项目实用助听器的制作.ppt
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1、项目2 实用助听器的制作,任务1 晶体三极管的认识与选择任务2 三极管基本放大电路的认识任务3 多级放大电路的认识任务4 功率放大电路的分析及其应用,图2.1为一个语音放大电路的原理框图,该电路能将微弱的声音信号放大,并通过扬声器发出悦耳的声音,稍加改动还可作助听器使用。,微型话筒(或传声器),四级三极管放大,扬声器(或耳机),该电路的核心是三极管,主要功能是电信号的放大。,图2.1 语音放大助听电路(框图),项目剖析,本项目需要完成以下四个任务:,项目2 实用助听器的制作,任务1 晶体三极管的认识与选择任务2 三极管基本放大电路的认识任务3 多级放大电路的分析 任务4 功率放大电路的分析及其
2、应用,2.1.1 三极管的认识 晶体三极管是由两个PN结构成的三端半导体器件,简称为三极管或晶体管。1.三极管的结构、符号及其类型,任务1 晶体三极管的认识与选择,图2.2 常见的三极管实物照片(a)塑封三极管(b)大功率三极管(c)金属封装三极管(d)一般功率三极管(e)贴片三极管【想一想】三极管是如何制成的呢?,在一块半导体基片上经过特殊的工艺制成两个互为反向的PN结,并从相应区域引出三个电极,分别称为基极B,发射极E和集电极C。其中基极和发射极之间的PN结称为发射结,基极和集电极之间的PN结称为集电结。根据中间的公共区域是P区还是N区,三极管的管型又可分为NPN型和PNP型两大类。三极管
3、的结构、符号、管型及B、E、C各电极排列如图2.3所示。三极管的文字符号在国际标准中用VT表示。,任务1 晶体三极管的认识与选择,三区、三极、二结,【注意】三极管的三个区是有区别的:一般基区做得很薄(仅有1m几十m厚)、发射区多子浓度很高、集电结截面积大于发射结截面积。三极管有硅管和锗管之分,这是根据制作的基片材料来划分的,目前生产和使用的多为硅管。2.三极管的电流分配和放大作用分析 三极管能够控制能量的转换,将输入的任何微小变化不失真地放大输出。三极管只能对变化量进行放大,放大是模拟电路的最基本的功能。,任务1 晶体三极管的认识与选择,表2.1 三极管各极电流实验数据,任务1 晶体三极管的认
4、识与选择,图2.4 共射放大测试电路,【想一想】为什么三极管具有电信号的放大作用呢?(1)三极管的电流分配关系 先做一下如图2.4所示的实验。,UCCUBB,三个电流之间的关系符合基尔霍夫电流定律:且IC IB(IC IE)。IC与IB的比值称为三极管的直流电流放大系数,即 或 IC随IB的微小变化而产生较大变化。例如:IB由40A增加到50A时,IC从3.2 m A增加到4 m A,则 式中 为三极管交流电流放大系数,工程中 常表示为hfe。三极管的这种以小电流变量控制大电流变量的作用就是它的交流电流放大作用,因此,三极管为电流控制器件。【重要结论】发射极电流IE最大,集电极电流IC次之,基
5、极电流IB最小。但IB控制着IC的变化,二者总成一定的比例关系。,任务1 晶体三极管的认识与选择,发射区向基区发射电子形成IE;基区中电子的复合形成IB;集电区收集电子形成IC。图中的ICBO为集电区少子空穴流向基区形成的饱和电流,其值很小(可略去),但对温度很敏感。【重要结论】三极管导通放大的条件发射结正偏,集电结反偏。对于NPN管三个极电压应满足:UCUBUE,对于PNP管为UEUBUC。,任务1 晶体三极管的认识与选择,图2.5 三极管内部载流子运动,(2)三极管内部载流子的运动,由于三极管内部有两种载流子参与导电,故三极管也称为双极型晶体管。,图2.6 三极管输入伏安特性曲线(硅管),
6、任务1 晶体三极管的认识与选择,3.三极管伏安特性的认识 三极管的伏安特性曲线是指三极管各电极的电流与电压之间的关系,它反映出三极管的性能,是分析放大电路的重要依据。(1)三极管的输入伏安特性(IB=f(UBE)三极管的输入伏安特性是非线性的,并且和二极管一样也存在着死区电压,硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1V。三极管正常导通工作于放大区时,发射结压降UBE变化不大,硅管约为0.7V左右,锗管约为0.3V左右。,截止区。截止区的电压条件是:发射结反偏,集电结也反偏。放大区。恒流特性:当IB一定时,IC值基本不随UCE的变化而变化。电流放大:。放大区的电压条件是:发射结正偏,
7、集电结反偏。饱和区。在这个区域里,IC与IB已不成放大的比例关系。饱和区的电压条件是:发射结正偏,集电结也正偏。饱和压降UCES很低(一般硅管约为0.3V,锗管约为0.1V),相当于一个开关的接通。,任务1 晶体三极管的认识与选择,(2)三极管的输出伏安特性(IC=f(UCE),图2.7 三极管输出特性曲线,【例2.1】某三极管的伏安特性见图2.7所示,试分别求出该三极管的直流电流放大系数和交流电流放大系数。【解】由图2.7可见每条曲线的IB值与IC值都是一一对应的。以IB=40A为例,则 而 是电流的变化量之比,以任意两条曲线为例,如IB从40A变化到80A,则有 可见,这绝不是巧合,而是通
8、过实际测试得出的结论。,任务1 晶体三极管的认识与选择,1.三极管的主要参数(1)直流参数 集电极-基极反向饱和电流ICBO:图2.8(a)为该参数的测试电路。集电极-发射极反向电流ICEO(穿透电流):ICEO大约是ICBO的倍,ICBO和ICEO受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定。图2-8(b)为该参数的测试电路。,任务1 晶体三极管的认识与选择,2.1.2 三极管的主要参数、型号及其选用,图2.8 极间反向电流的测量(a)测量ICBO的电路(b)测量ICEO的电路,(2)交流参数 交流电流放大系数(或hfe):一般晶体管的大约在10200之间。如果太小
9、,电流放大作用差;如果太大,性能往往不稳定。共基极交流放大系数(或hfb):=Ic/Ie(2-3)(3)极限参数 集电极最大允许电流ICM:当集电极电流IC增加到某一数值,引起值下降到正常值2/3时的IC值称为ICM。当IC超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但值显著下降,影响放大质量。,任务1 晶体三极管的认识与选择,图2.9 ICM与的关系图,集电极-发射极反向击穿电压U(BR)CEO:如果UCE U(BR)CEO,管子就会被击穿,从而损坏三极管。集电极最大允许耗散功率PCM:管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。使用时应使实际的耗散功率 PC PCM。由此
10、可以在三极管的输出伏安特性上画出一个允许管耗线,如图2.10所示。,任务1 晶体三极管的认识与选择,图2.10 三极管的安全工作区,【注意】PCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM,所以在使用大功率三极管时一般要加散热片。(4)温度对三极管参数的影响 对发射结电压UBE的影响:温度升高,UBE将会下降。对穿透电流ICEO的影响:温度升高,ICEO将会增加,反之ICEO将下降。对电流放大系数的影响:随温度升高而增大。综上所述,温度的变化最终都导致三极管集电极电流发生变化。2.三极管的型号和分类 国产三极管一般按用途分类,如表2.2所示,也可参见附录A。表2.2 常用三极管的种类,任务1 晶体
11、三极管的认识与选择,任务1 晶体三极管的认识与选择,3.三极管的选用与代换注意事项(1)三极管的选用 温度变化较大的环境,要优先选择硅三极管;当电源电压很低,要优先选择锗三极管。当用于一般放大电路时,应选反向电流小且值不太高的三极管。(2)三极管的代换原则 新换的三极管极限参数应等于或大于原三极管;性能好的可代换性能差的三极管。性能相同的国产管与进口管可相互代换。硅管和锗管可以相互代换但导电类型要相同。高频三极管可代换低频三极管;开关管可代换普通管。,任务1 晶体三极管的认识与选择,实训 三极管的识别与检测 1.训练目的 掌握用万用表判别三极管管脚、管型和好坏的方法。2.设备与器件 万用表1块
12、;3DG6、3AX31三极管各1只;质差的三极管若干只。3.原理与测试方法(1)三极管的识别目测法,图2.11 常用三极管管脚位置,任务1 晶体三极管的认识与选择,(2)三极管的万用表测试法 判断基极B和管型 将万用表欧姆挡置于R100或R1k挡。假设某极为“基极”,先将黑表笔接在该极上,再将红表笔接到其余的两个电极上,如图2.12(a)所示。若表针均偏转,则黑表笔接的电极为B极,同时可判断出该管为NPN型;反之,将表笔对调(红表笔任接一极),重复以上操作,则也可确定B极,管型为PNP型,如图2.12(b)所示。,图2.12 三极管基极和管型的判别(a)NPN型三极管的判别(b)PNP型三极管
13、的判别,正偏,任务1 晶体三极管的认识与选择,三极管好坏的判断 换一只三极管,重复以上操作,若无电极满足上述现象,说明此管已坏。【想一想】如何用万用表的直流hFE参数档 检测三极管的质量好坏?判断集电极C和发射极E 用手捏住B和C极(但不可使B和C极短接),通过人体,相当于在B和C之间接入一个偏置电阻Rm。,图2.13 利用手指判断C、E极,任务1 晶体三极管的认识与选择,任务拓展 场效应晶体管介绍 场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件。场效应管分结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)两大类。每一类又有N沟道和P沟道之分,在MOSFET中又分耗尽型与增强
14、型两种。1.结型场效应管(1)JFET内部结构与电路符号,图2.14 结型场效应管(a)N沟道管结构示意图;(b)N沟道管符号;(c)P沟道管符号,任务1 晶体三极管的认识与选择,(2)JFET的工作原理,图2.15 栅源电压UGS大小对导电沟道的影响(a)UGS=0 沟道最宽(b)UGS0 沟道变窄(c)UGS=UGS(OFF)沟道夹断,JFET工作特点是:正常工作时两个PN结必须反向偏压,几乎无栅极电流,输入电阻很高可达 以上。靠改变电压UGS达到控制漏极电流作用的,因此称JFET是电压控制器件。ID只由单一的多数载流子构成的,因此JFET是单极型器件。,【说明】UGS(OFF)称为栅源夹
15、断电压。,任务1 晶体三极管的认识与选择,(3)JFET的伏安特性曲线:包括两种。输出特性曲线():可分成三个工作区。转移特性曲线():可从输出特性曲线转化过来,成立条件为,图2.16 N沟道JFET的输出特性曲线 图2.17 N沟道JFET的转移特性,任务1 晶体三极管的认识与选择,2.绝缘栅场效应管 目前广泛应用的是在金属栅极与半导体材料之间加SiO2绝缘层,即金属-氧化物-半导体管,简称MOSFET或MOS管。它同JFET相比具有以下特点:输入电阻高,可达;便于大规模集成化。,(1)N沟道增强型MOS管,图2.18 N沟道增强型MOS管的结构和符号(a)N沟道的结构示意图(b)N沟道符号
16、(c)P沟道符号,任务1 晶体三极管的认识与选择,工作原理:N沟道增强型MOS管测试电路如图2.19所示。,图2.19 增强型MOS管电路,所谓增强型是指UGS=0时没有漏极电流,当UGS逐渐增大并超过一定数值(即开启电压UGS(th)时才有漏极电流。场效应管利用加在栅极和源极之间的电压UGS来改变半导体内的电场强度,从而控制漏极电流的有无和大小,这正是场效应管名称的由来。,【注意】在栅极里并没有栅极电流,因为栅极和源极、漏极之间都是绝缘的。,栅极无电流,测漏极电流,任务1 晶体三极管的认识与选择,伏安特性曲线,图2.20 N沟道增强型MOS管特性(a)转移特性(b)输出特性,任务1 晶体三极
17、管的认识与选择,(2)N沟道耗尽型MOS管 与增强型不同的是,耗尽型MOS管在制造时已在绝缘层中掺入大量正离子。由此所产生的纵向电场作用,即使在uGS=0时也建立了N型导电沟道,此时只要uDS0,就有iD产生。,uGS=0时就存在导电沟道的FET叫耗尽型管,uGS为某一个值时才产生导电沟道称增强型管,显然JFET均是耗尽型管。,图2.21 N沟道耗尽型MOS管(a)N沟道耗尽型管结构;(b)N沟道耗尽型管符号,任务1 晶体三极管的认识与选择,N沟道耗尽型管伏安特性曲线。,N沟道耗尽型管在uGS0和小于0时均可工作,但uGSuGS(off)时导电沟道消失iD0。,3.场效应管与三极管的区别(1)
18、场效应管是电压控制器件,几乎不用信号源电流;三极管是电流控制器件,需要向信号源索取一定的电流。(2)场效应管的输入电阻极高,可代替大电阻做负载(因为在集成电路中制造一个高阻值电阻很困难);三极管的输入电阻则较小,所以场效应管更易于大规模集成化。(3)场效应管的噪声比三极管小的多,可用于高灵敏接收装置的前级;场效应管的热稳定性优于三极管。,任务1 晶体三极管的认识与选择,小结:场效应管分类,场效应管FET,绝缘栅型MOSFET,结型JFET,场效应管特点 场效应管是单极型器件(一种载流子导电);工艺简单、易集成、功耗小、成本低。,任务2 三极管基本放大电路的认识,2.2.1 放大电路预备知识 1
19、.放大的概念 所谓放大,表面看来是将信号的幅度由小增大,但在电子技术中,放大的本质首先是实现能量的控制。这种小能量对大能量的控制作用就是放大作用。放大电路中必须存在能够控制能量的元件,即有源元件,如晶体管和场效应管。,放大必须满足的前提:(1)放大对象是变化量;(2)放大后不能产生失真。,从话筒得到的信号很微弱,必须经过放大才能驱动喇叭发出声音。,任务2 三极管基本放大电路的认识,2.三极管放大电路的三种组态,【注意】无论上面的哪一种组态,要使三极管具有放大作用,都必须保证三极管工作在放大区,即满足发射结正偏,集电结反偏。,射极接地,集电极接地,基极接地,任务2 三极管基本放大电路的认识,2.
20、2.2 固定偏置式共发射极放大电路的认识 1.组成及原理(1)电路组成,各元件的作用VT:有源元件,放大。UCC:提供静态工作点及放大所需的能源。RB:决定静态电流IB。RC:将集电极电流变化转换成输出电压uo的变化。C1、C2:通交流,隔直流。,输入回路与输出回路以发射极为公共端,所以称之为共射放大电路,并称公共端为“地”。,任务2 三极管基本放大电路的认识,放大电路中存在以下4种不同的分量,以基极电流为例:,直流分量:,用大写字母带大写下标表示,简称“大大写”,如IB。,交流分量:,用小写字母带小写下标表示,简称“小小写”,如ib。,交直流叠加量(总量):,用小写字母带大写下标表示,简称“
21、小大写”,如iB=IB+ib,这表示基极实际上的总电流。,交流量有效值:,用大写字母带小写下标表示,简称“大小写”,如Ib。,直流电流,交流电流瞬时值,基极中的实际总电流是由直流量和交流量叠加而成的,任务2 三极管基本放大电路的认识,(2)放大器基本工作原理 三极管各极的电流和电压波形及其分解如图2.27所示。,图2.27 共射放大器的工作原理图解(a)放大电路测试图(b)各极电压电流波形图,交流信号源,示波器,任务2 三极管基本放大电路的认识,2.放大电路的基本分析方法 放大器的分析包括静态分析和动态分析两个方面,如下表所示。,1)静态分析由放大电路的直流通路确定Q点(1)直流通路,画直流通
22、路时,将耦合电容看成开路,电感看成短路,其它元件不变。,静态工作点(也叫Q点)是指放大器中三极管各极的静态电压和电流值,即IB、UBE、IC、UCE。,【问题的提出】放大电路为什么有直流、交流两个不同的路径呢?,任务2 三极管基本放大电路的认识,(2)Q点的计算(公式法):可根据直流通路求得。,共射放大电路 直流通路,对硅三极管UBEQ取0.7V,对锗三极管UBEQ取0.3V。在计算时,若电路的电源电压UCC远大于UBEQ时,UBEQ可略去。,任务2 三极管基本放大电路的认识,【例2.2】已知在图2.25中,UCC=12V,RC=3k,Rb=300k,三极管型号为3DG6,=50。求:放大电路
23、的Q点;若Rb=30k,再计算Q点,并说明此时三极管工作于何种状态?,【解】首先画出直流通路,根据Q点的计算公式,则有,结论:显然这个假设是错误的,因为UCEQ不可能为负值。实际情况是:当Rb减小后,基极电位升高,导致发射结正偏,集电结也正偏,此时三极管已经进入饱和状态,公式 已不再适用了。,当Rb=30k时,,假设三极管仍工作于放大状态,则可得:,任务2 三极管基本放大电路的认识,(3)图解分析法 所谓图解法,就是利用作图的方法来确定Q点的位置,以判断Q点的设置是否合理,从而确定三极管是否工作在放大区。,【问题的提出】公式法只是计算了Q点的数值大小,并不能解释Q点的真正意义。Q点之所以称为一
24、个“点”,那么如何确定它的位置呢?这就需要通过图解法才能作出正确的解释。,将直流通路变换成输出回路的形式,如图2.29所示。,输出回路方程式:uCE=UCC-icRC,图2.29 共射放大电路的输出回路等效,直流负载线,任务2 三极管基本放大电路的认识,直流负载线的画法:,令ic=0,则uCE=+UCC,即为该直线与横轴的交点;令uCE=0,则ic=UCC/RC,即为该直线与纵轴的交点。,Q,ICQ,UCEQ,读出Q点所对应的坐标值,就是静态工作点中的ICQ和UCEQ值。,任务2 三极管基本放大电路的认识,【例2.3】已知共射放大电路参数与前【例2.2】完全相同,试用图解法确定放大电路的Q点。
25、【解】,确定纵轴上的点为:UCC/RC=12/3=4mA,确定横轴上的点为:UCC=12V,连接这两点即画出直流负载线。因为ICQ=2 mA为纵轴的中点,从而可以确定Q点正好处于直流负载线的中点位置,这样就可以求出Q点的横坐标UCEQ=6V(UCC的一半),所以通过图解法确定Q点坐标为(2,6)。,结论:此例的结论与前例完全一致,由图解法可直观地确定Q点的位置。,任务2 三极管基本放大电路的认识,(4)放大器输出失真现象【问题的提出】利用图解法可以确定Q点的位置,而Q点位置在哪最合理?Q点的作用又是什么呢?,所谓失真,是指放大电路的输出波形与输入波形不成比例关系,产生失真主要的原因是放大电路的
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