《故障测试》PPT课件.ppt
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1、第4章 微机系统测试算法,概述微机系统测试的基本特点及测试方法概述第4.1节 存储器测试算法RAM测试ROM测试第4.2节 微机系统测试基本概念CPU算法测试CPU功能测试利用应用程序测试,电子科大CAT室,第4章 微机系统测试算法,微机系统的结构,CPU,ROM,RAM,I/O,总线,微机系统组成:CPU,RAM,ROM,I/O特点:微机系统是一个结构和功能都十分复杂的系统;内部结构一般不可知;测试:不能作结构性测试;只能作运行性测试-非完备性测试;分功能块(CPU,RAM,ROM,I/O)测试;,CPU,ROM,RAM,I/O,内部总线,电子科大CAT室,第4.1节 存储器测试算法,1.在
2、硬件系统出厂前要进行产品测试;在嵌入式系统工作之前,一般也要进行自检,其中ROM和 RAM检测必不可少.2.在出厂和使用前应该校验这两种芯片的好坏。测试RAM的方法是写读各个内存单元,检查是否能够正确写入测试ROM的方法是累加各存储单元数值并与校验和比较。,电子科大CAT室,第4.1节 存储器测试算法,RAM随机存取存储器:读/写存储器功能测试存储器ROM只读存储器:读功能测试存储器结构:,存储单元阵列,读写检测放大器,列地址译码及缓存,行地址译码及缓存,I/O,地址线,地址线,读/写线,电子科大CAT室,第节 RAM测试,RAM 生产可能出现的问题:(1)生产工艺不过关,过孔打歪了,与临近信
3、号线距离不满足线规甚至打在了线上。(2)由于搭锡引起的信号线粘连。(3)虚焊/漏焊引起的接触不良(4)不按规程操作,把手印儿印在了高频线上。(5)板子脏了也不吹,覆盖了一层灰尘(内含金属微粒)。,电子科大CAT室,第节 RAM测试,RAM 生产可能出现的现象:(1)地址线A0和A1粘连。读出XXX00、XXX01、XXX10三个字节的数据完全一样。(2)数据线D0和D1粘连。D0和D1只要有一个为0,那么两条线都为0。(3)接触不良。时好时坏。(4)器件表面处理不干净,有助焊剂残留。低速访问正常,大负荷高速访问频繁死机。,电子科大CAT室,第节 RAM测试,1.RAM 故障类型:(1)寻址故障
4、地址引线折断;地址译码器坏;I/O晶体管击穿;(2)存储单元损坏存储单元s-a-0/s-a-1故障;(3)响应时间变漫(电容性负载变大,开关响应变慢)重写:同一数据重复写入二个或三个存储单元;重读:读一个存储单元胡内容时,重复读出二或三次;(4)存储单元间胡寄生耦合数据窜漏;对数据花样敏感;(5)刷新故障动态RAM保持时间变短,数据丢失;,电子科大CAT室,第节 RAM测试,2.测试的基本原则(1)寻址的唯一性-测试地址译码器工作是否正常存储单元的存在性存储单元的可区分性(2)可读/写性-测试读/写功能是否正常可靠写数据可靠读数据(3)存储单元相互之间的干扰性-测试数据花样的敏感性相邻行列干扰
5、全部行列干扰(4)数据的保持性-存储单元对数据的保持能力数据写入后正确的读出能力动态刷新能力,电子科大CAT室,第节 RAM测试,3.测试方法 关键:读/写测试测试图形样式(1)行进法(Marching)先写入全0读出第一个存储单元,应为0写入1读出应为1重复上述步骤,直到全部单元测试完,此时存储单元应全为1读出第一单元,应为1依次写0,读0全部单元测试完成,应全为0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,0,0,0,电子科大CAT室,第节 RAM测试,上述测试可用公式
6、表示:,式中:Cij 第i行第j列存储单元 RCij读出存储单元 W(1)Cij将1写入Cij 单元 W(0)Cij将0写入Cij 单元全部 Cij 的集合在 集合内的总和“,”各有序操作之间的分隔符“0”或”1”下标,背景为1或0,测试复杂度 测试过程的繁琐程度-读/写操作次数。如果存储器的单元数为N,则复杂度为:N+3N+3N=7N 如N=4K 个单元,每次读或写操作周期为 500 ns 测试时间T=7 X 4K X 500 ns=14 ms,电子科大CAT室,第节 RAM测试,改进:写入后,读1和读0放到下一循环中读,即有:,复杂度变为:N+2N+2N=5N行进法可测试的特性有:地址唯一
7、性单元干扰和邻近干扰数据敏感性,电子科大CAT室,第节 RAM测试,(2)走步法(Walking)在全0的背景下,对一个单元写入一个1;读出全部单元内容,其结果除写入1的单元外均为0;将0写入该单元,即又为全0;再对另一单元重复上述过程,到全部单元走完为止;,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,走1,全读,1,全读,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,走0,全读,公式:,电子科大CAT室,第节 RAM测试,改进:写入后,读1和读0放到下一循环中读,即有:,复杂度变为:
8、N+2N+2N=5N行进法可测试的特性有:地址唯一性单元干扰和邻近干扰数据敏感性,电子科大CAT室,第节 RAM测试,(2)走步法(Walking)在全0的背景下,对一个单元写入一个1;读出全部单元内容,其结果除写入1的单元外均为0;将0写入该单元,即又为全0;再对另一单元重复上述过程,到全部单元走完为止;,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,走1,全读,1,全读,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,走0,全读,电子科大CAT室,第节 RAM测试,公式:,复杂度:2(
9、1+N+1)N+2N=2N2+6N,走步法的变形:,0 0 0 00 0 0 00 0 0 00 0 0 0,0 0 0 00 0 0 00 0 0 00 0 0 0,0 0 0 00 0 0 00 0 0 00 0 0 0,0 0 0 00 0 0 00 0 0 00 0 0 0,1 1 1 1,走列,1 1 0 0,走补列,1 1 1 11 1 1 1,走双列,1 1 1 1,走对角线,电子科大CAT室,第节 RAM测试,(3)奔跳法跳列跳对角线乒乓法恢复奔跳法(4)棋盘法(5)移动倒转法,0 0 0 00 0 0 00 0 0 00 0 0 0,Cij,0 1 0 11 0 1 00 1
10、 0 11 0 1 0,1 0 0 00 0 0 00 0 0 00 0 0 0,0 1 1 11 1 1 11 1 1 11 1 1 1,各种方法(测试图形)各有优点,可以根据需要选择!,电子科大CAT室,第节 ROM测试,测试ROM的真正目的是保证程序完整性:嵌入式软件和启动代码存放在ROM里,不能保证长期稳定可靠,因为硬件注定是不可靠的。以FLASH ROM为例,它会由于以下两种主要原因导致程序挥发:1.受到辐射。本身工作在辐射环境里/运输过程中受到辐射(如过海 关时被X光机检查)。2.长时间存放导致存储失效,某些0、1位自行翻转。,电子科大CAT室,第节 ROM测试,ROM只读存储器-
11、只读,存放程序或固定数组等测试方法:校验和-Check sum 求全部ROM代码的校验和,再与正常工作时存 入的校验和比较。如二者一致则ROM无故障,否则,就有故障。实施:ROM相邻存储单元内容逐项半加;再计算机或带微机的仪器中,在开机自检时都必须对RAM和ROM进行测试!,sum,比较,电子科大CAT室,第节 ROM测试,电子科大CAT室,ROM只读存储器-只读,存放程序或固定数组等:0 x88,0 x82,0 xf0,0 x00,0 x85,0 x90,0 x20,0 xe5,0 x20,0 x5b,0 x60,0 xf8,0 x09,0 xb9,0 x04,0 xe3,0 xeb,0 x
12、23,0 xfb,0 x08,0 xb8,0 x07,0 xda,0 x79,0 x00,0 x90,0 x06,0 x60,0 xe9,0 x93,0 x90,0 x00,0 x01,0 xf0,0 x85,0 x90,0 x20,0 x30,0 x01,0 xfa,0 x09,0 xb9,0 x10,0 xed,0 x75,0 x10,0 x40,0 x75,0 x11,0 x40,0 x75,0 x12,0 x40,0 x75,0 x13,0 x40,0 x75,0 x14,0 x40,0 x75,0 x15,0 x40,0 x7d,0 x00,0 x79,0 x40,0 x77,0 x
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