数字电子技术基础简明教程第三版.ppt
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1、概述,第 2 章逻辑门电路,三极管的开关特性,TTL 集成逻辑门,CMOS 集成逻辑门,集成逻辑门的应用,本章小结,2.1 概 述,主要要求:,了解逻辑门电路的作用和常用类型。,理解高电平信号和低电平信号的含义。,TTL 即 Transistor-Transistor Logic,CMOS 即 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,一、门电路的作用和常用类型,按功能特点不同分,按逻辑功能不同分,按电路结构不同分,输入端和输出端都用三极管的逻辑门电路。,用互补对称 MOS 管构成的逻辑门电路。,二、高电平和低电平的含义,高电平和低电平为某规定范围的电位值
2、,而非一固定值。,高电平信号是多大的信号?低电平信号又是多大的信号?,由门电路种类等决定,2.2三极管的开关特性,主要要求:,理解三极管的开关特性。,掌握三极管开关工作的条件。,三极管为什么能用作开关?怎样控制它的开和关?,当输入 uI 为低电平,使 uBE Uth时,三极管截止。,iB 0,iC 0,C、E 间相当于开关断开。,三极管关断的条件和等效电路,负载线,饱和区,放大区,一、三极管的开关作用及其条件,截止区,三极管截止状态等效电路,uI=UIL,Uth为门限电压,饱和区,放大区,一、三极管的开关作用及其条件,uI 增大使 iB 增大,从而工作点上移,iC 增大,uCE 减小。,截止区
3、,三极管截止状态等效电路,S 为放大和饱和的交界点,这时的 iB 称临界饱和基极电流,用 IB(sat)表示;相应地,IC(sat)为临界饱和集电极电流;UBE(sat)为饱和基极电压;UCE(sat)为饱和集电极电压。对硅管,UBE(sat)0.7V,UCE(sat)0.3V。在临界饱和点三极管仍然具有放大作用。,uI 增大使 uBE Uth时,三极管开始导通,iB 0,三极管工作于放大导通状态。,饱和区,放大区,一、三极管的开关作用及其条件,截止区,三极管截止状态等效电路,uI=UIH,三极管开通的条件和等效电路,当输入 uI 为高电平,使iB IB(sat)时,三极管饱和。,uBE 0.
4、7V UCE(sat)0.3 V,C、E 间相当于开关合上。,三极管饱和状态等效电路,iB 愈大于 IB(Sat),则饱和愈深。,由于UCE(Sat)0,因此饱和后 iC 基本上为恒值,iC IC(Sat)=,例下图电路中=50,UBE(on)=0.7 V,UIH=3.6 V,UIL=0.3 V,为使三极管开关工作,试选择 RB 值,并对应输入波形画出输出波形。,解:(1)根据开关工作条件确定 RB 取值,uI=UIL=0.3 V 时,三极管满足截止条件,uI=UIH=3.6 V 时,为使三极管饱和,应满足 iB IB(sat),所以求得 RB 29 k,可取标称值 27 k。,(2)对应输入
5、波形画出输出波形,可见,该电路在输入低电平时输出高电平,输入高电平时输出低电平,因此构成三极管非门。由于输出信号与输入信号反相,故又称三极管反相器。,三极管截止时,iC 0,uO+5 V,三极管饱和时,uO UCE(sat)0.3 V,上例中三极管反相器的工作波形是理想波形,实际波形为:,uI 从 UIL 正跳到 UIH 时,三极管将由截止转变为饱和,iC 从 0 逐渐增大到 IC(sat),uC 从 VCC 逐渐减小为 UCE(sat)。,uI 从 UIH 负跳到时 UIL,三极管不能很快由饱和转变为截止,而需要经过一段时间才能退出饱和区。,二、三极管的动态开关特性,uI 正跳变到 iC 上
6、升到 0.9IC(sat)所需的时间 ton 称为三极管开通时间。,通常工作频率不高时,可忽略开关时间,而工作频率高时,必须考虑开关速度是否合适,否则导致不能正常工作。,uI 负跳变到 iC 下降到 0.1IC(sat)所需的时间 toff 称为三极管关断时间。通常 toff ton,二、三极管的动态开关特性,开关时间主要由于电荷存储效应引起,要提高开关速度,必须降低三极管饱和深度,加速基区存储电荷的消散。,在普通三极管的基极和集电极之间并接一个肖特基势垒二极管(简称 SBD)。,抗饱和三极管的开关速度高,没有电荷存储效应 SBD 的导通电压只有 0.4 V 而非 0.7 V,因此 UBC=0
7、.4 V 时,SBD 便导通,使 UBC 钳在 0.4 V 上,降低了饱和深度。,三、抗饱和三极管简介,2.3TTL 集成逻辑门,主要要求:,了解 TTL 与非门的组成和工作原理。,了解 TTL 集成逻辑门的主要参数和使用常识。,掌握 TTL 基本门的逻辑功能和主要外特性。,了解集电极开路门和三态门的逻辑功能和应用。,一、TTL 与非门的基本组成与外特性,(一)典型 TTL 与非门电路,除V4外,采用了抗饱和三极管,用以提高门电路工作速度。V4不会工作于饱和状态,因此用普通三极管。,输入级主要由多发射极管 V1 和基极电阻 R1 组成,用以实现输入变量 A、B、C 的与运算。VD1 VD3 为
8、输入钳位二极管,用以抑制输入端出现的负极性干扰。正常信号输入时,VD1 VD3不工作,当输入的负极性干扰电压大于二极管导通电压时,二极管导通,输入端负电压被钳在-0.7 V上,这不但抑制了输入端的负极性干扰,对 V1 还有保护作用。,中间级起倒相放大作用,V2 集电极 C2 和发射极 E2 同时输出两个逻辑电平相反的信号,分别驱动 V3和 V5。RB、RC 和 V6 构成有源泄放电路,用以减小 V5管开关时间,从而提高门电路工作速度。,输出级由 V3、V4、R4、R5和V5组成。其中 V3 和 V4 构成复合管,与 V5 构成推拉式输出结构,提高了负载能力。,VD1 VD3 在正常信号输入时不
9、工作,因此下面的分析中不予考虑。RB、RC 和V6 所构成的有源泄放电路的作用是提高开关速度,它们不影响与非门的逻辑功能,因此下面的工作原理分析中也不予考虑。,因为抗饱和三极管 V1的集电结导通电压为 0.4 V,而 V2、V5 发射结导通电压为 0.7 V,因此要使 V1 集电结和 V2、V5 发射结导通,必须 uB1 1.8 V。,0.3 V3.6 V3.6 V,输入端有一个或数个为 低电平时,输出高电平。,输入低电平端对应的发射结导通,uB1=0.7 V+0.3 V=1 V,V1管其他发射结因反偏而截止。,1 V,这时 V2、V5 截止。,V2 截止使 V1 集电极等效电阻很大,使 IB
10、1 IB1(sat),V1 深度饱和。,V2 截止使 uC2 VCC=5 V,,5 V,因此,输入有低电平时,输出为高电平。,(二)TTL 与非门的工作原理,综上所述,该电路实现了与非逻辑功能,即,3.6 V3.6 V3.6 V,因此,V1 发射结反偏而集电极正偏,称处于倒置放大状态。,1.8 V,这时 V2、V5 饱和。,uC2=UCE2(sat)+uBE5=0.3 V+0.7 V=1 V,使 V3 导通,而 V4 截止。,1 V,uY=UCE5(sat)0.3 V 输出为低电平,因此,输入均为高电平时,输出为低电平。,0.3 V,V4 截止使 V5 的等效集电极电阻很大,使 IB5 IB5
11、(sat),因此 V5 深度饱和。,倒置放大,TTL 电路输入端悬空时相当于输入高电平。,输入均为高电平时,输出低电平,VCC 经 R1 使 V1 集电结和 V2、V5 发射结导通,使uB1=1.8 V。,深,注意,2.TTL与非门的工作原理,(三)TTL 与非门的外特性及主要参数,1.电压传输特性和噪声容限,输出电压随输入电压变化的特性,uI 较小时工作于AB 段,这时 V2、V5 截止,V3、V4 导通,输出恒为高电平,UOH 3.6V,称与非门工作在截止区或处于关门状态。,uI 较大时工作于 BC 段,这时 V2、V5 工作于放大区,uI 的微小增大引起 uO 急剧下降,称与非门工作在转
12、折区。,uI 很大时工作于 CD 段,这时 V2、V5 饱和,输出恒为低电平,UOL 0.3V,称与非门工作在饱和区或处于开门状态。,下面介绍与电压传输特性有关的主要参数:,有关参数,标准高电平 USH,当 uO USH 时,则认为输出高电平,通常取 USH=3 V。,标准低电平 USL,当 uO USL 时,则认为输出低电平,通常取 USL=0.3 V。,关门电平 UOFF,保证输出不小于标准高电平USH 时,允许的输入低电平的最大值。,开门电平 UON,保证输出不高于标准低电平USL 时,允许的输入高电平的最小值。,阈值电压 UTH,转折区中点对应的输入电压,又称门槛电平。,USH=3V,
13、USL=0.3V,UOFF,UON,UTH,近似分析时认为:uI UTH,则与非门开通,输出低电平UOL;uI UTH,则与非门关闭,输出高电平UOH。,噪声容限越大,抗干扰能力越强。,指输入低电平时,允许的最大正向噪声电压。UNL=UOFF UIL,指输入高电平时,允许的最大负向噪声电压。UNH=UIH UON,输入信号上叠加的噪声电压只要不超过允许值,就不会影响电路的正常逻辑功能,这个允许值称为噪声容限。,2.输入负载特性,ROFF 称关门电阻。RI ROFF 时,相应输入端相当于输入低电平。对 STTL 系列,ROFF 700。,RON 称开门电阻。RI RON 时,相应输入端相当于输入
14、高电平。对 STTL 系列,RON 2.1 k。,不同 TTL 系列,RON、ROFF 不同。,相应输入端相当于输入低电平,也即相当于输入逻辑 0。,逻辑0,因此 Ya 输出恒为高电平 UOH。,相应输入端相当于输入高电平,也即相当于输入逻辑 1。,逻辑1,因此,可画出波形如图所示。,解:图(a)中,RI=300 ROFF 800,图(b)中,RI=5.1 k RON 3 k,3.负载能力,负载电流流入与非门的输出端。,负载电流从与非门的输出端流向外负载。,输入均为高电平,输入有低电平,输出为低电平,输出为高电平,灌电流负载,拉电流负载,不管是灌电流负载还是拉电流负载,负载电流都不能超过其最大
15、允许电流,否则将导致电路不能正常工作,甚至烧坏门电路。,实用中常用扇出系数 NOL 表示电路负载能力。,门电路输出低电平时允许带同类门电路的个数。,由于三极管存在开关时间,元、器件及连线存在一定的寄生电容,因此输入矩形脉冲时,输出脉冲将延迟一定时间。,4.传输延迟时间,输入电压波形下降沿 0.5 UIm 处到输出电压上升沿 0.5 Uom处间隔的时间称截止延迟时间 tPLH。,输入电压波形上升沿 0.5 UIm 处到输出电压下降沿 0.5 Uom处间隔的时间称导通延迟时间 tPHL。,平均传输延迟时间 tpd,tPHL,tPLH,tpd 越小,则门电路开关速度越高,工作频率越高。,5.功耗-延
16、迟积,常用功耗 P 和平均传输延迟时间 tpd 的乘积(简称功耗 延迟积)来综合评价门电路的性能,即M=P tpd,性能优越的门电路应具有功耗低、工作速度高的特点,然而这两者矛盾。,M 又称品质因素,值越小,说明综合性能越好。,使用时需外接上拉电阻 RL,即 Open collector gate,简称 OC 门。,常用的有集电极开路与非门、三态门、或非门、与或非门和异或门等。它们都是在与非门基础上发展出来的,TTL 与非门的上述特性对这些门电路大多适用。,VC 可以等于 VCC也可不等于 VCC,二、其他功能的 TTL 门电路,(一)集电极开路与非门,1.电路、逻辑符号和工作原理,输入都为高
17、电平时,V2 和 V5 饱和导通,输出为低电平 UOL 0.3 V。输入有低电平时,V2和 V5 截止,输出为高电平 UOH VC。因此具有与非功能。,工作原理,相当于与门作用。因为 Y1、Y2 中有低电平时,Y 为低电平;只有 Y1、Y2 均为高电平时,Y才为高电平,故 Y=Y1 Y2。,2.应用,(1)实现线与,两个或多个 OC 门的输出端直接相连,相当于将这些输出信号相与,称为线与。,只有 OC 门才能实现线与。普通 TTL 门输出端不能并联,否则可能损坏器件。,注意,(2)驱动显示器和继电器等,例 下图为用 OC 门驱动发光二极管 LED 的显示电路。已知 LED 的正向导通压降 UF
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