《芯片实习报告》PPT课件.ppt
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1、芯片工艺流程学习报告,白光PSS镜面片40BC五版光刻Sputter ITO反射电极,芯片前段工艺,下料工序:1.投料检查2.去In球(HCL)3.投料清洗(4H2SO4:H2O2)ABE-001 4.检查,芯片前段工艺,PECVD(蒸镀站):1.生长SIO2:CBL-2000A目的:作为平台(mesa)刻蚀屏蔽层和电流阻挡层(CBL)结构,芯片前段工艺,MEA图形光刻:1.HMDS增粘剂2.匀正胶3.曝光4.显影目的:主要定义LED芯片发光面积,P-GaN,MQW,n-GaN,sapphire,SiO2,PR,PR,PR,芯片前段工艺,ICP:1.ICP刻蚀2.去胶清洗3.ICP深度测量目的
2、:露出n-GaN,制作N,P电极 去胶前 去胶后,P-GaN,MQW,n-GaN,SiO2,PR,PR,PR,sapphire,芯片前段工艺,CBL(电流阻挡层)图形光刻目的:因为Pad不透光,为无效光,为提升发光效率,加上CBL使无效区的电子空穴在其他地方复合。方便将电极完全放在CBL结构中。,P-GaN,MQW,n-GaN,sapphire,PR,SiO2,PR,芯片前段工艺,CBL图形刻蚀:1.腐蚀SIO2(氟化铵:氢氟酸20:1),2.去胶清洗此步骤完成后,P层即已呈裸露状态,芯片前段工艺,ITO蒸镀:在芯片表面镀制一层ITO薄膜,做为透明导电层;目前厂内的ITO镀膜技术有两种,分别为
3、E-beam(蒸镀)及sputter(溅镀),此两种技术所完成之ITO薄膜特性不同,故需针对适当之产品进行分配;通常尺寸较大需要高亮度者使用sputter,而E-beam则适合亮度需求较低或尺寸较小之芯片ITO穿透率测量:96.3%电阻率:86.6,芯片前段工艺,TCL图形光刻(ITO光刻)1.就单边Mesa侧壁至ITO边缘而言,其间距在5um左右;与CBL/Pad之间距相符;此数字也会与曝光机之对准能力有关2.Mesa与ITO之间距越小,亮度会越佳,因为其发光面积越大;但此数值已接近极限,再增加会有不稳定之风险TCL图形刻蚀(ITO腐蚀)ITO在侧壁上若腐蚀不净,轻则Ir良率下降 or Vf
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