《半导体光电子学课件》2.1半导体中量子跃迁的特点.ppt
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第一节 半导体中量子跃迁的特点,半导体中与光有关的量子（电子或空穴）跃迁主要发生在导带与价带之间。1.受激吸收 受激吸收之后出现电子-空穴对 光电导、光探测器原理。,2.自发发射 半导体发光二极管（LED）工作原理。,3.受激发射 半导体激光器（LD）工作原理。,半导体中量子跃迁特点：电子态密度高（N10）量子跃迁速率大 增益系数大 量子效率高，响应速度快（碰撞能量交换时间短）可直接调制2.5GHz 能量转换效率高 可将载流子直接注入有源区气体20，固体5，半导体6070，量子点100。由于不纯和相互作用，选者定则不严格 谱线宽,
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