72激光调制与偏转.ppt
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1、7.5.1 激光调制的基本概念,激光调制:将信息加载于激光的过程。,载波:激光(高频),调制信号:起控制作用的低频信息,内调制(直接调制),加载调制信号是在激光振荡过程中进行的,即以调制信号去改变激光器的振荡参数,从而改变激光输出特性以实现调制。内调制主要用在光通信用的注入式半导体光源中。,外调制,激光形成以后,在激光器的光路上放置调制器,用调制信号改变调制器的物理性能,当激光通过调制器时,就会使光波的某个参量受到调制。,7.5 激光调制技术,利用KDP晶体在电场作用下的双折射效应制作电光调制器;利用超声波作用下介质折射率周期性变化的声光效应可以制作声光调制器;利用法拉第效应可以制作磁光调制器
2、与光隔离器。,2.主要物理效应,1.振 幅 调 制,使载波的振幅随着信号的变化规律而变化,2.频 率 调 制 和 相 位 调 制,光载波的频率或相位随着调制信号的变化规律而改变,频率调制,激光的电场强度,相位调制,产生无数多个边频,当m很小时,边频数量减少。,频率调制和相位调制都是调角度,3.强 度 调 制,光载波的强度(光强)随调制信号规律而变化,设调制信号是单频余弦波,则调制强度为:,实际应用中,为了得到较强的抗干扰效果,往往利用二次调制方式,即先用低频信号对一高频副载波进行频率调制,然后再利用这个已调频波进行强度调制(称为FM/IM调制),使光的强度按副载波信号的规律变化。信号在调频波中
3、,抗干扰能力强。,4.脉 冲 调 制,用一种间歇的周期性脉冲序列作为载波,使载波的某一参量按调制信号规律变化的调制方法。,脉冲编码调制(采样、量化、编码),5.脉冲编码调制(数字调制),1.光在晶体中的传播,(1)晶体的极化率与介电系数 介质极化强度P与入射光E的关系:,极化率 成为二阶张量,具有九个分量:,于是,各向异性晶体中P每一个分量都与E的三个分量存在着线性关系,P不再与E同向。各向同性晶体有一一对应关系。,7.5.2 电光调制,由电磁场方程,得,根据,简化下标得:,选择坐标系为晶体的主介电坐标系,则张量非对角元素为零:,折射率,低级晶族3个分量不相等,中级晶族有2个相等,高级晶族3个
4、都相等,确定两个允许传输波的偏振方向及其相速度。,直角主介电坐标系中,两波面沿三主轴分量表示为通式,(2)折射率椭球,单轴晶体折射率椭球,取光轴为z轴,沿x、y轴的主折射率相等,说明xoy平面内传播光的D、E方向一致,与各向同性介质中光波性质一样,称寻常光,相应主折射率为寻常折射率,记为no,沿光轴的主折射率称非常折射率,记为ne,(a)正单轴晶体(b)负单轴晶体 单轴晶体折射率椭球,单轴晶体折射率椭球特性,(a)xoy平面与椭球截面是一个圆,其半径为no。表明当光波沿着z轴方向传播时,即ki平行于光轴时,只存在一种折射率no,光波电位移矢量D可取垂直于Z轴的任何方向,于是,不产生双折射。z轴
5、即单轴晶体光轴。(b)xoz、yoz平面,或其它含z轴的椭球截面为一椭圆,其两半轴长度分别为、。表明当光垂直于光轴入射(ki垂直于光轴,处于xoy平面内)时,可允许两个彼此正交的线偏振光传播,其中一个光波偏振方向平行于光轴、折射率为,另一光波偏振方向垂直于光轴、折射率为。,(c)当ki 与光轴夹角为 时,通过原点O垂直于ki 的平面与椭球的截面为一椭圆,其长、短轴为允许的偏振方向,对应于两种本征光波:寻常光:偏振方向与SOZ平面垂直,折射率及相速与 无关,D、E方向一致,折射率no称寻常折射率非常光:偏振方向在SOZ平面内,折射率ne()满足方程:,折射率与相速和角度 有关,D与E方向不一致。
6、,任意方向传播的双折射,单轴晶体k-z平面与折射率面的交线:表示折射率随传播方向的变化,(a)正单轴晶体(b)负单轴晶体,正负单轴晶体k-z平面与折射率面的交线,寻常光的折射率面为球面;非常光的折射率面为椭球面,2.电光效应,电光效应:当介质的两端所加外电场较强时,介质内的电子分布状态将发生变化,以致介质的极化强度以及折射率也各向异性地发生变化的现象。电光效应弛豫时间很短,仅有10-11量级外场的施加或撤消导致的折射变化或恢复瞬间即可完成可用作高速调制器、高速开关等,(a)外加电场相对光场为低频(b)外加电场沿着某一介电主轴作用于晶体,此时D与E的方向一致,因而D只随E的大小变化。,为突出物理
7、思路、简化推导,讨论基于以下条件:,(1)泡克尔斯(Pockels)效应 与克尔(Kerr)效应,当外加电场沿某一介电主轴作用于晶体时,电位移矢量为,为不加电场时的介电常数,称线性介电常数。,定义D(E)的斜率为加电场后的介电常数:,第一项大大于后面各项,作泰勒级数展开,(2)KDP晶体的线性电光效应,KDP晶体是人工生长的KH2PO4单轴晶体的简称。不加外场,折射率椭球为:,外加电场作用后,新的折射率椭球为:,外加电场引起了折射率椭球中的后三项,即“交叉项”,这意味着加上电场后,椭球的主轴不再是x、y、z轴,而是有所偏转。新主轴、的方向和大小与E的关系就确定了电场对光传播的影响。,(a)外加
8、电场平行于光轴(Z轴):,设新主轴 相对旧主轴 旋转了角度,则,在新主轴坐标系 中,折射率椭球方程变为:,结论:(1)施加外场E3后,椭球的xoy截面由圆变为椭圆,折射率椭球由旋转椭球面变为一般椭球面,KDP由单轴晶体变为双轴晶体。,(2)沿 方向偏振的光传播相速度加大,而沿 方向偏振的光传播速度减小,因此 轴称为快轴,轴为慢轴。,(b)外加电场垂直于光轴,新主轴坐标系中三个主折射率近似为,(1)施加外场后,新折射率椭球的主轴是由旧主轴绕 y旋转角后形成的,与外加电场成正比,但是一个小值。(2)施加外场后,折射率椭球由旋转椭球变为一般椭球,单轴晶体变为双轴晶体,双轴晶体的光轴方向之一仍为原 z
9、 轴,另一光轴位于以 轴为对称轴且和 z 对称的方向上。,(3)电光相位延迟 以外加电场平行于光轴(Z轴)的KDP晶体为例,光波沿z方向传播距离l后,两偏振光之间的相位差为,当相位延迟时,光场为x方向偏振的线偏振光,当/2时,光场为圆偏振光,当时,光场又变成沿y方向偏振的线偏振光。与对应的偏振光相对入射光旋转了90,其相应的电压称为半波电压 晶体的电光系数越大,相应半波电压越低.通过测量半波电压可以计算出相应的电光系数。,部分晶体的 和,3.电光强度调制,(1)纵向电光强度调制,(1)电光强度调制装置由两块交叉偏振片及其间放置的一块单轴电光晶体组成。偏振片的通振动方向分别与x、y轴平行。,(2
10、)设某时刻加在电光晶体上的电压为V,入射到晶体的在x方向上的线偏振光电矢量振幅为E0,进入晶体时沿快轴 和慢轴 的电矢量振幅都变为,通过晶体后沿 和 方向的二线偏振光之间的位相差,通过振动方向与 y 轴平行的偏振片检偏后产生的光振幅分别为,则有:,投影之和为:,图(4-22)I/I0-V曲线,(4)如外加信号电压为正弦电压,则输出光强近似为正弦形,实现无失真调制。,(3)画出 曲线的一部分以及光强调制的情形。为使工作点选在曲线中点处,通常在调制晶体上外加直流偏压 来完成,或者插入/4波片,使之产生90度的相位差。,应用,应用,使用电光调制器的光通信线路,激光器输出为偏振光,(2)横向电光强度调
11、制,第一项表示天然双折射造成的相位差;第二项由电光效应引起,为电光延迟。,由第一项确定工作点位置后,根据第二项正比于l/d,恰当选择长宽比,以实现有效的电光调制。,消除天然双折射方法:两块晶体串接(Z轴垂直),电压加在X方向,入射光沿Z方向,X方向偏振;X、Y、Z与晶体边平行。,横向电光调制可降低半波电压,用两块晶体可消除自然双折射,但结构较复杂。,4 电光相位调制,(1)加电场后,振动方向与晶体的感应主轴相平行的光通过长度为 的晶体,其位相增加为,(2)晶体上所加的是正弦调制电场 晶体输入面处的光场是,式中,为相位调制度,(3)则在晶体输出面处的光场可写成,5.波导电光调制器,波导调制器是将
12、具有电光特性的材料做成光波导,调制电场加在通光波导区,可以在很低的外加电压下获得所需的调制场强。可以通过波导特性,如模式转换、模式耦合、定向耦合等特性来实现光的直接强度调制与开关等。波导调制器具有效率高、体积小、集成度高、易于与光纤耦合等优点。,(1)M-Z干涉仪强度调制器,晶体材料为铌酸锂晶体(LiNbO3),其中的光波导是在晶体上用钛扩散(折射率提高)技术制作的。,电信号加到如图所示的电极上,来自激光器的连续光波输入到调制器的左端,然后被均匀地分配到光波导的两个臂中,两光路长度相等。由于电光效应,其折射率及到达输出端的光程差和位相随外加电压的变化而变化,在时间上发生延迟。两束光到达输出端后
13、,经3 dB光耦合器耦合在一起由一路光纤输出。,根据这一原理,即可完成光信号强度随电信号的变化而不断改变的调制过程,即实现强度调制。图中,沿方向切割LiNbO3晶体,光波沿z方向传输,调制电场施加于y方向。设入射光场为,调制电压为,外加电场作用下光波产生的相位变化为 式中L为调制区间长度。,从调制臂输出的光场为 式中,为调制深度。此时,经过调制臂的光波相位已经受到调制,在输出端,此路调制光波与另外一路未调制光波在3 dB 耦合器上干涉,就可以得到强度调制的光波信号输出。,调制器输出光强为,输出光强随信号电压V变化。,(2)定向耦合器型光波导调制器,M-Z干涉仪由2个3dB耦合器和1个移相器组成
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