《浙大微电子》PPT课件.ppt

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1、浙大微电子,基准源、噪声、开关电容及Monte Carlo仿真,浙江大学微电子与光电子研究所 2013年11月5日,2023/7/19,1/91,浙大微电子,大纲,电压基准源设计集成电路噪声分析及仿真 开关电容电路理论、设计举例及仿真Monte Carlo仿真,2023/7/19,2/91,浙大微电子,电压基准源设计,2023/7/19,3/91,浙大微电子,常见电压基准源,带隙基准源 特点：静态电流较小，输出电压精度 较高，不需要外部电阻 举例：MAX6034 齐纳基准源 特点：输出电压和功率范围大，静态 电流较大，输出电压精度较低，需要外部电阻 举例：MAX6138,2023/7/19,4

2、/91,浙大微电子,电压基准源对比,2023/7/19,5/91,浙大微电子,带隙基准源原理,平衡VBE的负温度系数和Vt=kT/q的正温度系数,2023/7/19,6/91,浙大微电子,如何实现Vt=kT/q？,通过改变PNP发射区面积,2023/7/19,7/91,浙大微电子,带隙基准源的两种经典实现方式,电流镜方式 放大器反馈方式,2023/7/19,8/91,浙大微电子,输出驱动,驱动能力要求 仅仅是基准源核心电路没有足够的能力驱动外部大的负载，需要加buffer；基准源的驱动能力取决于buffer的驱动能力放大器的频率补偿 为了在外部负载比较大的情况下，保证运放稳定；设计时，必须做交

3、流仿真，以保证频率稳定。,提供基准电流,2023/7/19,9/91,浙大微电子,Cascade结构,Cascade MOS M1M8保证Q1、Q2电流完全相同，且M1和M2源端电位近似相等,原理实现,2023/7/19,10/91,浙大微电子,基准源噪声,带隙基准源的输出噪声会显著影响低噪声电路的性能。例如，基准噪声大幅度削减高精度ADC性能；降噪措施：1、通过减少电路元器件个数，和使用阻值较小的电阻，可以减少噪声；2、采用1/f噪声较小的PMOS管；3、增大MOS面积也可减少1/f噪声。,基准源噪声仿真,2023/7/19,11/91,浙大微电子,基准源仿真,在基准源中引入误差放大器，提高

4、输出电压精度,电路示例,2023/7/19,12/91,浙大微电子,基准源说明,Q3和Q4的面积为Q1、Q2的n倍，采用层叠三极管能够使X点电压提高为2VEB1，降低误差放大器失调电压的影响。X点电压与Y点电压相等，Q1、Q2、Q3、Q4的偏置电流相等,2023/7/19,13/91,浙大微电子,温度稳定性仿真,Temperature coefficient 定义,单位是ppm/,三极管面积比例n=36，电阻比例R3/R4=2.87（R3=86K，R4=30K）,选择dctemperature扫描，得到输出基准电压随温度变化的曲线,2023/7/19,14/91,浙大微电子,电阻取值的优化,使

5、用“Parametric”分析来优化电阻值 1、设置变量 2、在“Parametric”分析窗口设置扫描变量和扫描方式 3、运行“Parametric”分析，得到结果如右图所示 4、缩小扫描范围，对电阻取值进一步优化,2023/7/19,15/91,浙大微电子,利用“Calculator”分析仿真结果,利用“Calculator”工具写入“TC”的表达式 TC=(ymax(VS(“/VREF”)-ymin(VS(“/VREF”)/(average(VS(“/VREF”)*125)*1000000 1、手动输入 2、采用“Calculator”RPN模式输入,2023/7/19,16/91,浙大

6、微电子,利用“Calculator”分析仿真结果,在ADE界面“Outputs-Setup”中打开Setting Outputs窗口，在“Name”栏填入输出变量名“TC”，点击“Get Expression”将“Calculator”中的表达式导入“Expression”栏,重新采用“Parametric”分析对电路进行仿真，Candence会根据所填入的表达式计算基准源的温度系数，并得到不同电阻值下温度系数的变化曲线图,2023/7/19,17/91,浙大微电子,利用“Calculator”分析仿真结果,2023/7/19,18/91,浙大微电子,利用“Optimizer”进一步优化,“O

7、ptimizer”是一种通过自动调整设计变量，从而达到设计指标的工具。1、在ADE界面“Tools-Optimization”，打开“Analog Circuit Optimization”窗口；在该窗口的“Goals”下拉菜单选择“Add”命令，如下图所示 Name栏填入“TC”Expression填入计算“TC”的 表达式 Direction选择“minimize”Target填入“5”Acceptable填入“15”,2023/7/19,19/91,浙大微电子,利用“Optimizer”进一步优化,2、在“Analog Circuit Optimizer”窗口的“Variables”下拉

8、菜单中选择“Add/Edit.”命令，如下图所示“Name”栏中选择变量“res”“Initial Value”填入“12k”“Minimum Value”填入“10k”“Maximum Value”填入“15k”,2023/7/19,20/91,浙大微电子,利用“Optimizer”进一步优化,3、在“Analog Circuit Optimizer”窗口的“Session”下拉菜单中选择“Options.”命令，如下图所示 在“Algorithm Selection”栏选择“LSQ”优化算法4、选择“Optimizer”下拉菜单中的“Run”命令，开始优化,2023/7/19,21/91,

9、浙大微电子,利用“Optimizer”进一步优化,2023/7/19,22/91,浙大微电子,Corner Analysis,1、在ADE界面“Tools”下拉菜单下选择“Corner.”,进入“Analog Corners Aanalysis”窗口,2023/7/19,23/91,浙大微电子,Corner Analysis,2、工艺配置。在菜单中选择“Setup-Add Process”,进入Add Process窗口。“Process Name”栏中加入新工艺的名字“Model Style”栏中选择工艺模式“Base Directory”和“Model File”栏中分别填入Model所在

10、的目录及其名称 选择“OK”，SMIC工艺 设置成功,2023/7/19,24/91,浙大微电子,Corner Analysis,3、添加工艺角组。在菜单中选择“Setup-Add/Update Model Info”，进入Update Process/Model Info窗口的Groups/Variants选项卡。“Groups Names”栏中加入工艺角的名称，例如：RES“Variants”栏加入一组工艺角，例如：res_tt、res_ff等等，中间用空格隔开 点击“Apply”，继续添加下一 个工艺角,2023/7/19,25/91,浙大微电子,Corner Analysis,4、设定

11、需要仿真的工艺角。在主界面的“Corner Definitions”栏中进行设置，其中“Add Corner”添加新的工艺角，“Add Variable”添加新的设计变量。,2023/7/19,26/91,浙大微电子,Corner Analysis,5、设置输出。在主界面的“Performance Measurements”栏中进行输出设置。“Add Measurement”设置待测变量名称“Expression”栏中输入待测变量的表达式，可借助“Calculator”工具；选中“plot”，待测变量将以图形形式输出。,2023/7/19,27/91,浙大微电子,Corner Analysis

12、,6、运行及输出。在菜单“Simulation-Run”运行分析并输出仿真结果。,2023/7/19,28/91,浙大微电子,Corner Analysis,7、保存和调用设置。在菜单中选择“File-Save Setup as”，保存为reference_pvt文件。若需调用已有设置，选择“File-Load.”将上述文件调用出 来即可,2023/7/19,29/91,浙大微电子,最低工作电压扫描,选择dc电源电压扫描，可找到基准源的最低工作电压,1.8V最低工作电压,2023/7/19,30/91,频率稳定性仿真 stb仿真,第一步：在电路反馈干路上，添加一个电压为0V的电压源，作为“Pr

13、obe Instance”；两个环路，一个是正反馈环路，一个是负反馈环路。,浙大微电子,2023/7/19,31/91,stb仿真,第二步：打开Cadence的“Analog Simulation Environment”界面，选择”stb”仿真，选择Probe Instance,浙大微电子,2023/7/19,32/91,stb仿真,第三步：查看仿真结果。在跳出的文本界面中，会直接给出关键环路的相位裕度Phase margin=68.4937 Deg at frequency=16.4596 MHz,浙大微电子,2023/7/19,33/91,浙大微电子,电源抑制比仿真,在电源电压上加入交流

14、小信号，仿真基准源电压输出与电源上交流小信号的比值，即电源抑制比。电源噪声频率范围 一般是50kHz到50 MHz，所以扫描频 率也选择这个范围,2023/7/19,34/91,浙大微电子,基准源版图设计,采用全定制方法进行版图设计，把串扰、失配、噪声等的影响降低到最小。采用精度较高的多晶硅电阻，在电阻的版图设计中尽可能采用“等比例复制”方法。在电阻设计中尽可能使用完全相同的 电阻条，采用并联和串联的方法实现 阻值。同时，相邻两个电阻条的连接 使用铝条互连结构，避免使用弯角，避免转角误差。加入DUMMY电阻。,电阻版图,2023/7/19,35/91,浙大微电子,基准源版图设计,绘制PNP版图

15、时，也要采用“等比例复制”方法。对于非常宽的晶体管，可采用折叠栅极的方法，节省面积，并减小工艺误差。对于对管设计，可采用交叉互补结构，提高匹配精度。,PNP版图,“交叉互补”对管设计,2023/7/19,36/91,浙大微电子,CMOS集成电路 噪声分析及仿真,集成电路噪声分析及仿真,2023/7/19,37/91,浙大微电子,噪声,噪声是一个随机过程，它限制了一个电路能够处理的最小信号电平；噪声的表示方法:噪声谱 也叫能谱密度PSD（power spectrum density）噪声单位是 或，表示单位Hz的噪声功率噪声分类：相关噪声，幅度相加。非相关噪声，平均功率相加。,2023/7/19

16、,38/91,浙大微电子,电阻热噪声,产生机理：导体中的电子的随机运动尽管平均电流为零，但是它会引起导体两端电压的波动。,热噪声是白噪声，与频率无关热噪声谱与绝对温度成正比;,2023/7/19,39/91,浙大微电子,MOS噪声,MOS热噪声MOS闪烁噪声（1/f噪声）MOS噪声简化模型,2023/7/19,40/91,浙大微电子,MOS热噪声,MOS管的热噪声源主要由沟道贡献的 长沟道MOS器件的热噪声可等效为一个跨接在源漏两端的电流源,一般等于2/3,2023/7/19,41/91,浙大微电子,MOS闪烁噪声,产生机理：在栅氧和沟道界面上存在悬挂键，当电子通过这个界面时，会被随机地吸附和

17、释放，从而影响沟道电流，产生闪烁噪声。表示方法：等效为与栅极串联的电压源,闪烁噪声又称为1/f噪声,2023/7/19,42/91,浙大微电子,MOS闪烁噪声,闪烁噪声是低频噪声，在高频时没有影响。音频芯片设计中，需要特别考虑闪烁噪声的影响。要减少闪烁噪声，就必须增加器件面积。低噪声应用，面积为几千平方微米的器件是不足为奇的。PMOS闪烁噪声较低，所以低噪声运算放大器设计中，常采用PMOS输入差分对。,2023/7/19,43/91,浙大微电子,MOS噪声简化模型,把MOS热噪声和闪烁噪声都等价到MOS的栅极。在计算等效输出噪声或等效输入噪声时，只需把噪声作为栅上输入小信号来处理即可。,MOS

18、噪声集总模型（在低频和中频有效）,MOS管噪声功率谱模型,2023/7/19,44/91,浙大微电子,电容的噪声特性,电容本身不产生噪声，但是会从其它噪声源上累积噪声。,电容上的噪声功率只与电容大小有关。在低噪声设计中，为了达到低噪声，必须采用较大的电容，大大耗费版图面积。,低通滤波器,2023/7/19,45/91,浙大微电子,差分对噪声分析,差分放大器,2023/7/19,46/91,浙大微电子,差分对噪声分析,2023/7/19,47/91,浙大微电子,信噪比和噪声系数(Noise Figure),信噪比：信号与噪声的功率之比，评估信号处理电路中噪声对信号的影响。,或,噪声系数：输入信噪

19、比和输出信噪比的比值，评估信噪比在处理电路中的损失，即该电路抗噪声能力的大小。,或,2023/7/19,48/91,浙大微电子,Cadence下噪声仿真,Cadence提供的噪声分析工具：Noise仿真，用于连续时间系统，以低噪声运算放大器的噪声分析为例。PNoise（Periodic Noise）仿真，用于离散时间系统，以2阶Sigma-Delta调制器的噪声分析为例。,2023/7/19,49/91,浙大微电子,连续时间系统噪声仿真,低噪声运算放大器噪声仿真图 1、差分结构 2、闭环结构 3、单位电阻负反馈,2023/7/19,50/91,浙大微电子,连续时间系统噪声仿真,低噪声运算放大器

20、电路结构图,2023/7/19,51/91,浙大微电子,连续时间系统的噪声仿真步骤,步骤一，打开Analog Design Environment(ADE)窗口 步骤二，选择Analyses菜单，设置成Noise仿真。Output Probe Instance要选择输出端的双端口器件，比如：电阻、电容、电流源、不能选择MOS器件；Input Noise选择Voltage或Current；Input Voltage Source选择电流源或者电压源作为等效噪声输入源。,噪声仿真设置,2023/7/19,52/91,浙大微电子,连续时间系统的噪声仿真步骤,步骤三，开始仿真。噪声仿真无需设置Outp

21、uts图形显示，所以设置好Analyses后可以直接仿真。步骤四，显示仿真结果。选择 Results-Direct Plot菜单，分 别有选项如下：Equivalent Output Noise，Equivalent Input Noise，Squared Output Noise，Squared Input Noise，Noise Figure。,仿真结果选择,2023/7/19,53/91,浙大微电子,选项说明,2023/7/19,54/91,浙大微电子,仿真结果,等效输入噪声和等效输出噪声,2023/7/19,55/91,浙大微电子,开关电容电路理论、设计举例及仿真,2023/7/19,

22、56/91,浙大微电子,开关电容电路背景知识,20世纪70年代早期，模拟采样数据技术被用以代替电阻，得到的电路只包含MOSFET开关、电容和运放。这些电路称为开关电容电路。开关电容电路信号处理的精确性取决于电容比率的精确性（参考SMIC0.18umCMOS工艺中MIM电容的失配特性，0.2pF MIM电容的失配标准差低于0.32%）。开关电容电路信号处理精度远高于由电阻，电容和运算放大器组成的连续时间电路。,2023/7/19,57/91,浙大微电子,开关电容电路背景知识,开关电容电路的主要优点包括(1)与CMOS工艺的兼容性(2)时间常数的高精确性(3)电压的高线性(4)良好的温度特性 主要

23、缺点包括(1)时钟馈通（时钟馈通，指MOS管的栅控时钟信号，通过Cgs,Cgd影响源漏电压的现象）(2)需要无交叠时钟信号(3)要求信号带宽比时钟频率小。,2023/7/19,58/91,浙大微电子,并联开关电容电路,(a)并联开关电容等效电路(b)阻值为R的连续时间电阻,比较得出结论：,并联开关电容模拟电阻是一个三端网络，它模拟的是两个非接地端口间的电阻,2023/7/19,59/91,浙大微电子,开关电容电路的精度,一个模拟信号处理电路的频率或时间精度是由电路时间常数决定的。对于连续时间电路（以一阶低通滤波器电路滤波器为例）,一阶低通滤波器电路,在标准CMOS工艺中，,的精度在,5%到20

24、%间变动,选择并联开关电容模拟R1，,（是时钟频率）,由C1和C2的相对精度以及时钟频率的精度决定,2023/7/19,60/91,浙大微电子,开关电容电路的Cadence仿真方法,PSS分析(Periodic Steady State Analysis)。PSS分析能直接计算出电路周期性稳定状态响应的大信号分析，特别适用于包含多个激励源，且输出与其中部分激励源间呈强烈非线性关系的复杂电路。PSS分析步骤 1、将电路的小信号激励源忽略，计算出电路的稳定工作点 2、将电路响应在该工作点附近线性化，再考虑小信号激励源的影响，从而算出电路总的响应。,2023/7/19,61/91,浙大微电子,开关电

25、容电路的Cadence仿真方法,PSS分析一般同其它小信号分析方法（Periodic Small-signal Analysis）结合使用，例如PXF(Periodic Transfer Function)、PAC(Periodic AC)、PNoise(Periodic Noise),Spectre各种分析工具,2023/7/19,62/91,浙大微电子,开关电容电路的噪声仿真,在Delta-Sigma调制器中，器件热噪声和闪烁噪声通常是主要的限制因素，但是这两种噪声很难通过瞬态仿真来准确获得 Delta-Sigma调制器中许多组成模块的工作点是周期性变化的，我们可以结合Cadence中的P

26、SS和PNoise来仿真这些模块的噪声，进而估计整个调制器的噪声大小及分布以2阶Delta-Sigma调制器为例来介绍开关电容电路的噪声仿真,2023/7/19,63/91,浙大微电子,理论分析,关于Delta-Sigma调制器的器件噪声的几个结论：1、2阶Delta-Sigma调制器中的器件噪声主要由两个级联的开关电容积分器决定。,2阶Delta-Sigma调制器,2023/7/19,64/91,浙大微电子,理论分析,2、在开关电容积分器中，器件噪声独立于输入信号。因此仿真其器件噪声时积分器输入端可以仅加入直流信号，此时积分器的工作点是周期性变化，可以采用PSS和Pnoise进行联合仿真。,

27、开关电容积分器,2023/7/19,65/91,浙大微电子,理论分析,3、开环系统的等效输入噪声与其对应的闭环系统的等效输入噪声相等（假设反馈支路本身并不引入额外噪声）。在采用PSS仿真开环系统时，很容易产生不收敛的问题，而闭环系统的收敛性远远好于开环系统，仿真时间也能大大缩短，所以我们可以通过仿真闭环系统来求解开环系统的等效输入噪声。关于Delta-Sigma调制器器件噪声详细的理论分析参见Manolis Terrovitis and Ken Kundert.Devise Noise Simulation of Delta-Sigma Modulators.In.,2023/7/19,66/

28、91,浙大微电子,如何建立闭环系统,直接对两个级联的开环结构积分器进行PSS仿真，一般难以收敛，因此我们需要建立一个用于噪声仿真的闭环系统。开关电容电路是一个离散 时间系统，反馈到输入的 必须是上一个周期的输出 值。因此，在建立闭环系 统是，我们需要在反馈支 路中加入理想的采样/保持 电路，用来储存上一周期 的输出，同时并不引入额 外的噪声。,用于开关电容积分器噪声仿真的闭环结构,2023/7/19,67/91,浙大微电子,差分结构积分器的噪声仿真,用于差分结构开关电容积分器噪声仿真的闭环结构,2023/7/19,68/91,浙大微电子,2阶Delta-Sigma调制器的噪声仿真,用于2阶De

29、lta-Sigma转换器噪声仿真的闭环结构,由于2阶Delta-Sigma调制器的器件噪声主要由两个级联的开关电容积分器决定,2023/7/19,69/91,浙大微电子,PSS仿真参数设置,在Fundamental Tones框中，Cadence会找到电路中的大信号激励源，并计算出Beat Frequency 和 Beat Period。在本例中，它将找到的是控制开关状态的时钟信号。在Output Harmonics 框中，需要填入谐波个数。所谓谐波，是相对于Beat Frequency 而言的。若填入0，则不考虑谐波的影响。,2023/7/19,70/91,浙大微电子,PSS仿真设置,在Ou

30、tput Harmonics 框中设置需要观察的谐波个数，在本例中，我们考虑信号附近前20个谐波对电路噪声的影响。Accuracy Defaults（errpreset）设置为moderate，而Additional Time for Stabilization（tstab）设置为2.11us（一般取时钟周期的十倍以上）。,PSS仿真参数设置,2023/7/19,71/91,浙大微电子,PNoise仿真设置,1、Maximum sideband 设置噪声分析时需要考虑的（信号频率附近）最大边频带范围。激励信号的所有谐波分量均对电路噪声有影响，而Pnoise仿真只能分析有限个谐波分量对噪声的贡献

31、，所以我们采用Maximum sideband来定义哪些谐波分量对噪声的贡献是需要考虑的。理论上，Maximum sideband值越大，仿真结果越精确，但过大会导致仿真时间过长。,PNoise仿真参数设置,2023/7/19,72/91,浙大微电子,PNoise仿真设置,2、Output可选择probe或voltage，本例中Output选择voltage，其中Positive Output Node和Negative Output Node栏分别选择的是积分器或Sigma-Delta转换器的正负输 出端。3、Input Source 可选择probe，voltage，current或non

32、e。本例 中Input Source选择probe，Input Probe Instance栏填入积分器或Sigma-Delta转换器的输入电压源。,PNoise仿真参数设置,2023/7/19,73/91,浙大微电子,PNoise仿真设置,4、Reference side-band(refsideband)反映的是输入信号频率和输出信号频率之间的变换关系。若refsideband=0，表示电路的输入和输出没有发生频率变换。,PNoise仿真参数设置,2023/7/19,74/91,浙大微电子,PNoise仿真结果,点击Results-Direct Plot-Main Form，出现Direc

33、t Plot Form窗口。在Function栏中，我们可以选择查看输出噪声、输入噪声和噪声系数等；在Signal Level栏中，我们可以选择噪声的单位；在Modifier栏中，我们可以选择噪声是以Magnitude形式输出还是以dB20形式输出。,PNoise仿真输出方式设置,2023/7/19,75/91,浙大微电子,PNoise仿真结果,开关电容积分器的输出噪声,2023/7/19,76/91,浙大微电子,PNoise仿真结果,开关电容积分器的等效输入噪声,在信号带内，低频端闪烁噪声较为明显，中频端器件热噪声占主要地位，噪底很平。开环系统的等效输入噪声的曲线与其对应的闭环系统的等效输入

34、噪声的曲线基本重合,2023/7/19,77/91,浙大微电子,PNoise仿真结果,在信号带内，Delta-Sigma调制器的等效输入噪声主要由第一级积分器决定 到了较高频处，Delta-Sigma调制器和第一级积分器的等效输入噪声均有所增加，这是因为积分器中运算放大器在高频段增益较低所致。,2阶Delta-Sigma转换器的等效输入噪声,2023/7/19,78/91,浙大微电子,噪声分布,通过PNoise仿真可以得到调制器的噪声分布。点击Results-Print-Noise Summary，出现Noise Summary窗口 1、Type分为spot noise和intergrated

35、 noise两种，spot noise指某一频率点上的噪声，而intergrated noise指某一频段内的噪声。,噪声报告设置,2023/7/19,79/91,浙大微电子,噪声分布,2、FILTER选择需要列入噪声报告的器件。本例中选择Include All Types，即噪声报告包括列表中的所有器件。3、Truncate&sort，truncate限制噪声报告中列出的器件个数，仅列出噪声较大的器件；sort根据器件噪声贡献的大小或器件名称等，将噪声报告中列出的器件进行排序，,噪声报告设置,2023/7/19,80/91,浙大微电子,噪声分布,Noise Summary窗口设置确认后，Ca

36、dence将给出Results Display Window，即噪声报告。Param栏中的噪声类型 一般包括：fn（MOS管闪烁噪声）id（MOS管热噪声）rd（电阻热噪声）ib（双极型晶体管基级 电流散粒噪声）ic（双极型晶体管集电 级电流散粒噪声）,噪声报告文本输出结果,2023/7/19,81/91,浙大微电子,Monte Carlo仿真,2023/7/19,82/91,Monte Carlo分析简介,Monte Carlo分析是一种器件参数变化分析，使用随机抽样统计来估算数学函数的计算方法。它需要一个良好的随机数源。这种方法往往包含一些误差，但是随着随机抽取样本数量的增加，结果也会越来

37、越精确。,2023/7/19,浙大微电子,83/91,与corner分析的区别,矩形框四个角和中心表示5个不同工艺角的覆盖范围，而灰色填充表示用Monte Carlo分析得到的实际电路工艺偏差（一般满足高斯分布）。从图中可以看出，满足工艺角变化的范围不一定能完全满足覆盖实际工艺变化范围，因此要用Monte Carlo分析得到工艺角变化的概率，以得到电路的良率。,2023/7/19,浙大微电子,84/91,需要工艺库的支持,Monte Carlo分析是基于统计分析，需要Foundry提供关于工艺变化分布概率，因此首先需要检查工艺文件是否支持Monte Carlo分析。仿真前，更改对应的器件模型s

38、ection。如SMIC 65nm下的mos管为mc。,2023/7/19,浙大微电子,85/91,Monte Carlo仿真流程,1.建立一个基本仿真，如tran仿真。2.选择Tools-Monte Carlo。,2023/7/19,浙大微电子,86/91,3.Number of Runs填入仿真次数，次数越多，仿真时间越长，结果也更精确。4.Starting Run#默认为1即可。如果勾选Append to Previous Scalar Data以集合几次 Monte carlo仿真数据，则该数据不能和已仿真的次数重叠，例如第一次分析设置Starting Run#为1，仿真次数为100，

39、则第二次仿真分析该值至少为101。,2023/7/19,浙大微电子,Monte Carlo仿真流程,87/91,5.Analysis Variation可选Process、Mismatch、Process&Mismatch。6.Output可从菜单Output-Retrieve Outputs 获取ADE界面的输出，也可以自己输入添加。7.菜单“simulation-run”,运行分析，得到仿真结果。,2023/7/19,浙大微电子,Monte Carlo仿真流程,88/91,2023/7/19,浙大微电子,Monte Carlo仿真流程,工艺角仿真：最大离散0.60%,Monte Carlo

40、：3离散0.77%,89/91,作业,从FTP：文件夹中拷贝低压基准源电路至自己的工作站；将基准源电路与自己工作站中对应的仿真库文件进行链接，其中工作站133的仿真库文件路径为：/home/pdk/smic65llrf_121825_2tm_cds_1P6M_2010_12_1_1.1电路中有一项参数未知，希望同学们对该参数进行设计优化，使得基准源的温度系数最小；优化完成后，仿真基准源的温度系数、工艺角、环路稳定性、电源抑制比等。对该基准源进行Monte Carlo仿真，得到输出电压的均值及标准差（1000次仿真）。,浙大微电子,2023/7/19,90/91,浙大微电子,谢谢大家！,2023/7/19,91/91,