Ron(2)漏源击穿电压BUDS(3)栅源击穿电压BUGS(4)开启电压UGST(5)最大漏极电流IDM(6)开通时间ton和关断时间toff,第二节晶闸管整流电路,一、三相半波可控整流电路,1.电路接线方法,图2-5,2.电阻性负载时测试波形,(1)电阻性负载两端的电压波形(2)晶闸管两端的电压波形,图2-6,第二节晶闸管整流电路,一、三相半波可控整流电路,2.电阻性负载时测试波形,1)VT1在t1t2期间A(U)相导通,
5、uVT1仅是管压降,与横轴重合。2)t2t3期间B(V)相导通,经VT2加到VT1的阴极,VT1承受反向电压而关断,承受的电压为线电压UAB。3)t3t4期间C(W)相导通,经VT3加到VT1的阴极,VT1承受反向电压而关断,承受的电压为线电压UAC。4)负载Rd上的电压ud由三相电源轮换供给,其波形是三相电源波形的正向包络线。5)t1、t2称为自然换流点,距相电压波形原点30,触发延迟角是以对应的自然换流点为起始点,往右计算。6)对于电阻性负载,负载上的电压波形与电流波形相同。,第二节晶闸管整流电路,一、三相半波可控整流电路,3.大电感负载时测试波形,图29三相半波可控整流电路(电感性负载)
6、,1)30时,电感性负载时电压、电流的波形分析和参数计算与电阻性负载的相同。2)30时,电压、电流的波形。3)大电感负载时,移相范围为90。4)晶闸管两端的电压波形。5)当电路加接续流二极管时,ud的波形如同电阻性负载,id的波形如同大电感负载。,第二节晶闸管整流电路,一、三相半波可控整流电路,4.正弦波触发电路,(1)电路组成正弦波触发电路,(2)同步电压信号,图2-12,图2-12,第二节晶闸管整流电路,一、三相半波可控整流电路,4.正弦波触发电路,(3)控制脉冲电压信号 1)控制电压Uc的引入是为了触发脉冲与相对应的晶闸管阴极作相位移,即改变Uc的大小和极性,使移相角在0180范围变化。
7、2)不同负载以及主电路电压与同步电压相位不同,其触发脉冲初始位置也不同,电路引入偏移直流固定电压Ub。一旦Ub确定后,通过改变控制电压Uc来实现移相角的变化。3)调整晶体管VT2和VT3构成单稳态电路,从而获得前沿陡、宽度可调的方波脉冲。4)抗干扰措施:电容C2起本级微分负反馈作用,可提高抗干扰能力;VD6可防止由于稳压电源电压沿减小方向波动时,原来已充电的电容C3经R4、电源TP、R2和晶体管VT2的发射极、基极放电、而引起该管截止,造成误输出触发脉冲;VD1与VD4是对VT1与VT2基极所输入的反压限幅,以免VT1与VT2损坏。,第二节晶闸管整流电路,二、三相桥式整流电路,1.三相桥式主电
8、路的结构组成,图2-14,(1)晶闸管导通要求及顺序 1)三相全控桥式整流电路在任何时刻都必须有两个晶闸管导通,才能形成导电回路,其中一个晶闸管是共阴极的,另一个是共阳极的。2)在三相全控桥式整流电路中,晶闸管导通顺序是:VT6、VT1VT1、VT2VT2、VT3VT3、VT4VT4、VT5VT5、VT6VT6、VT1。(2)相位差 在三相全控桥式整流电路中,共阴极晶闸管VT1、VT3、VT5的触发脉冲之间的相位差应为120。,2.电路工作原理及特点,第二节晶闸管整流电路,二、三相桥式整流电路,2.电路工作原理及特点,(3)宽脉冲与双窄脉冲 可采取两种办法:一种是宽脉冲触发,每个脉冲的宽度大于
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