《极型半导体器》PPT课件.ppt
《《极型半导体器》PPT课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《《极型半导体器》PPT课件.ppt(19页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、黄君凯 教授,第三章 单极型半导体器件,晶体管双极型晶体管(结型晶体管):有两种载流子(电子、空穴)参与工作。单极型晶体管(场效应晶体管):只有一种极性载流子参加工作,而且是多子。单极型晶体管结型场效应晶体管(JFET):体内场效应晶体管。金属-半导体场效应晶体管(肖特基场效应晶体管)(MESFET):体内场效应晶体管。,黄君凯 教授,绝缘栅场效应晶体管(金属-绝缘体-半导体场效应晶体管)(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)(IGFET:MISFET,MOSFET):表面场效应晶体管。基本结构金属-半导体结构(M-S 结构)。金属 氧化物 半导体结构(MOS 结构)。,黄君凯 教授,3.1 金
2、属 半导体接触,3.1.1 金属 半导体结构一、热平衡时的能带结构1.几个物理量 电子的真空能级:半导体内部电子处于势阱中运动,电子从其中逸 出体外刚好处于静止时的能量。功函数:一个起始能量等于 的电子逸出材料体内进入真 空中所需的最小能量,是以电势表示的功函数。其中 金属功函数 为:(3-1),黄君凯 教授,半导体功函数 为:(3-2)因此,与掺杂情况有关。电子亲和能:半导体导带底电子逸出到真空中所需的最小能量。(3-3)式中 称为电子亲和势,与掺杂无关,仅由材料决定。空间电荷区,扩散运动,空间电荷区,内建电场,漂移运动,热平衡 M-S 结,(仅由半导体表面层杂质提供,如 情况),(和 都一
3、定,没有净电流),热平衡下的能带结构,黄君凯 教授,能带结构(Al-n-Si),黄君凯 教授,能带弯曲,形成势垒。,半导体势垒:,金属势垒(肖特基势垒高度),(3-4),(3-5),注意 能带弯曲判断方法:越大处电势越高,但该处电子能量越低。,黄君凯 教授,势垒阻挡层(肖特基势垒):对多子其阻挡作用(电阻高)反阻挡层(肖特基势阱):对多子起“反”阻挡作用(电阻低)由式(2-32)得出,肖特基势垒宽度 为:(3-6)例题 7 画出金属(功函数)-半导体(功函数)结(包括 n、p 型)四种平衡状态的能带图。,黄君凯 教授,分析,黄君凯 教授,二、非平衡时的能带结构,判断 MS 结正反偏置依据 分析
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 极型半导体器 半导体 PPT 课件
![提示](https://www.31ppt.com/images/bang_tan.gif)
链接地址:https://www.31ppt.com/p-5531718.html