串联谐振电路原理分析.ppt

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1、串联谐振电路原理分析,2006年2月,内容,第一部分 概述；基本工作原理；拓扑第二部分 分析：假定；输入阻抗；电压电流和功率；电压和电流应力分析；第三部分 分析：开路和短路运行；电压传递函数；效率（导通/开通/关断损耗计算）；设计实例和讨论,概述,Class D dc-ac谐振逆变电路1959年由 Baxandall发明应用于：dc-dc变换器，无线发射器，电子镇流器，高频电焊机，等等可分为两类Voltage-source inverter 电压型逆变电路前级由电压源输入Current-source inverter 电流型逆变电路前级由电流源输入,串联谐振逆变（SRI）基本电路,SRI 基本

2、电路,SRI基本电路,SRI基本电路,SRI 基本电路,MOSFET导通电阻rDS=(rDS1+rDS2)/2总寄生电阻r=rDS+rL+rC线路总电阻R=Ri+r=Ri+rDS+rL+rC,工作原理,工作原理,工作原理,共通问题,Ipk=VI/(rDS1+rDS2)假定：VI=200V,rDS1=rDS2=0.5,Ipk=200A,SRI工作原理-ff0,工作于容性负载，输出电流的相位角超前于输出电压导通顺序：Q1 D1 Q2 D2MOSFET零电压关断MOSFET导通时的三种不利情况：相对的MOSFET的反并联二极管的反向恢复MOSFET等效输出电容的放电密勒效应,SRI工作原理-ff0,当电路由D1导通换到Q2导通时，D1的反向恢复特性导致很大的瞬间电流，是稳态电流的数倍（甚至10倍）二极管的电压由-1V升至Vi，电流又很大，造成很大的反向恢复损耗MOSFET寄生三极管的二次击穿，会导致MOSFET在关断时失效,ff0,工作于感性负载，输出电流的相位角滞后于输出电压导通顺序：D1 Q1 D2 Q2MOSFET零电压开通,电压型逆变器拓扑,SRI,PRI,CLL,SPRI,第一部分 结束语,串联谐振电路的历史串联谐振电路的模型串联谐振电路的工作原理工作频率小于谐振频率工作频率大于谐振频率实际使用的拓扑,