《快速热退火》PPT课件.ppt
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1、Rapid Thermal Process,快速热退火,集成电路工艺,RTP,离子注入,离子注入后的硅片,集成电路工艺,RTP,注入损伤,离子注入技术可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度,在注入过程中,进入靶内的原子通过碰撞把能量传递给靶原子,最后停止在靶内某一位置,入射离子与原子核碰撞会使原子移动,若碰撞时的能量大于靶原子的激活能,则靶原子得到此能量后将可以从晶格的平衡位置脱出而产生空位,而一位原子和注入离子则停留在间隙或替位位置上,Si,P,P,P,P,P,有离子注入形成的损伤区和畸变团直接影响半导体材料和微电子产品的特性,增加了散射中心,使载流子迁移率下降;,增加了缺陷数目,是少子寿命下降
2、且pn结方向漏电流增大等,大部分注入离子非替位式杂质,无电活性,不能提供导电性能,集成电路工艺,RTP,退火,退火(Anneal),就是利用热能(Thermal)将离子注入后的样品进行热处理,以消除辐射损伤,激活注入杂质,恢复晶体的电性能。,集成电路工艺,低剂量所造成的损伤,一般在较低温度下退火就可以消除,而高剂量形成的非晶区重新结晶要在550600的温度范围才能实现。,随着集成电路的发展,常规的热退火方法已经不能满足要求。因为它不能完全消除缺陷而且会产生二次缺陷,高剂量注入时点激活率也不够高。,集成电路工艺,RTP,快速热退火,可以降低高温下源和漏极杂质在高温下的扩散。,RTP,集成电路工艺
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