数字电子技术基础第五版第十章.ppt
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1、第十章 脉冲波形的产生和整形,10.1 概述一、获取矩形脉冲的方法 1.脉冲波形产生电路 2.脉冲波形整形电路二、描述矩形脉冲特性的主要参数,10.2 施密特触发器(一种常用的脉冲整形电路)10.2.1 用门电路组成的施密特触发器,与第五章中的触发器含义不同,G1,G2为CMOS反相器,P81,图CMOS反相器的电压传输特性,当 从0逐渐升高,并使 时,电路的状态将迅速转换为,2.当,VT+称为输入信号vI的正向阈值电压,VTH=,设此时VI=VT+,则有:,3.当 从高电平 逐渐下降时,有,当 下降到使 时,电路的状态将迅速转换为,可得,VDD=2VTH,VT-称为输入信号vI的负向阈值电压
2、,VTH=,设此时VI=VT-,则有:,正向阈值电压:,负向阈值电压:,回差电压:,施密特触发器的电路符号,VTH=,VTH,正向变化过程,负向变化过程,CMOS反相器的电压传输特性,施密特触发器的电压传输特性,施密特触发器的主要特点:1.输入信号在上升和下降过程中,电路状态转换的 电平不同,分别为 和;2.电路状态转换时有正反馈过程,使输出波形边沿 变陡。,10.2.3 施密特触发器的应用,二、用于鉴幅,一、用于波形变换,三、用于脉冲整形,10.3 单稳态触发器 特点:有一个稳态和一个暂稳态。在外界触发信号作用下,能从稳态暂稳态,维持 一段时间后再自动返回稳态。暂稳态维持的时间长短取决于电路
3、内部参数。,10.3.1 用门电路组成的单稳态触发器一、积分型单稳态触发器 G1和G2为TTL门,1.原理分析,2.性能参数计算输出脉宽:,放电回路,输出脉宽,二、微分型单稳态触发器,1.原理分析,G1和G2为CMOS门,C,暂稳态时,C开始充电,这期间vd维持低电平,暂稳态时,C开始充电,2、性能参数计算输出脉宽:等于VI2从0充电至VTH的时间。,电容充电等效电路,电容放电等效电路,10.3.2 集成单稳态触发器电路结构与工作原理(74 121),微分型单稳,控制附加电路,74121的功能表,见P472,10.4 多谐振荡器(自激振荡,不需要外加触发信号)10.4.1 对称式多谐振荡器一、
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