《芯片实习报告》PPT课件.ppt

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1、芯片工艺流程学习报告,白光PSS镜面片40BC五版光刻Sputter ITO反射电极,芯片前段工艺,下料工序：1.投料检查2.去In球（HCL）3.投料清洗（4H2SO4：H2O2）ABE-001 4.检查,芯片前段工艺,PECVD（蒸镀站）:1.生长SIO2：CBL-2000A目的：作为平台（mesa）刻蚀屏蔽层和电流阻挡层（CBL）结构,芯片前段工艺,MEA图形光刻：1.HMDS增粘剂2.匀正胶3.曝光4.显影目的：主要定义LED芯片发光面积,P-GaN,MQW,n-GaN,sapphire,SiO2,PR,PR,PR,芯片前段工艺,ICP:1.ICP刻蚀2.去胶清洗3.ICP深度测量目的

2、：露出n-GaN，制作N,P电极 去胶前 去胶后,P-GaN,MQW,n-GaN,SiO2,PR,PR,PR,sapphire,芯片前段工艺,CBL（电流阻挡层）图形光刻目的：因为Pad不透光，为无效光，为提升发光效率，加上CBL使无效区的电子空穴在其他地方复合。方便将电极完全放在CBL结构中。,P-GaN,MQW,n-GaN,sapphire,PR,SiO2,PR,芯片前段工艺,CBL图形刻蚀：1.腐蚀SIO2(氟化铵：氢氟酸20:1)，2.去胶清洗此步骤完成后,P层即已呈裸露状态,芯片前段工艺,ITO蒸镀：在芯片表面镀制一层ITO薄膜,做为透明导电层;目前厂内的ITO镀膜技术有两种,分别为

3、E-beam(蒸镀)及sputter(溅镀),此两种技术所完成之ITO薄膜特性不同,故需针对适当之产品进行分配;通常尺寸较大需要高亮度者使用sputter,而E-beam则适合亮度需求较低或尺寸较小之芯片ITO穿透率测量：96.3%电阻率：86.6,芯片前段工艺,TCL图形光刻（ITO光刻）1.就单边Mesa侧壁至ITO边缘而言,其间距在5um左右;与CBL/Pad之间距相符;此数字也会与曝光机之对准能力有关2.Mesa与ITO之间距越小,亮度会越佳,因为其发光面积越大;但此数值已接近极限,再增加会有不稳定之风险TCL图形刻蚀（ITO腐蚀）ITO在侧壁上若腐蚀不净,轻则Ir良率下降 or Vf

4、4下降;重则死灯,即使返工也不一定能完全救回，确认后需使用去胶液去胶。,芯片前段工艺,ITO光刻 ITO腐蚀去胶,芯片前段工艺,ITO合金：ITO退火RTA目的：1.高温合金(alloy)之方式使其材料成份中之氧所占之比例增加,来使ITO膜呈现高穿透率状态。2.高温合金条件可以让ITO与P层半导体达到良好之电性接触,也使LED之工作电压得以降到最低。片子由黄色变为白色。,芯片前段工艺,PAD图形光刻：正装PN光刻负胶，其余都为正胶。目的：镀上金属电极之区域露出,其余不需镀到金属部分则以负性光刻胶遮起来。若显影不净,造成光刻胶残留,则会在后续发生掉电极现象;但掉电极不完全是由显影不净所造成的。,

5、芯片前段工艺,Cr/Au蒸镀：蒸镀PN，CrAlTiPtAu-1.5mTi：1-2颗，Al：1-2颗，Pt：4颗，Au根据厚度及坩埚重量加料6/9/12颗,PN金属,金属蒸镀机,芯片前段工艺,PN电极剥离,P-Pad,N-Pad,1,4,22,25,芯片前段工艺,PECVD2：生长SIO2：PSV-760APAS图形刻蚀目的：因为SiO2把PN电极之打线区都盖住,必需要让电极层露出以利打线,因此需再一次匀光刻胶以便后续腐蚀。,PR,PR,芯片前段工艺,PAS图形刻蚀 PSV去胶,芯片前段工艺,抽点：1.测试2.打线：推拉力测试3.自检4.品保抽检,芯片后段工艺,研磨1.上蜡：将芯片按顺序黏在陶

6、瓷盘上，热压平整后，加压冷却2.研磨：目标厚度170m用钻石砂轮机将衬底快速减薄到指定厚度3.抛光：目标厚度150m用钻石抛光液缓慢薄化衬底，同时去除砂轮造成的损伤层4.CMP（划痕明显减少，细抛后反光）5.下蜡：用去蜡液去除芯片正反面黏附的大部分粘结蜡6.清洗：ACE、IPA、QDR等清洗，去除芯片正反面的污渍。40BC研磨破片率较高,芯片前段工艺,背镀DBR：镀膜材质：SIO2（n:1.5）/TI305(n:2.7),芯片后段工艺,切割：1.贴片：正面向上贴膜2.划片：40BC-150m-DBR使用激光在芯片背面，沿切割道划片(背切)4.裂片：沿着激光划片的痕迹 使用裂片机将管芯完全分离5

7、.倒膜：将完全分离的管芯由 正面贴膜翻转成背面贴膜,方便点测6.扩膜：扩大1.2倍通过扩张蓝膜 的方式，增大管芯之间距离,方便分选,芯片后段工艺,芯片后段工艺,全点：目的：测试芯片表面所有的晶粒的光电特性，方便分选,芯片后段工艺,常见光电性异常原因：电压(Vf)：ITO镀膜，金属镀膜，RTA退火，P-GAN损伤，ITO侧蚀，叉指断裂，SIO2刻蚀不干净，ICP深度异常等。亮度(Iv)：ITO镀膜，金属镀膜，RTA退火，P-GAN损伤，ITO侧蚀，叉指断裂，发光区污染漏电(Ir)：残金，对版偏移，ITO腐蚀不干净，ICP刻蚀异常，切割异常等。小电流电压(Vf4)：SIO2镀膜，DBR镀膜，O2plasma打胶等。抗静电能力(ESD)：剥离去胶，ITO退火，SPUTTER镀膜，ITO腐蚀不干净等。,芯片后段工艺,分选：将圆片上的管芯按照不同的光电特性（如:波长、亮度、电压等)作分类再进行挑拣的过程。,芯片后段工艺,目检：1.晶粒计数2.标签打印3.品保抽检4.入库目的：将不良晶粒用吸笔吸除然后计数并入库。避免外观不良品流至客户端猪毛片 方片,结束,