《光纤通信技术教学资料》第3章第4节.ppt
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1、1,3.4 半导体激光器的输出特性,本节进一步讨论光波系统应用中更直接关注的一些问题:电光转换输出功率(LI)特性 调制特性 噪声特性,3.4.1 L-I 转换输出特性 半导体激光器的基本功能是借助泵浦电流注入有源区,通过电子空穴复合发光。利用速率方程()可以计算激光器的输出光功率与注入电流的关系,即LI特性曲线,由此可得到阈值电流和输出功率。,2,例如,在室温下,阈值电流 Ith=20mA,在注入电流 I=100mA时,从激光器每端面能发射10mW输出功率。温度提高时性能下降,阈值电流随温度按指数增长:,其中,I0是常数;T0是特征温度,代表Ith对温度的灵敏度。对InGaAsP激光器,T0
2、的典型值在50K70K范围内,而对GaAs激光器,T0120K。可见,InGaAsP激光器的性能对温度比较敏感,需用内装热电致冷器控制。工作于1.55m的InGaAsP激光器,一般不能在100以上发光。,3,由A,B两段组成:A段:工作电流小于阈值电流 Ith,属于自发辐射光,光能量很低;B段:工作电流大于阈值电流 Ith 时产生激光输出。对典型的应用,取工作电流为:Ith+20mA,相应的光功率输出被认为是LD的输出功率。图右侧纵坐标为LD的管压降,它与横坐标构成LD的伏安特性。,mA,1.LD的L-I特性,4,(2)LD的管压降:,pn结压降(导通电压),串联电阻压降,在IIth 条件下,
3、LD的管压降接近为常数。从伏安特性可以求出Rs值,通常小于5。,通常:GaAlAs材料,带隙宽,导通电压为1.21.5V;InGaAsP材料,带隙窄,导通电压为0.81V;,5,图3.22展示了一个1.3mBH InGaAsP激光器在10130范围内不同温度时的LI特性曲线,由此可得到阈值电流和输出功率。,2、温度特性,图3.22 1.3m BH激光器的输出功率电流(L-I)特性曲线,6,可见LD的 Ith 对工作温度是十分敏感的,随着工作温度的提高,P-I特性曲线向右移动,这时阈值电流增大,斜率减小,见右图。在进行脉冲调制时,在脉冲持续期内,结温及阈值电流随时间增加,输出功率则随时间减小,结
4、果使脉冲波形失真,顶部衰减,这就是结发热效应。(3-4-1的出光特性动画示意图),7,利用速率方程来讨论LI曲线的特点和激光器的效率。当 IIth 时,光子数 P 随 I 线性增加,(),为光子寿命,激光器辐射功率与光子数的关系为,(),式中,vgmir 代表能量为的光子从两端辐射的速率、p为光子数。通过以上公式,可以求得辐射功率和激光器输出效率。,8,LD的输出光功率,(),式中:I为注入电流;int 为内量子效率,测试表明,室温下其值为0.60.7;,为非全反射端面引起的透射损耗。,为谐振腔内总损耗;,9,外量子效率(总效率)在阈值电流Ith以上,LD的输出功率与注入电流近似成线性,其外量
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