《霍尔传感器》PPT课件.ppt
《《霍尔传感器》PPT课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《《霍尔传感器》PPT课件.ppt(61页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、2023/8/3,1,第5章 霍尔传感器,本章主要学习霍尔传感器 的工作原理、霍尔元件的主要技术指标、霍尔集成电路的特性、霍尔传感器在检测技术中的应用。,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,5.2 霍尔元件的主要技术指标,5.3 霍尔传感器集成电路,5.4 霍尔传感器的应用,霍尔元件,2023/8/3,2,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,5.1.1 霍尔效应:霍尔发现,如果对位于磁场(B)中的导体施加一个电压(V),该磁场的方向垂直于所施加电压的方向,那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(EH),人们将这个电压叫做霍尔电压,产生这种现象被称为霍尔效应。,2023/
2、8/3,3,当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片C、D方向的端面之间建立起霍尔电势EH。,C,A,B,霍尔效应演示,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,D,2023/8/3,4,5.1.2 霍尔传感器原理:,产生霍尔效应原因是根据电磁感应定律,电子在磁场中以速度v运动时,受到洛伦兹力fL;fL与电子的电菏量e、运动速度v及磁场强度B成正比;fL=evB;电荷在fL的作用下向一侧偏移,在半导体薄片C、D端面间形成感应电动势EH.,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,2023/8/3,5,5.1.2 霍尔传感器原理:,感应电动势EH在半导体膜片上形成一电场,根据电磁感应
3、定律,电荷在电场中要受到电场力fE,fE 与电荷电量的多少、EH大小及两电极间距有关。fE=e EH/b,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,2023/8/3,6,5.1.2 霍尔传感器原理:,随着感应电动势EH的增加,fE不断增加,最终fL与fE半达到某一平衡值,即:fL+fE=0 设通过半导体的电流I为:I=-envbd,5.1 霍尔元件的结构及工作原理(视频),(n为单位体积的载流子数量),EH=IB/end=SHIB,SH灵敏度系数,2023/8/3,7,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,5.1.3 霍尔元件材料:,霍尔元件是一种四端元件,因:EH=IB/end,1锗(Ge),N型及P型
4、均可。2硅(Si)N型及P型均可。3砷化铟(InAs)和锑化铟(InSb),这两种材料的特性很相似。,霍尔元件材料为什么必须用半导体材料?用金属材料可以么?,霍尔元件材料为什么必须用薄片?用厚片可以么?,2023/8/3,8,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,5.1.3 霍尔元件材料:,霍尔元件,2023/8/3,9,磁感应强度B较大时的情况,作用在半导体薄片上的磁场强度B越强,霍尔电势也就越高。EH=SH IB,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,5.1.4、影响霍尔电动势的因素,2023/8/3,10,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,磁感应强度B为零时的情况,C,D,A,B,磁感应强度B较
5、小时的情况,作用在半导体薄片上的磁场强度B越小,霍尔电势也就越低。EH=SHIB,2023/8/3,11,若磁感应强度B不垂直于霍尔元件,而是与其法线成某一角度 时,实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向(与薄片垂直的方向)的分量,即Bcos,这时的霍尔电势为:,结论:霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比,且当B的方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场,则霍尔电势为同频率的交变电势。,EH=SHIBcos,5.1 霍尔元件的结构及工作原理,5.1.4、影响霍尔电动势的因素,2023/8/3,12,5.2 霍尔元件的主要技术指标,5.2.1 最大磁感应强
6、度BM,上图所示霍尔元件的线性范围是负的多少高斯至正的多少高斯?,线性区,2023/8/3,13,5.2.2 额定激励电流IH:,使霍尔元件温升10所施加的控制电流值称为额定激励电流。通常用IH表示。由于霍尔电势随激励电流增大而增大,故在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励电流增大,霍尔元件的功耗增大,元件的温度升高,从而引起霍尔电势的温漂增大,因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流,它的数值从几毫安至十几毫安。,以下哪一个激励电流的数值较为妥当?A、5A B、0.1mA C、2mA D、80mA,5.2霍尔元件的主要技术指标,2023/8/3,14,5.2.3 输入电阻Ri:,它是指
7、控制电流极间的电阻值。它规定要在室温(205)的环境温度中测取。,5.2霍尔元件的主要技术指标,5.2.4 输出电阻RL:,它是指霍尔电极间的电阻值。规定中要求在(205)的条件下测取。,当霍尔元件通以控制电流IH而不加外磁场时,它的霍尔输出端之间仍有空载电势存在,称为不等位电势。,5.2.5 不等位电势E0,2023/8/3,15,5.2.6 寄生直流电势V0:,5.2霍尔元件的主要技术指标,当不加外磁场,控制电流改用额定交流电流时,霍尔电极间的空载电势为直流与交流电势之和。其中的交流霍尔电势与前述零位电势相对应,而直流霍尔电势是个寄生量,称为寄生直流电势V。,5.2.7 热阻RQ:,它表示
8、在霍尔电极开路情况下,在霍尔元件上输入lmW的电功率时产生的温升,单位为/mW。所以称它为热阻是因为这个温升的大小在一定条件下与电阻有关。,2023/8/3,16,5.3 霍尔传感器集成电路,霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。,线性型集成电路是将霍尔元件和恒流源、线性差动放大器等做在一个芯片上,输出电压为伏级,比直接使用霍尔元件方便得多。较典型的线性型霍尔器件如UGN3501等。,线性型三端 霍尔集成电路,5.3.1 线性型霍尔传感器特性,2023/8/3,17,5.3.1 线性型霍尔传感器特性,右图示出了具有双端差动输出特性的线性霍尔器件的输出特性曲线。当磁场为零时,它的输出电压等于零
9、;当感受的磁场为正向(磁钢的S极对准霍尔器件的正面)时,输出为正;磁场反向时,输出为负。,请画出线性范围,2023/8/3,18,5.3.2、开关型霍尔传感器集成电路,开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门(集电极开路输出门)等电路做在同一个芯片上。当外加磁场强度超过规定的工作点时,OC门由高阻态变为导通状态,输出变为低电平;当外加磁场强度低于释放点时,OC门重新变为高阻态,输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如UGN3020等。,5.3 霍尔传感器集成电路,2023/8/3,19,OC门,施密特触发电路,双端输入 单端输出运放,霍尔 元件,.,5.3 霍尔传感器
10、集成电路,开关型霍尔集成电路的外形及内部电路,5.3.2、开关型霍尔传感器集成电路,2023/8/3,20,请按以下电路,将下一页中的有关元件连接起来.,5.3 霍尔传感器集成电路,开关型霍尔集成电路(OC门输出)的接线,5.3.2、开关型霍尔传感器集成电路,开关型霍尔集成电路与继电器的接线,?,2023/8/3,22,开关型霍尔集成电路的史密特输出特性,回差越大,抗振动干扰能力就越强。,当磁铁从远到近地接近霍尔IC,到多少特斯拉时输出翻转?当磁铁从近到远地远离霍尔IC,到多少特斯拉时输出再次翻转?回差为多少特斯拉?相当于多少高斯(Gs)?,5.3.2、开关型霍尔传感器集成电路,2023/8/
11、3,23,5.4 霍尔传感器的应用,霍尔电势是关于I、B、三个变量的函数,即 EH=SHIBcos。利用这个关系可以使其中两个量不变,将第三个量作为变量,或者固定其中一个量,其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。,霍尔传感器优点:磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此,在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。,2023/8/3,24,讫今为止,已在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有:分电器上作信号传感器;ABS系统中的速度传感器;汽车速度表和里程表;液体物理量检测器;各种用电负载的电流检测及工作状态诊断;发动机转速及曲轴角度传感器;
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 霍尔传感器 霍尔 传感器 PPT 课件

链接地址:https://www.31ppt.com/p-5618805.html