集成电路技术集成电路技术综合练习试卷(练习题库)(2023版).docx
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1、集成电路技术集成电路技术综合练习试卷(练习题库)1、 什么叫半导体集成电路?2、 按照半导体集成电路的集成度来分,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文缩写。3、 按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类?4、 按电路功能或信号类型分,半导体集成电路分为哪几类?5、 什么是特征尺寸?它对集成电路工艺有何影响?6、 简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。7、 在制作晶体管的时候,衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是?8、 简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。9、 简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。10、 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足?11、以N阱CMOS
2、工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。12、 简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略?13、 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应?14、 什么是MOS晶体管的有源寄生效应?15、 什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响?16、 如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应?17、 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应?18、 双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪 些?19、 集成电路中常用的电容有哪些?20、 为什么基区薄层电阻需要修正?21、 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线?22、 电压传输特性23、 开门电
3、平24、 关门电平25、 逻辑摆幅26、 静态功耗27、 在四管标准与非门中,那个管子会对瞬态特性影响最大,并分析原因以 及带来那些困难。28、 两管与非门有哪些缺点,四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在 那些地方做了改善,并分析改善部分是如何29、 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善,分析改进部 分是如何工作的?30、 四管与非门中,如果高电平过低,低电平过高,分析其原因,如与改善 方法,请说出你的想法。31、 为什么TTL与非门不能直接并联。32、OC门在结构上作了什么改进,它为什么不会出现TTL与非门并联的问题?33、 什么是器件的亚阈值特性,对器件有什么影响?34、
4、 MOS晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?35、 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈 值电压和漏源电流的影响。36、 什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?37、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?38、 采用MOSFET作为nM0S反相器的负载器件有哪些优点?39、 耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处?40、 举例说明什么是有比反相器和无比反相器。41、 简述CMOS静态逻辑门功耗的构成。42、 降低电路的功耗有哪些方法?43、 简述动态组合逻辑电路中存在的常见的三种问题,以及
5、他们产生的原因 和解决的方法。44、 解释静态存储和动态存储的区别和优缺点比较。45、 阐述静态存储和动态存储的不同的的存储方法。46、 哪一年在哪儿发明了晶体管?发明人哪一年获得了诺贝尔奖?47、 世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的?发明人哪一年为此 获得诺贝尔奖?48、 什么是晶圆?晶圆的材料是什么?49、 目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少?预计2023年能实现量产的特征尺寸是多少?50、 晶圆的度量单位是什么?当前主流晶圆的尺寸是多少?51、 摩尔是哪个公司的创始人?什么是摩尔定律?52、 什么是SoC?英文全拼是什么?53、 一套掩模一般只能生产多少个晶圆?54、 什
6、么是有生产线集成电路设计?55、 什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式?56、 什么是集成电路的无生产线(FableSS)设计模式?57、 一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容?58、 设计单位拿到PDK文件后要做什么工作?59、 什么叫“流片”?60、 什么叫多项目晶圆(MPW) ? MPW英文全拼是什么?61、 集成电路设计需要哪些知识范围?62、 对于通信和信息学科,所包括的系统有哪些?63、 RFIC MMIC 和 M3IC 是何含义?64、 著名的集成电路分析程序是什么?有哪些著名公司开发了集成电路设计工具?65、 从事逻辑电路级设计和晶体管级电路设计需要掌握哪些工具?66、
7、为了使得IC设计成功率高,设计者应该掌握哪些主要工艺特征?67、 SSK MSK LSI、VLSI、ULSl的中文含义是什么?英文全拼是什么?68、 电子系统特别是微电子系统应用的材料有哪几类?69、 集成电路制造常用的半导体材料有哪些?70、 为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用?71、 半导体材料得到广泛应用的原因是什么?72、 Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中,电子迁移率最高的是哪种?最 低的是哪种?73、 O. 13UmCMOS工艺制成的CPU运行速度已达多少?74、 硅基最先进的工艺线晶圆直径已达到多少?75、 为什么市场上90%的IC产品都是基于Si工艺的?
8、76、 与Si材料相比,GaAS具有哪些优点?77、 基于GaAs的集成电路中有哪几种有源器件?78、 为什么说InP适合做发光器件和OEIC?79、 IC系统中常用的几种绝缘材料是什么?80、 什么是欧姆接触和肖特基接触?81、 多晶硅的特点是什么?82、 在MOS及双极型器件中,多晶硅可用来做什么?83、 什么是材料系统?84、 半导体材料系统?85、 异质半导体材料的主要应用有哪些?86、 什么是半导体/绝缘体材料系统?87、 晶体和非晶体的区别?88、 什么是共价键结构?89、 什么是本征半导体和杂质半导体?90、 本征半导体有何特点?91、 杂质半导体中,多子和少子是如何形成的?92
9、、 什么是扩散运动?什么是漂移运动?93、 PN结的主要特点是什么?94、 双极型三极管三个区有什么不同?95、 双极型三极管有几种工作状态?每个状态PN结偏置情况如何?96、 在放大状态下,三极管内部载流子传输过程是怎样进行的?97、 为什么晶体管的反向工作状态一般不用,尤其是在集成电路中更是如此?98、 MOS管的核心结构是什么?99、 根据形成导电沟道载流子类型的不同,MOS管有几种类型?100、 简述PMOS管的具体结构。IOk 简述MOS管的导电沟道是如何形成的。102、 什么叫阈值电压?阈值电压是否可变?阈值电压为负时称为什么电压?103、 对NMOS晶体管,注入何种杂质使阈值电压
10、增加或降低?104、 根据阈值电压不同,常把MOS器件分为几种?105、 在CMOS电路里,MOS管一般采用何种类型?106、 为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件?107、MoS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外,还与哪些因素有关?108、 一个MOS管的正常导电特性可分为几个区域?109、 用什么参数衡量MOS器件的增益?110、 外延生长的目的是什么?111、 外延生长的方法有哪几种?112、 什么是卤素传递生长法?它属于4种生长方法中的哪一种?113、 液态生长有什么优缺点?114、 金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么?115、 分子束外延生长有什么特
11、点?116、 什么是掩模?掩模与集成电路制造有什么关系?制做掩模的数据从哪儿来?117、 什么是整版接触式曝光?118、 光刻的作用是什么?119、 什么是光刻?光刻的主要流程有哪些?120、 负性和正性光刻胶有什么区别和特点?121、 光刻的曝光方式有几种?各有何特点?122、 接触曝光方式的关键技术有哪些?它的主要优缺点是什么?123、 什么是非接触曝光方式?124、 氧化的目的是什么?125、 为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序?126、 淀积的主要作用是什么?127、 什么是湿法刻蚀?128、 湿法刻蚀有什么缺点?129、 什么是刻蚀?130、 什么是干法刻蚀?干法有几种刻蚀方
12、法?131、 掺杂的目的是什么?掺杂在何时进行?惨杂方法有哪几种?132、 离子注入法有哪些优点?133、 说明用硅材料采用CMOS工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模?134、 集成电路特别是逻辑集成电路技术的类型有哪些?135、 为什么说速度和功耗是每一种工艺两个最重要的特性?136、 在各种工艺中,哪种工艺的速度最高?哪种工艺的功耗最小?137、 双极型硅工艺的特点是什么?有哪些主要应用?138、 典型双极型硅工艺中的硅晶体管存在哪些问题?139、 双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素?140、 超高频Si双极型晶体管的截止频率fT已达多少?141、 什么是异质结?按照两种材
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