[信息与通信]第五章 存储器.ppt
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1、第五章 存储器,主要内容有:1.存储器分类(了解)2.随机存取存储器RAM(了解)3.只读存储器(了解)4.CPU与存储器的连接(重点)5.存储器空间的分配和使用(了解),第五章 存储器,5-1 存储器分类,一、按用途分类 按存储器用途分类,可以分成内部存储器和外部存储器。,1.内部存储器,2.外部存储器,二、按存储器性质分类 内存按存储器性质分类通常分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。,1.RAM随机存取存储器(Random Access Memory),CPU能根据RAM的地址将数据随机地写入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。通常我们所说的计算机内存容量有多少字节,均是
2、指RAM存储器的容量。按照集成电路内部结构的不同,RAM又分为两种:,(1)SRAM静态RAM(Static RAM),(2)DRAM动态RAM(Dynamic RAM),2.ROM只读存储器(Read Only Memory),(1)PROM可编程ROM(Programmable ROM),(2)EPROM可擦除、可编程ROM(Erasable PROM),(3)EEPROM电可擦除可编程ROM(Electrically Erasable PROM),5-2 随机存取存储器RAM,一、静态随机存取存储器SRAM,1.静态RAM的构成,静态RAM存储一位信息的单元电路可以用双极型器件构成,也可
3、以用MOS器件构成。静态RAM的单元电路通常是由6个MOS管子组成的双稳态触发器电路,可以用来存储信息0或1,只要不掉电,0或1状态能一直保持,除非重新通过写操作写入 新的数据。同样对存储器单元信息的读出过程也是非破坏性的,读出操作后,所保存的信息不变。,使用静态RAM的优点是访问速度快,访问周期达2040ns。静态RAM工作稳定,不需要进行刷新,外部电路简单,但基本存储单元所包含的管子数目较多,且功耗也较大,它适合在小容量存储器中使用。,静态RAM通常由地址译码器、存储矩阵、控制逻辑和三态数据缓冲器组成,存储器芯片内部结构框图如图5-2所示。,(1)存储矩阵,(2)地址译码器,(3)控制逻辑
4、与三态数据缓冲器,2.静态RAM的例子,二、动态随机存取存储器DRAM,1.动态RAM的构成,图5-4 单管动态RAM基本存储单元,动态RAM依靠电容存储电荷来决定存放信息是1或0。图5-4以单管动态RAM为例说明其工作原理。,读操作时先由行地址译码,某行选择信号为高电平时,此行上管子Q导通,由刷新放大器读取电容C上的电压值折合为0或1,再由列地址译码,使某列选通。行和列均选通的基本存储单元允许驱动,并读出数据,读出信息后由刷新放大器对其进行重写,以保存信息。,写操作时,行和列的选择信号为1,基本存储单元被选中,数据输入/输出线送的信息通过刷新放大器和Q管送到电容C,数据写入存储单元。,2.动
5、态RAM的刷新,3.动态RAM的例子,三、存储器的工作时序,1.静态RAM器件对存储器读周期和写周期时序,为了使存储器与CPU很好地配合构成一个微型计算机系统,存储器芯片的工作时序应和CPU的读/写时序密切配合,因此有必要分析一下存储器的工作时序。选择存储器时最重要的参数是存取时间,在存储器读周期中,具体是指读取时间,在存储器写周期中,就是指写入时间。访问存储器所需要的时间是指存储器接收到稳定的地址输入到读/写操作所需时间,访问时间的长短与存储器制造工艺有关,例如用双极型技术制造的器件速度快,但功耗大,价格贵,用互补金属氧化物半导体技术制造的器件功耗低,但速度慢。,图5-7 给出了静态RAM存
6、储器对读/写周期的时序要求。,tA:读取时间,地址有效到数据读出有效之间的时间。tCO:片选到稳定输出,从 片选信号有效到数据输出稳定的时间,一般tA tCOtCX:片选到输出有效,从/CS片选信号有效到数据输出有效的时间。tAR:读恢复时间,输出数据有效之后,存储器不能立即输入新的地址来启动下一次 读操作,因为存储器在输出数据后要有一定的时间来内部操作,这段时间称恢复时间。tRC:存储器的读周期,是指启动一个读操作到启动下一次内存操作(读或写)之间所需要的时间,tRC=tA+tAR。,存储器对读周期的时序要求是:,(1)CPU送出存储单元地址(图中A点),读周期开始,读周期比读取时间长,为了
7、保证tA时间后,读出数据在数据线上稳定,要求地址信号有效后,不超过tA tCO的时间段中,片选信号 有效。若 不能及时到达,则tA之后可能数据仅出现在内部内部数据总线上,而不能将数据送到系统总线上。,(2)输出数据有效后(图中C点),只要地址信号和输出允许信号没有撤消,输出数据一直保持有效。,(3)在整个读周期,要求R/应保持高电平。,存储器对写周期时序要求,如图5-7(b)所示。,(2)从片选信号有效到CPU要求的数据稳定之间的时间间隔必须大于tCO,否则外部电路必须产生 信号,迫使CPU插入周期TW来满足上面的时间要求。,(1)从地址信号有效到CPU要求的数据稳定之间的时间间隔必须大于tA
8、。,在存储器芯片和CPU连接时,必须保证下面时间要求:,图5-7(b)存储器的写周期,四、高速缓冲存储器,图5-9所示,CACHE RAM是位于CPU和主存储器之间容量小而速度快的存储器,通常由SRAM组成。可以把CACHE看作是主存储器中面向CPU的一组高速暂存寄存器,它保存有一份主存储器的内容拷贝,该内容拷贝是最近曾被CPU使用过的。,5-3 只读存储器,根据ROM信息写入的方式,ROM分为4种:,1.掩膜型ROM,2.可编程只读存储器PROM,3.可擦除可编程只读存储器EPROM,4.电可擦除的可编程只读存储器EEPROM,一、掩膜型ROM,掩膜型ROM中信息是厂家根据用户给定的程序或数
9、据对芯片图形掩膜进行两次光刻而决定的。这类ROM可由二极管、双极型晶体管和MOS型晶体管构成,在数量较少时,掩膜ROM造价很贵,如果进行批量生产,就相当便宜了。适用于计算机系统开发完成后,大批量使用。,二、可编程ROM(PROM),可编程只读存储器的内容可以由用户编写,但只允许编程一次。PROM由二极管矩阵组成,用可熔金属丝连接存储单元发射极,出厂时所有管子的熔丝都是连着的。,三、可编程可擦除ROM(EPROM),1.EPROM工作原理,掩膜型ROM和PROM中的内容一旦写入,就无法改变,而EPROM却允许用户根据需要对它编程,且可以多次进行擦除和重写,因而EPROM得到了广泛的应用。,实现E
10、PROM的技术是浮栅雪崩注入式技术,信息存储由电荷分布决定,MOS管的栅极被SiO2包围,称为浮置栅,控制栅连到字线。平时浮置栅上没有电荷,若控制栅上加正向电压使管子导通,则ROM存储信息为1。EPROM的存储单元电路原理图如图5-11(a)所示。,编程写入时若在漏极和衬底、漏极和源极间加上+25V电压,使内部PN结反向击穿,形成较大的电流,部分电荷会在浮置栅上捕获注入。当电压移去后由于绝缘层的包围,注入的电荷无法泄露,相当于管子开启电压提高,控制栅上加上正向电压(+5V)后,管子仍截止,ROM存储信息为0。,2.EPROM的例子,四、电可擦除可编程ROM(EEPROM),EPROM尽管可以擦
11、除后重新进行编程,但擦除时需用紫外线光源,使用起来仍然不大方便。电可擦除的可编程ROM,简称EEPROM,它的外形管脚与EPROM相似,仅擦除过程不需要用紫外线光源。它是采用电脉冲进行擦除。,5-4 CPU与存储器的连接,在CPU对存储器进行读写操作时,首先在地址总线上给出地址信号,然后发出相应的读或写控制信号,最后才能在数据总线上进行数据交换,所以CPU与存储器的连接包括地址线、数据线和控制线的连接等三个部分。在连接时要考虑以下几个问题:,(1)CPU总线的负载能力,(2)CPU的时序和存储器存取速度之间的配合,(3)存储器的地址分配和片选,(4)控制信号的连接,一、存储器的地址选择,1.线
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