模拟电子技术基础2晶体三极管及其放大电路-ch.ppt
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1、,作为放大电路中的核心部件,晶体管的基本功能是将微弱的电信号不失真地放大到负载所需数值。本章首先介绍晶体管的结构、工作原理、伏安特性曲线、主要参数及其交流小信号等效电路模型,然后介绍放大电路工作原理、电路构成原则、基本分析方法及由晶体管构成的三种基本组态放大电路的分析及性能特点。,本章简介,2.1 晶体三极管,2.3 放大电路的基本分析方法,2.2 晶体管放大电路基础,2.4 放大电路静态工作点的稳定,2 晶体三极管及其放大电路,模拟电子技术基础,2.5 三种基本组态放大电路,2.1.1 晶体三极管的结构与符号2.1.2 晶体管的电流分配与放大作用 1.晶体管内部载流子的传输过程 2.晶体管的
2、电流分配关系及电流放大系数2.1.3 晶体管的伏-安特性曲线1.共射输入特性曲线2.共射输出特性曲线2.1.4 晶体管的工作状态分析1.假定放大状态法 2.假定临界饱和状态法2.1.5 晶体管的主要参数2.1.6 晶体管的交流小信号等效电路模型1.小信号线性化条件2.H参数等效模型的引出3.H参数的物理意义4.H参数模型的简化及参数求取,本节内容,2.1 晶体三极管,晶体管有三个极、三个区、两个PN结,两各类型(NPN,PNP)。,2.1.1 晶体三极管的结构与符号,多子浓度高,多子浓度很低,且很薄,面积大,2.1.1 晶体三极管的结构与符号,三种基本组态:,NPN和PNP管的工作原理及内部载
3、流子传输过程相同;二者所需电源电压极性相反,产生电流的方向相反。无论哪种组态,要使晶体管具有放大作用必须保证发射结正偏,集电结反偏。,PNP,NPN,2.1.2 晶体管的电流分配与放大作用,1.晶体管内部载流子的传输过程,(1)E(B)区多子经Je注入B(E)区,IE=IEN+IEP IEN,E区多子.,B区(成非平衡少子),B区多子。,E区(成非平衡少子),(2)注入B区的(非平衡)少子的扩散与复合,B区非平衡少子 扩散(梯度浓度):从Je边缘Jc边缘,(3)C极收集扩散载流子,C极吸收ICN=IEN-IBN,ICBO,Jc(e极开路时)反向饱和电流,大部分,少部分,被 复合IBN,IC=I
4、CN+ICBO,IB=IBN+IEP-ICBO,受uBE控制,(4)电流分配关系 经上分析可得:,2.1.2 晶体管的电流分配与放大作用,(符合KCL)定律,定义:,整理得,穿透电流,定义:,或,电流分配关系:,(式中各量为瞬时量或交流量时同样成立),2.1.3 晶体管的伏-安特性曲线,1.共射输入特性曲线:,相当于两个PN结并联时的伏安特性;,uCE增大,曲线右移。uCB增大,对基区的非平衡少子作用力增强,复合机会少,iB减小(若iB 不变,uBE 需增加)。,曲线右移不明显。uCB足够大,C区收集绝大部由发射区注入到基区的载流子,uCB再增大,iB基本不变。,对于小功率晶体管,UCE大于1
5、V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。,2.共射输出特性曲线:,对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。,为什么uCE较小时iC随uCE变化很大?为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线?,是常数吗?什么是理想晶体管?什么情况下?,(1)放大区:Je正编,Jc反偏,uBEUon且uCEuBE,uCE对iC影响小,(2)截止区:Je截止,Jc反偏,uBEuBE,(3)饱和区:Je和Jc正偏,uBEUon且uCEuBE,(4)击穿区:Je正编,Jc反偏,且uCE足够大,iC急剧增大.,2.1.3 晶体管的伏-安特性曲线,2.1.4 晶体管的工作状态分析,晶体管的三个工
6、作区域分别对晶体管的三各工作状态,即放大、截止和饱和。,NPN:,PNP:,工作在放大状态下:,2.1.4 晶体管的工作状态分析,.假定放大状态法假定BJT处于放大状态,计算iB和iC=iB,BJT工作状态分析方法:若UBEUon,BJT截止;若UBEUon则BJT可能处于放大或饱和状态,用以下两种方法判断:,2.假定饱和状态法假定BJT处于临界饱和状态,由UCE=Uon计算集电极临界饱和电流ICS,2.1.4 晶体管的工作状态分析,工作在放大状态的BJT的类型(NPN or PNP)、管脚及材料(Si or Ge)判别方法:,2.1.4 晶体管的工作状态分析,【例2-2】测得电路的晶体管各极
7、对地电位如图所示,各晶体管b-e间的开启电压为0.5V(Si),0.1V(Ge),试判断晶体管的工作状态。,【例2-3】在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个管脚对地的直流电位如下图所示。试判断晶体管是NPN型还是PNP型、三个管脚中哪个是基极b、集电极c和发射极e,并说明该管是硅材料还是锗材料。,2.1.5 晶体管的主要参数,c-e间击穿电压,最大集电极电流,最大集电极耗散功率,PCMiCuCE,安全工作区,极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO,极间反向电流:ICBO、ICEO,uCE=1V时的iC就是ICM,1.小信号线性化条件,2.1.6 晶体管的交流小信号等效电路模型,2.晶体管H
8、参数等效电路模型的引出,小信号含义:若ui是小信号,则在BJT输入和输出特性曲线上,ube作用的那一小段曲线可近似为直线。晶体管可由Q处的线性二端口网络等效。,2.1.6 晶体管的交流小信号等效电路模型,3.H参数的物理意义,输入交流电阻,反向电压传输比,0.01,可忽略,输出交流电阻,几百k,常忽略,共射电流增益,2.1.6 晶体管的交流小信号等效电路模型,3.H参数模型的简化及参数求取,基区体电阻,几十几百,发射区体电阻,可忽略,Je动态电阻,很小,近似短路,很大,近似分析中开路,或,适于求动态参数,不能用于求静态值,要求0.1mAIEQ5mA。2)没考虑结电容的影响,只适用于低频分析。适
9、于工作在任何组态中任何类型(NPN或PNP型)的BJT,2.1.6 晶体管的交流小信号等效电路模型,2.2.1 放大电路的主要性能指标1.输入电阻 2.输出电阻3.增益4.频率特性5.非线性失真系数2.2.2 放大电路的基本工作原理 1.电路的组成 2.放大电路的基本工作原理3.构成放大电路的基本原则,本节内容,2.2 晶体管放大电路基础,2.2.1 放大电路的主要性能指标,放大:保持信号不失真的前提下,将微弱信号 变成幅度或能量足够大的信号,放大的对象:变化量放大的本质:能量的控制,放大前后能量守恒放大的特征:功率放大放大的基本要求:不失真,判断电路能否放大的基本出发点,2.2.1 放大电路
10、的主要性能指标,任何放大电路均可看成为二端口网络。,输入电流,输入电压,输出电压,输出电流,信号源内阻,增益:输出量与输入量之比,电压放大倍数是最常被研究和测试的参数,输出端采用戴维南等效,负载开路输出电压,输入阻抗,输出阻抗,空载时输出电压有效值,带RL时的输出电压有效值,输入电压与输入电流有效值之比。,输入、输出电阻,忽略所有电抗元件的影响,输入、输出阻抗为纯电阻,2.2.1 放大电路的主要性能指标,频率特性:衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。,2.2.1 放大电路的主要性能指标,由于电容、电感及半导体器件PN结的电容效应,使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降,并产生相
11、移。,幅频特性,相频特性,下限截止频率,上限截止频率,通频带越宽,表明放大电路对不同频率信号的适应能力越强。,1.电路的组成,以NPN-CE放大电路为例,2.2.2 放大电路的基本工作原理,VBB、Rb:使UBE Uon,且有合适的IB。,VCC:使UCEUon,同时作为负载的能源。,Rc:将iC转换成uCE(uo)。,将两个电源合二为一,信号源与放大电路共地,电容应足够大,“隔直通交”,C1、C2为耦合电容,uBEuiUBEQ,信号驮载在静态之上。负载上只有交流信号。,信号的传递是直接通过导线或电阻进行,利用耦合电容进行信号传递,2.2.2 放大电路的基本工作原理,2.放大电路的基本工作原理
12、,由于电抗元件的存在,直流信号所流经的通路与交流信号所流经的通路不同。为分析之便,将直流信号和交流信号的作用分开进行,相应地分为静态和动态。,ui=0直流电源作用下电流流经的通路,电容开路,电感短路(如有);交流信号源为零(电压源短路,电流源则开路),内阻保留。,(1)静态 ui=0,分析目的:根据直流通路确定Q点数值直流分析(UBEQ,IBQ)和(ICQ,UCEQ),2.2.2 放大电路的基本工作原理,(2)动态 ui0,分析目的:根据交流通路是求放大电路的的输入、输出电阻,增益等指标交流分析,交流电流所流经的通路。,原则:耦合或旁路电容短路,电感保留;无内阻的直流电源为零。,实现电压放大,
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