有关有机半导体器件的电学性能研究与探讨.ppt

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1、有关有机半导体器件的电学性能研究与探讨,来源于论文在线网2009-7-29发表的，作者不详,摘要,随着科技和经济的发展，半导体器件在当今的生活中应用越来越广泛，本文主要讲解有机半导体器件的电学性能。该文主要从有机半导体同无机半导体的发展历程及其其概念导入，其次在分析有机半导体的优劣点，解说有机半导体的场效应现象，最后以纳米ZnO线(棒)的试验解说其电学性质,一、从有机半导体到无机半导体的探索,1有机半导体的概念及其研究历程 2有机半导体同无机半导体的区别及其优点 3有机半导体材料分类,1有机半导体的概念及其研究历程,什么叫有机半导体呢?半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类材料，这类材

2、料具有独特的功能特性。以硅、锗、砷化嫁、氮化嫁等为代表的半导体材料已经广泛应用于电子元件、高密度信息存储、光电器件等领域。随着人们对物质世界认识的逐步深入，一批具有半导体特性的有机功能材料被开发出来了，并且正尝试应用于传统半导体材料的领域。在1574年，人们就开始了半导体器件的研究。然而，一直到1947年朗讯(Lueent)科技公司所属贝尔实验室的一个研究小组发明了双极晶体管后，半导体器件物理的研究才有了根本性的突破，从此拉开了人类社会步入电子时代的序幕。在发明晶体管之后，随着硅平面工艺的进步和集成电路的发明，从小规模、中规模集成电路到大规模、超大规模集成电路不断发展，出现了今天这样的以微电子

3、技术为基础的电子信息技术与产业，所以晶体管及其相关的半导体器件成了当今全球市场份额最大的电子工业基础。，半导体在当今社会拥着卓越的地位，而无机半导体又是是半导体家族的重中之重。,.2有机半导体同无机半导体的区别及其优点,与无机半导体相比，有机半导体具有一定的自身独特性，表现在：(l)、有机半导体的成膜技术更多、更新，如真空蒸镀，溶液甩膜，Langmtrir一Blodgett(LB)技术，分子自组装技术，从而使制作工艺简单、多样、成本低。利用有机薄膜大规模制备技术，可以制备大面积的器件。(2)、器件的尺寸能做得更小(分子尺度)，集成度更高。分子尺度的减小和集成度的提高意味着操作功率的减小以及运算

4、速度的提高。(3)、以有机聚合物制成的场效应器件，其电性能可通过对有机分子结构进行适当的修饰(在分子链上接上或截去适当的原子和基团)而得到满意的结果。同时，通过化学或电化学掺杂，有机聚合物的电导率能够在绝缘体(电阻率一10一Qcm)到良导体这样一个很宽的范围内变动。因此，通过掺杂或修饰技术，可以获得理想的导电聚合物。,(4)、有机物易于获得，有机场效应器件的制作工艺也更为简单，它并不要求严格地控制气氛条件和苛刻的纯度要求，因而能有效地降低器件的成本。(5)、全部由有机材料制备的所谓“全有机”的场效应器件呈现出非常好的柔韧性，而且质量轻。(6)通过对有机分子结构进行适当的修饰，可以得到不同性能的

5、材料，因此通过对有机半导体材料进行改性就能够使器件的电学性能达到理想的结果。,3有机半导体材料分类,有机半导体层是有机半导体器件中最重要的功能层，对于器件的性能起主导作用。所以，有机半导体器件对所用有机半导体材料有两点要求:(l)、高迁移率；(2)、低本征电导率。高的迁移率是为了保证器件的开关速度，低的本征电导率是为了尽可能地降低器件的漏电流，从而提高器件的开关比。用作有机半导体器件的有机半导体材料按不同的化学和物理性质主要分为三类:一是高分子聚合物，如烷基取代的聚噬吩;二是低聚物，如咪嗯齐聚物和噬吩齐聚物;三是有机小分子化合物，如并苯类，C6。，金属酞著化合物，蔡，花，电荷转移盐等。,二、制

6、作有机半导体器件的常用技术,有机半导体性能的好坏多数决定于半导体制作过程因此实验制备技术就显得尤为重要。下面将对一些人们常用器件制备的实验技术做简要的介绍：(1)、真空技术。它是目前制备有机半导体器件最普遍采用的方法之一，主要包括真空镀膜、溅射和有机分子束外延生长(OMBE)技术。(2)、溶液处理成膜技术。它被认为是制备有机半导体器件最有发展潜力的技术，适用于可溶性的有机半导体材料。常用的溶液处理成膜技术主要包括电化学沉积技术、甩膜技术、铸膜技术、预聚物转化技术、分子自组装技术、印刷技术等。,三、有机半导体器件的场效应现象,为了便于说明有机半导体器件的场效应现象，本文结合有机极性材料制作有机半

7、导体器件对薄膜态有机场效应进行分析。试验中，将有机极性材料经过真空热蒸镀提纯之后溶在DMF溶液中，浓度是20Omg/ml，使用超声波清洗机促进它们充分并且均匀的溶解，经过真空系统中沉积黄金薄膜作为器件的源极和漏极。在类似条件下，在玻璃衬底上制作了极性材料的薄膜形态晶粒，研究发现：在有机极性材料形态，有块状、树枝状和针状。不同的薄膜态形态，在不同栅极电压VG的作用下有不同的I ds(流过器件的源极和漏极的电流)一Vds(加在器件的源极和漏极之间的电压)曲线。1、块状形貌结构的薄膜态有机器件的I ds Vds(性能曲线，变化范围是从150V到15OV、栅极电压的变化范围是从200V到200V。当栅

8、极电压 Vg以100V的间隔从200V变化到200V时，I ds随着Vds 的增加而增加，此时没有场效应现象。,三、有机半导体器件的场效应现象,2、针状形貌结构的薄膜态有机器件的 I ds Vds 性能曲线，当Vds 从75V增加到75V，栅极电压VG的变化范围是一200V20OV，递增幅度是5OV。此时器件具有三种性能规律:(1)在固定的栅极电压 Vg下，当 从Vds 75V增加到75V时，电流 I ds 也随之增加;(2)在固定的外加电压Vds 下，当栅极电压Vg 从2O0V增加到2OOV时，电流 I ds也随之增加;(3)如果没有对器件施加Vds 电压，只要栅极电压Vds 存在，就会产生

9、I ds 电流，产生电池效应。通过上述的解说我们对有机半导体器件的电学性能已有一定的了解。下面我们即将通过试验来理解。,、四、有机半导体的光电性能探讨以纳米ZnO线(棒)的光电性能研究为例 近年来，纳米硅的研究引起了社会的广泛的关注，本文中我们将采用场发射系统，测试利用水热法制备的硅基阵列化氧化锌纳米丝的场发射性能。图11是直径为30和100 nm两个氧化锌阵列的场发射性能图,其中图11a和b分别是上述两个样品的I_V图和F_N图。从图11a中可以看出氧化锌纳米丝的直径对场发射性能有很大的影响,直径为30 nm的氧化锌阵列的开启场强为2 V/m门槛场强为5 V/m;而直径为100 nm的氧化锌

10、阵列的开启场强为3 V/m,门槛场强大于7 V/m。并且从图11b中可以知道,ln(J/E2)和1/E的关系近似成线性关系,可知阴极的电子发射与F_N模型吻合很好,表明其发射为场发射,其性能比文献报道的用热蒸发制备的阵列化氧化锌的场发射性能要好25。这主要是由于氧化锌的二次生长,导致所得氧化锌阵列由上下两层组成,具有较高的密度以及较小的直径,在电场的作用下,更多的电子更容易从尖端的氧化锌纳米丝发射,从而降低了它们的开启场强和门槛场强。,我们测试了硅基阵列化纳米ZnO的光致荧光谱,如图12所示。从图中可知,600 700和300400下热蒸发合成的阵列化ZnO纳米丝的峰位分别在393 nm(虚线)及396nm(实线)。PL谱上强烈的紫外光的峰证明:合成的ZnO纳米丝有较好的结晶性能和较少的氧空位缺陷。由于在高温区合成的纳米丝有较细的尖端,故有少量蓝移。通过上述针对纳米ZnO线(棒)的试验，我们能对硅基一维纳米的电学性能进行了初步的探讨。相信这些工作将为今后的硅基一维纳米材料在光电方面的应用提供一个良好的基础。,谢谢大家的听讲！,