基于Cadence的电路绘制及前端仿真入门.ppt

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2、设计软件,中国科学技术大学软件学院,Electric-6.08,自由软件VC+源码,中国科学技术大学软件学院,附：晶体管仿真类工具,SPICE模型-Level 0平方定律，主要用于手工计算。-Level 1考虑VT，KP，NSUB的影响。-Level 2基于几何结构的分析模型，考虑了二阶效应：可变电荷，短沟道，亚阈值特性，可变表面迁移率等。-Level 3特点：半经验（Semi-emmpirical）的短沟道模型；适用于0.8m以上的工艺；VT是沟道长度L的函数。-BSIM 3v3特点：用于0.8m以下的工艺；模型可用于模拟和数字设计；考虑了更多的高洁效应；广泛用于学术界和工业生产，是当前工业

3、界的标准。,中国科学技术大学软件学院,NG-SPICE,Linux,中国科学技术大学软件学院,Electronics Workbench(EWB),功能强大，最常用,中国科学技术大学软件学院,Pspice,现为Cadence产品 商业版本,中国科学技术大学软件学院,Winspice,中国科学技术大学软件学院,其他辅助工具,中国科学技术大学软件学院,一个问题,如此多的EDA软件，其设计原理和学习线索是什么？,中国科学技术大学软件学院,Lasi软件结构(VC+WIN32程序),插件（配套工具软件）,绘图区域（loop 进程）,工具按钮（命令接口）,中国科学技术大学软件学院,绘图进程,视图界面,模型

4、,控制器,数据,MFC对话框,工具按钮,文件,存储,读取,消息,数据传递,请求显示,WIN32 LibCommon ctr.,中国科学技术大学软件学院,Cell（基本单元）,.TLC 文件描述XML 格式,中国科学技术大学软件学院,元件数据结构,Cell Data Structure Box Data Structure Path Data StructureVertex Data Structure,中国科学技术大学软件学院,工具按钮,Command 机制点击按钮-赋予动作属性两种方式 text/click,中国科学技术大学软件学院,层结构划分,电路=分布在不同层的box的组合,中国科学技术

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7、入元件 M(Move):移动元件f(full screen)：全屏幕w(wire)：连线p(pin):加管脚q(quality):编辑属性e：进入下一层模块ctrl+e：返回上一层模块:缩小两倍:放大两倍,中国科学技术大学软件学院,电路实现,中国科学技术大学软件学院,CMOS反相器设计实例,建立自己的设计库原理图输入，创建新的Schematic添加元件并编辑属性添加Pin创建反相器的符号图Symbol,中国科学技术大学软件学院,反相器仿真图例,中国科学技术大学软件学院,启动Analogy Design Environment,提示错误显示选项设置,中国科学技术大学软件学院,设置Model Li

8、braries,Typical,中国科学技术大学软件学院,选择分析方式和激励源,中国科学技术大学软件学院,选择观察变量,中国科学技术大学软件学院,观察结果,中国科学技术大学软件学院,实验内容(1)MOS输出特性仿真,在LAB1中新建Cell并命名为MOS_SIM，电路如图所示假设体电压为0，绘制漏-源电压从0V到5V变化、栅-源电压分别为1V、2V、3V、4V、5V时的输出特性曲线族,中国科学技术大学软件学院,实验内容(2)MOS放大器特性仿真,中国科学技术大学软件学院,1）.给出VIN从0V开始到+5V范围中，Vout的输出曲线，获得该电路的直流特性;2）.给出VIN峰值为1V，频率从100Hz到100MHz变化时，Vout/Vin的幅度和相位响应;3）.测量该运放的单位增益带宽和相位裕度。单位增益带宽：幅频响应曲线中，幅度为0dB 时对应的频率w0;相位裕度：180o-相位|w0,执行2)、3)两步时，输出端对地接5pF的电容,中国科学技术大学软件学院,实验报告,完成实验讲义要求各步骤内容，记录结果，给出结果分析，提交至教辅系统，截止时间 3月31日 24:00,Thank You!,