《数字电子技术基础》PPT课件.ppt
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1、数字电子技术基础,第二章 门电路,内容提要,本章介绍数字电路的基本逻辑单元门电路。首先复习二极管、三极管的工作特性,然后讲述由三极管构成的TTL电路的工作原理,重点介绍TTL电路电气特性,即输入特性和输出特性,为以后应用这些器件打下基础,最后简单介绍了CMOS门电路。,第二章 门电路,2.1 概述2.3 最简单的与、或、非门电路2.4 TTL门电路2.5 CMOS门电路,2.1 概述,1.门电路是用以实现逻辑关系的电子电路,与我们所讲过的基本逻辑关系相对应,门电路主要有:与门、或门、与非门、或非门、异或门等。,2.分类,按工艺:双极型TTL、MOS型CMOS,按逻辑功能:与、或、非、与非等,按
2、输出结构:推拉式、OC门,按集成度,小规模集成电路SSI,中规模集成电路MSI,大规模集成电路LSI,超大规模集成电路VLSI,小规模集成电路(SSI-Small Scale Integration),每片组件内包含10100个元件(或1020个等效门)。中规模集成电路(MSI-Medium Scale Integration),每片组件内含1001000个元件(或20100个等效门)。大规模集成电路(LSI-Large Scale Integration),每片组件内含1000100 000个元件(或1001000个等效门)。超大规模集成电路(VLSI-Very Large Scale In
3、tegration),每片组件内含100 000个元件(或1000个以上等效门)。,只要能判断高低电平即可,K开-vo=1,输出高电平K合-vo=0,输出低电平,可用三极管代替,3.高、低电平的获取方法,在数字电路中,一般用高电平代表1、低电平代表0,即所谓的正逻辑系统。,2.3 最简单的与、或、非门电路,设:VIL=0V,VIH=3V VD=0.7V,3.7V,0.7V,0.7V,0.7V,2.3.1 二极管与门,二极管与门,二极管或门,2.3.2 二极管或门,0V,2.3V,2.3V,2.3V,设:VIL=0V,VIH=3V VD=0.7V,2.3.3 三极管非门,例:=30,VCC=VE
4、E=12V,VCES=0.3V,R1=5.1k,RC=2k,R2=20k,当Vi=0、5V、悬空时,晶体管的静态工作状态及Vo的值?,分析:,Vi,由叠加定理或戴维南等效定理可知,例:=30,VCC=VEE=12V,VCES=0.3V,R1=5.1k,RC=2k,R2=20k,当Vi=0、5V、悬空时,晶体管的静态工作状态及Vo的值?,分析:,当Vi=0时:,Q位于截止区,Vo=12V,三极管非门,例:=30,VCC=VEE=12V,VCES=0.3V,R1=5.1k,RC=2k,R2=20k,当Vi=0、5V、悬空时,晶体管的静态工作状态及Vo的值?,分析:,当Vi=5V时:,由于发射结的钳
5、位,故:Vi=0.7V由:IB=(Vi-0.7)/R1-(VEE+0.7)/R2得:IB=0.33mA而:ICS=(VCC-VCES)/RC=4.85mA IBS=ICS/=0.16mA IB IBS三极管饱和,Q位于饱和区,Vo=VCES=0.3V,三极管非门,例:=30,VCC=VEE=12V,VCES=0.3V,R1=5.1k,RC=2k,R2=20k,当Vi=0、5V、悬空时,晶体管的静态工作状态及Vo的值?,分析:,Vi,当Vi 悬空时:,Q位于截止区,Vo=12V,1.体积大、工作不可靠。,2.需要不同电源。,3.各种门的输入、输出电平不匹配。,分立元件门电路的缺点,4.带负载能力
6、差。,作业:P125 思考题和习题2.1题中的(a)小题,2.1 概述,1.门电路是用以实现逻辑关系的电子电路,与我们所讲过的基本逻辑关系相对应,门电路主要有:与门、或门、与非门、或非门、异或门等。,2.分类,按工艺:双极型TTL、MOS型CMOS,按逻辑功能:与、或、非、与非等,按输出结构:推拉式、OC门,按集成度,小规模集成电路SSI,中规模集成电路MSI,大规模集成电路LSI,超大规模集成电路VLSI,只要能判断高低电平即可,K开-vo=1,输出高电平K合-vo=0,输出低电平,可用三极管代替,3.高、低电平的获取方法,在数字电路中,一般用高电平代表1、低电平代表0,即所谓的正逻辑系统。
7、,二极管与门,二极管与门,二极管或门,2.2.2 二极管或门,三极管工作状态判断方法:,(1)判断UBE,(2)计算ICS 和IBS,(3)计算IB,(4)判断IB 是否大于IBS,若大于则三极管工作于饱和状态,反之,则工作于放大状态。,2.3 三极管及其构成的非门电路,三极管截止时相当于开关断开,在开关电路的输出端给出高电平;三极管饱和导通时相当于开关接通,在开关电路的输出端给出低电平。,三极管的开关等效电路,三极管非门,Ui,三极管位于截止区,Uo=12V,Uo为高电平。,当Ui=0时:,(为低电平时),当Ui=5V时:,(为高电平时),三极管位于饱和区,Uo=UCES=0.3V,Uo为低
8、电平。,2.4.1 TTL非门的电路结构和工作原理,与分立元件电路相比,集成电路具有体积小、可靠性高、速度快的特点,而且输入、输出电平匹配,所以早已广泛采用。根据电路内部的结构,可分为TTL、MOS管集成门电路等。,2.4 TTL集成门电路,一、TTL非门的内部结构,输入级,倒相级,输出级,1.输入为低电平(0.3V)时,1V,不足以让T2、T5导通,VCC5V,1.输入为低电平(0.3V)时,uo=5-uR2-ube4-uD23.4V高电平!,A,VCC5V,2.输入为高电平(3.4V)时,电位被嵌在4.1V,倒置,1V,2.1V,1.4V,0.7V,VCC5V,2.输入为高电平(3.4V)
9、时,uo0.3V低电平!,5V,TTL非门的内部结构,图腾柱输出,拉电流,灌电流,VCC5V,一、电压传输特性,2.4.2 TTL非门的主要特性,测试电路,1,+5V,(3.4V),(0.3V),传输特性曲线,输出高电平,输出低电平,阈值电压UTH=1.4V,截止区,饱和区,转折区,线性区,噪声容限,噪声容限,VNH=VOH(min)VIH(min),VNL=VIL(max)VOL(max),TTL非门的静态输入特性和输出特性,一、输入特性,iIL,1.4V,-1mA,iIH,40A,一、输入特性,倒置状态,二、输出特性,iL 400A,iL 10mA,TTL非门的内部结构,A,VCC,Y,R
10、4,R1,T4,T1,D2,b1,c1,R2,VCC,前级输出为 高电平时,前级,后级,N1,显然:N1IIH IOH N1 IOH/IIH N1 400A/40A=10,前级输出为 低电平时,前级,后级,N2,显然:N2IIL IOL N2 IOL/IIL N210mA/1mA=10,一般TTL门的扇出系数为10。,由于IOL、IOH的限制,每个门电路输出端所带门电路的个数,称为扇出系数。,注意:当前级输出高、低电平时如果N1 和N2不相等,则较小者为扇出系数。,输入端“1”,“0”?,三、输入端负载特性,简化电路,RP较小时,当RPR1时,ui RP,简化电路,RP增大时,1.4V,Rui
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