《金属的氧化膜》PPT课件.ppt
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1、第三节 金属的氧化膜,一、金属表面上的膜,金属高温氧化的结果,在金属表面形成一层氧化膜,通常称为氧化皮或锈皮。按照膜的厚度,可以把金属膜分为三类:,(1)厚膜是肉眼可见的,膜厚500nm,如Fe在900空气中的高温氧化,其厚度可达600m。,(2)中等厚度的膜,它可以通过金属表面上的干扰色而显现出来,厚度为40500nm。,(3)薄膜,它是不可见的,只能通过测试手段检查出来,其膜厚40nm。如常温下Fe和Cu在干燥空气中形成薄膜厚度为13nm,在Al上的膜厚约为10nm。,二、金属氧化膜的完整性和保护性,1、金属氧化膜的完整性,金属氧化膜的完整性是具有保护性的必要条件。而完整的必要条件是:氧化
2、时所生成的金属氧化膜的体积()比生成这些氧化膜所消耗的金属的体积()要大,即,此比值称为P-B比,以表示,当1时,生成的氧化膜不能完全覆盖整个金属表面,形成的氧化膜疏松多孔,不能有效地将金属与环境隔离,因此这类氧化膜不具有保护性,或保护性很差。如碱金属或碱土金属的氧化物MgO、CaO等。,当过大(如r2),膜的内应力大,膜易破裂而失去保护性或保护性很差。如W的氧化膜为3.4,其保护性相对较差。,讨 论:,实践证明,保护性较好的氧化膜的P-B比是稍大于1。如Al和Ti的氧化膜的P-B比分别为1.28和1.95,具有较好的保护性。,表2.3 某些金属氧化物的P-B比,2、金属氧化膜的保护性,由于金
3、属氧化膜的结构和性质各异,其保护能力有很大差别。一定温度下,不同金属氧化物可能有不同物态。,例如:Cr、Mo、V在1000空气中都被氧化,其氧化物状态则各不相同,实践证明,并非所有的固态氧化膜都有保护性,只有那些组织结构致密,能完整覆盖金属表面的氧化膜才有保护性。因此,氧化膜的保护性取决于下列因素:,可见,在1000 下这三种氧化物中只有 为固态,有保护性,而Mo和V的氧化物则无保护性。,膜的完整性。金属氧化膜的P-B比在12之间,膜完整,保护性好。,氧化物的熔点。金属氧化物的熔点要高,这样才不易熔化。,膜的稳定性。金属氧化膜的热力学稳定性要高,这样才不易反应。,膜的附着性。膜的附着性要好,不
4、易剥落。,膨胀系数。膜与基体金属的热膨胀系数越接近越好。,膜中的应力。膜中的应力要小,以免造成膜的机械损伤。,膜的致密性。膜的组织结构致密,金属和 在其中扩散系数小,电导率低,可以有效地阻碍腐蚀环境对金属的腐蚀。,三、金属高温氧化的历程,1、金属氧化膜的形成过程,一旦形成致密而薄的氧化膜之后,膜的成长只要取决与经由氧化物的扩散过 程。金属高温氧化过程模型图示于图2.6。,金属与氧化性介质接触后,其界面上形成氧化产物膜。根据氧化反应方程:,可以看出,金属氧化物MO可分为下面两个反应物。,1、参与反应的金属离子具有较高的扩散梯度Bi,即;,图2.6 氧化膜成长历程示意图(a)氧化物/气体界面生成(
5、b)金属/氧化物界面生成,反应过程a:金属离子单向向外扩散,在氧化物-气体界面上反映,因而膜的生长区域在膜的外表面。如铜的氧化过程。,反应过程b:氧单向向内扩散,在金属-氧化物界面上反映,因而膜的生长区域在金属与膜界面处。如钛、锆等金属的氧化过程。,2、氧离子具有较高的扩散梯度,即。,纯金属的氧化:一般形成单一氧化物的氧化膜,但有时也能形成多种不同氧化物组成的膜,如铁在空气中的氧化(图2.7)。,2、金属氧化膜的晶体结构,图2.7 铁在空气中氧化时氧化膜结构示意图(a)570以上(b)570 以下,合金氧化:生成的氧化物通常是一个复杂体系,可能生成氧化物的共晶混合物或者金属氧化物的固溶体。一般
6、来说,合金氧化物的保护性比纯金属氧化物的保护性能好。,表2.4 一些金属氧化物的晶体结构类型,表2.4中列出了金属氧化膜具有不同的晶体结构的类型。最常见的具有保护性的氧化膜是 以及稀土氧化物 等。这些氧化物高温稳定性好,加入稀土氧化物可改善氧化皮的附着性,提高抗氧化能力。,3、氧化物类型和膜中扩散机制,金属氧化物是由金属离子和氧离子组成的离子晶体。若是完善晶体,离子的移动是难以进行的。但是晶体中只要有缺陷如空位,间隙原子,位错等,离子就能通过晶格缺陷进行扩散。晶格缺陷的存在和通过它所进行的离子的移动形式,目前主要通过其电导率大小来推测。根据其电导率大小,可将一般化合物分为离子导体和半导体。,1
7、、离子导体型氧化物 典型的离子晶体是严格按照化学计量比组成的晶体,其电导率为。离子导体中的晶格缺陷是由于热激发,一些金属离子从“结点”迁移,成为间隙原子,而原“结点”形成晶格空位。当这些晶格缺陷存在时,将产生浓度梯度或电位梯度,通过缺陷发生离子的移动扩散,从而显现出离子导电性。实际上属于这类离子导体的氧化物很少。,根据离子迁移的形式,可分为四种化合物的离子导体:1、阳离子导体(弗伦克尔缺陷)(图2.8a),如等化合物属于这一类。2、阴离子导体(反弗伦克尔缺陷)(图2.8b),如 等化合物属于这一类。3、混合离子导体(肖特基缺陷)(图2.8c),如 属于这一类。4、金属间化合物(反肖特基缺陷)(
8、图2.8d),如 等属于这一类。,图2.8 离子导体晶体结构示意图a)阳离子导体 b)阴离子导体 c)混合离子导体 d)金属间化合物,2、半导体型氧化物 许多金属氧化物是非当量化合的离子晶体。在晶体内存在着过剩的阳离子()或阴离子()。于是在电场的作用下,晶体中除了有离子导电外,还有电子迁移,故这类导体有半导体的性质,其电导率介于导体和绝缘体之间,电导率为。可根据金属氧化物的离子晶体中过剩组分的不同,分为金属离子过剩半导体和金属不足型半导体。,(1)金属离子过剩半导体(n型半导体):例如 等,均属于这种类型的氧化物,这种类型的氧化物特点是,过剩的金属离子处于晶格间隙。氧化物作为整体是电中性的,
9、所以间隙中存在相应的电子并在运动着。图2.9表示出ZnO半导体的示意图。,氧化时,间隙离子()和间隙电子(e-)通过 膜向/界面迁移,并吸收 而生成。,图2.9 ZnO金属离子过剩型半导体的示意图,图2.10 NiO金属离子不足型半导体的示意图,图中 的晶格中表示一个 空穴,表示一个电子空穴,也称阳穴。为了维持晶格的电中性,在 中,如果有一个空位,就以两个 的比例存在。为了形成 必须提供电子;为了生成新的氧化镍层,必须提供,而电子和 都是晶体提供的。生成新的 时,导致晶体内出现阳离子空位()和电子空穴(e-)。电子空穴可以认为是 在 位置上失去一个电子变成,亦即失去电子电子孔穴荷正电,而阳离子
10、空位()则荷负电。,(2)金属离子不足型半导体(p型半导体):如 等是金属离子不足型氧化物,或氧过剩型氧化物。由于氧离子半径比金属离子大,过剩的氧离子不能在晶格间隙位置,而是占据着结点位置。图2.10表示出 半导体的示意图。,在n型半导体中,氧化物间隙金属离子和电子向外表面迁移,在氧化物-氧界面上与氧接触生成新氧化层;在p型半导体氧化物中,氧离子、阳离子空位和电子空穴都向内迁移,金属离子和电子则向外迁移,并在晶格内部形成新的氧化物层。,在高温氧化时,/界面上的 与电子作用生成,再与 作用生成新的,其反应如下:,第四节 合金的氧化,一、合金氧化的特点,(1)合金各组元由于氧的亲和力和氧化物中的各
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