《半导体三极管》PPT课件.ppt

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1、3.1 半导体三极管（BJT）,3.1.1 BJT的结构简介,3.1.2 BJT的电流分配与放大原理,3.1.3 BJT的特性曲线,3.1.4 BJT的主要参数,3.1 半导体三极管（BJT）,半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管,发射结(Je),集电结(Jc),基极，用B或b表示（Base）,发射极，用E或e表示（Emitter）；,集电极，用C或c表示（Collector）。,发射区,集电区,基区,三极管符号,3.1 半导体三极管（BJT）,发射区的掺杂浓度最高；,集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；,基区很薄，一般在几个微米至

2、几十个微米，且掺杂浓度最低。,管芯结构剖面图,结构特点：,3.1.2 BJT的电流分配与放大原理,1.内部载流子的传输过程,三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。,发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子（以NPN为例）,载流子的传输过程,3.1.2 BJT的电流分配与放大原理,以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT(Bipolar Junction Transistor)。,2.电流分配关系,载流子的传输过程,IE=IB+IC,根据传输过程可知,2.电流分配关系,

3、根据,IE=IB+IC,得到,IE=(1+)IB,3.放大作用,若,vI=20mV,使,当,则,电压放大倍数,VEE,VCC,VEB,IB,IE,IC,vI,+vEB,+iC,+iE,+iB,iE=1 mA，,iC=iE=0.98 mA，,vO=iC RL=0.98 V，,=0.98 时，,4.三极管的三种组态,共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;,共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。,共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；,BJT的三种组态,4.共射放大,VBB,VCC,VBE,IB,IE,IC,vI,+vBE,+iC,+iE,+iB,vI=20mV,设,若,则,电压

4、放大倍数,iB=20 uA,vO=-iC RL=-0.98 V，,=0.98,使,3.1.2 BJT的电流分配与放大原理,综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。,3.1.3 BJT的特性曲线,vCE=0V,iB=f(vBE)vCE=const,(2)当vCE1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。,(1)当vCE=0

5、V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。,1.输入特性曲线,（以共射极放大电路为例）,(3)输入特性曲线的三个部分,死区,非线性区,线性区,3.1.3 BJT的特性曲线,1.输入特性曲线,输出特性曲线,iC=f(vCE)iB=const,输出特性曲线的三个区域:,3.1.3 BJT的特性曲线,2.输出特性曲线,3.1.4 BJT的主要参数,(1)共发射极直流电流放大系数=（ICICEO）/IBIC/IB vCE=const,1.电流放大系数,(2)共发射极交流电流放大系数=IC/IBvCE=const,3.1.4 BJT的主要参数,1.电流放大系数,(3)共基极直流电流放大系数=（ICICBO）

6、/IEIC/IE,(4)共基极交流电流放大系数=IC/IE VCB=const,当ICBO和ICEO很小时，、，可以不加区分。,1.电流放大系数,3.1.4 BJT的主要参数,(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+）ICBO,2.极间反向电流,ICEO,(1)集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。,3.1.4 BJT的主要参数,(1)集电极最大允许电流ICM,(2)集电极最大允许功率损耗PCM,PCM=ICVCE,3.极限参数,3.1.4 BJT的主要参数,(3)反向击穿电压,V(BR)CBO发射极开路时的集电结反 向击穿电压。,V(BR)

7、EBO集电极开路时发射结的反 向击穿电压。,V(BR)CEO基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。,几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR)EBO,3.极限参数,3.1.4 BJT的主要参数,由PCM、ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。输出特性曲线上的过损耗区和击穿区,（思考题）,1.既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。,思 考 题,2.能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？,3.为什么说BJT是电流控制器件？,思考题,？,3.2 共射极放大电路,电路组成,简化电路及习惯画法

8、,简单工作原理,放大电路的静态和动态,直流通路和交流通路,书中有关符号的约定,3.2 共射极放大电路,输入回路（基极回路）,输出回路（集电极回路）,1.电路组成,共射电路组成,习惯画法,共射极基本放大电路,2.简化电路及习惯画法,Vi=0,Vi=Vsint,3.简单工作原理,静态：输入信号为零（vi=0 或 ii=0）时，放大电路的工作状态，也称直流工作状态。,动态：输入信号不为零时，放大电路的工作状态，也称交流工作状态。,电路处于静态时，三极管个电极的电压、电流在特性曲线上确定为一点，称为静态工作点，常称为Q点。一般用IB、IC、和VCE（或IBQ、ICQ、和VCEQ）表示。,#放大电路为什

9、么要建立正确的静态？,4.放大电路的静态和动态,交流通路,直流通路,共射极放大电路,5.直流通路和交流通路,？,思 考 题,1.下列af电路哪些具有放大作用？,用近似估算法求静态工作点,用图解分析法确定静态工作点,交流通路及交流负载线,输入交流信号时的图解分析,BJT的三个工作区,输出功率和功率三角形,3.3.1 静态工作情况分析,3.3.2 动态工作情况分析,3.3 图解分析法,共射极放大电路,1.用近似估算法求静态工作点,根据直流通路可知：,采用该方法，必须已知三极管的 值。,一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V。,3.3.1 静态工作情况分析,采用该方法分析静态工作点，必须已知

10、三极管的输入输出特性曲线。,共射极放大电路,2.用图解分析法确定静态工作点,首先，画出直流通路,3.3.1 静态工作情况分析,列输入回路方程：VBE=VCCIBRb,列输出回路方程（直流负载线）：VCE=VCCICRc,在输入特性曲线上，作出直线 VBE=VCCIBRb，两线的交点即是Q点，得到IBQ。,在输出特性曲线上，作出直流负载线 VCE=VCCICRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ 和ICQ。,由交流通路得纯交流负载线：,共射极放大电路,vce=-ic(Rc/RL),因为交流负载线必过Q点，即 vce=vCE-VCEQ ic=iC-ICQ 同时，令RL=Rc/RL,1.

11、交流通路及交流负载线,则交流负载线为,vCE-VCEQ=-(iC-ICQ)RL,即 iC=(-1/RL)vCE+(1/RL)VCEQ+ICQ,3.3.2 动态工作情况分析,2.输入交流信号时的图解分析,3.3.2 动态工作情况分析,共射极放大电路,#动态工作时，iB、iC的实际电流方向是否改变，vCE的实际电压极性是否改变？,通过图解分析，可得如下结论：1.vi vBE iB iC vCE|-vo|2.vo与vi相位相反；3.可以测量出放大电路的电压放大倍数；4.可以确定最大不失真输出幅度。,图解分析,3.3.2 动态工作情况分析,3.BJT的三个工作区,当工作点进入饱和区或截止区时，将产生非

12、线性失真。,饱和区特点：iC不再随iB的增加而线性增加，即,此时,截止区特点：iB=0，iC=ICEO,vCE=VCES，典型值为0.3V,非线性失真,波形的失真,饱和失真,截止失真,由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为底部失真。,由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为顶部失真。,注意：对于PNP管，由于是负电源供电，失真的表现形式，与NPN管正好相反。,3.3.2 动态工作情况分析,3.BJT的三个工作区,#放大区是否为绝对线性区？,放大电路的动态范围,放大电路要想获得大的不失真输出幅度，要

13、求：,工作点Q要设置在输出特性曲线放大区的中间部位；,3.3.2 动态工作情况分析,3.BJT的三个工作区,要有合适的交流负载线。,4.输出功率和功率三角形,要想PO大，就要使功率三角形的面积大，即必须使Vom 和Iom 都要大。,功率三角形,放大电路向电阻性负载提供的输出功率,在输出特性曲线上，正好是三角形ABQ的面积，这一三角形称为功率三角形。,3.3.2 动态工作情况分析,共射极放大电路,放大电路如图所示。已知BJT的=80，Rb=300k，Rc=2k，VCC=+12V，求：,（1）放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？,（2）当Rb=100k时，放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个

14、区域？（忽略BJT的饱和压降）,解：（1）,（2）当Rb=100k时，,静态工作点为Q（40uA，3.2mA，5.6V），BJT工作在放大区。,其最小值也只能为0，即IC的最大电流为：,所以BJT工作在饱和区。,VCE不可能为负值，,此时，Q（120uA，6mA，0V），,例题,3.4.1 BJT的小信号建模,3.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析,H参数的引出,H参数小信号模型,模型的简化,H参数的确定,（意义、思路）,利用直流通路求Q点,画小信号等效电路,求放大电路动态指标,3.4 小信号模型分析法,建立小信号模型的意义,建立小信号模型的思路,当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三

15、极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。,由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。,3.4.1 BJT的小信号建模,1.H参数的引出,在小信号情况下，对上两式取全微分得,用小信号交流分量表示,vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,对于BJT双口网络，我们已经知道输入输出特性曲线如下：,iB=f(vBE)vCE=const,iC=f(vCE)iB=const,可以写成：,输出端交流短路时的输入电阻；,输出端交流短

16、路时的正向电流传输比或电流放大系数；,输入端交流开路时的反向电压传输比；,输入端交流开路时的输出电导。,其中：,四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H参数）。,1.H参数的引出,2.H参数小信号模型,根据,可得小信号模型,H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。H参数与工作点有关，在放大区基本不变。H参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析。,3.模型的简化,即 rbe=hie=hfe uT=hre rce=1/hoe,一般采用习惯符号,则BJT的H参数模型为,uT很小，一般为10-310-4，rce很大，约为100k。故一般可忽略它们的影响，得到简化电路,ib 是受控源，且为电流控

17、制电流源(CCCS)。电流方向与ib的方向是关联的。,4.H参数的确定,一般用测试仪测出；,rbe 与Q点有关，可用图示仪测出。,一般也用公式估算 rbe,rbe=rb+(1+)re,其中对于低频小功率管 rb200,则,3.4.2 用H参数小信号模型分析共 射极基本放大电路,共射极放大电路,1.利用直流通路求Q点,一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V，已知。,2.画出小信号等效电路,共射极放大电路,H参数小信号等效电路,3.求电压增益,根据,则电压增益为,（可作为公式）,4.求输入电阻,令,1.电路如图所示。试画出其小信号等效模型电路。,解：,例题,例题,解：,（1）,（2）,温度

18、变化对ICBO的影响,温度变化对输入特性曲线的影响,温度变化对 的影响,稳定工作点原理,放大电路指标分析,固定偏流电路与射极偏置电路的比较,3.5.1 温度对工作点的影响,3.5.2 射极偏置电路,3.5 放大电路的工作点稳定问题,1.温度变化对ICBO的影响,2.温度变化对输入特性曲线的影响,温度T 输出特性曲线上移,温度T 输入特性曲线左移,3.温度变化对 的影响,温度每升高1 C，要增加0.5%1.0%,温度T 输出特性曲线族间距增大,3.5.1 温度对工作点的影响,温度对Q点的影响,1.稳定工作点原理,目标：温度变化时，使IC维持恒定。,如果温度变化时，b点电位能基本不变，则可实现静态

19、工作点的稳定。,T,IC,IE,IC,VE、VB不变,VBE,IB,（反馈控制）,I1 IB，,此时，,不随温度变化而变化。,VB VBE,且Re可取大些，反馈控制作用更强。,一般取 I1=(510)IB，VB=3V5V,3.5.2 射极偏置电路,2.放大电路指标分析,静态工作点,2.放大电路指标分析,电压增益,输出回路：,输入回路：,电压增益：,画小信号等效电路,确定模型参数,已知，求rbe,增益,2.放大电路指标分析,输入电阻,根据定义,由电路列出方程,则输入电阻,放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻,2.放大电路指标分析,输出电阻,输出电阻,求输出电阻的等效电路,网络内独立源置零,负载开

20、路,输出端口加测试电压,对回路1和2列KVL方程,rce对分析过程影响很大，此处不能忽略,其中,则,当,时，,3.固定偏流电路与射极偏置电路的比较,共射极放大电路,3.固定偏流电路与射极偏置电路的比较,固定偏流共射极放大电路,Ro=Rc,#射极偏置电路做如何改进，既可以使其具有温度稳定性，又可以使其具有与固定偏流电路相同的动态指标？,电路分析,复合管,静态工作点,动态指标,三种组态的比较,3.6.1 共集电极电路,3.6.2 共基极电路,3.6 共集电极电路和共基极电路,1.电路分析,共集电极电路结构如图示,该电路也称为射极输出器,求静态工作点,由,得,3.6.1 共集电极电路,电压增益,输出

21、回路：,输入回路：,电压增益：,画小信号等效电路,确定模型参数,已知，求rbe,增益,1.电路分析,其中,一般,，则电压增益接近于1，,即,电压跟随器,输入电阻,根据定义,由电路列出方程,则输入电阻,当,，,时，,1.电路分析,输入电阻大,输出电阻,由电路列出方程,其中,则输出电阻,当,，,时，,输出电阻小,#既然共集电极电路的电压增益小于1（接近于1），那么它对电压放大没有任何作用。这种说法是否正确？,2.复合管,作用：提高电流放大系数，增大电阻rbe,复合管也称为达林顿管,1.静态工作点,直流通路与射极偏置电路相同,3.6.2 共基极电路,2.动态指标,电压增益,输出回路：,输入回路：,电

22、压增益：,#共基极电路的输入电阻很小，最适合用来放大何种信号源的信号？,2.动态指标,输入电阻,输出电阻,3.三种组态的比较,例题,解：,3.7.1 单时间常数RC电路的频率响应,3.7.2 单极放大电路的高频响应,RC低通电路的频率响应,RC高通电路的频率响应,3.7.3 单极放大电路的低频响应,3.7.4 多级放大电路的频率响应,多级放大电路的增益,多级放大电路的频率响应,低频等效电路,低频响应,3.7 放大电路的频率响应,3.7.1 单时间常数RC电路的频率响应,1.RC低通电路的频率响应,（电路理论中的稳态分析）,RC电路的电压增益（传递函数）：,则,且令,又,电压增益的幅值（模）,（

23、幅频响应）,电压增益的相角,（相频响应）,增益频率函数,最大误差-3dB,频率响应曲线描述,幅频响应,0分贝水平线,斜率为-20dB/十倍频程 的直线,相频响应,1.RC低通电路的频率响应,表示输出与输入的相位差,高频时，输出滞后输入,因为,所以,2.RC高通电路的频率响应,RC电路的电压增益：,幅频响应,相频响应,输出超前输入,3.7.2 单极放大电路的高频响应,1.BJT的高频小信号建模,模型的引出,模型简化,模型参数的获得,的频率响应,2.共射极放大电路的高频响应,型高频等效电路,高频响应,3.共基极放大电路的高频响应,增益-带宽积,高频等效电路,高频响应,几个上限频率的比较,3.7.2

24、 单极放大电路的高频响应,1.BJT的高频小信号建模,模型的引出,-发射结电容,-集电结电阻,-集电结电容,rbb-基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点。,互导,3.7.2 单极放大电路的高频响应,1.BJT的高频小信号建模,模型简化,混合型高频小信号模型,又因为,所以,模型参数的获得,（与H参数的关系）,1.BJT的高频小信号建模,低频时，混合模型与H参数模型等效,所以,又 rbe=rb+(1+)re,的频率响应,由H参数可知,1.BJT的高频小信号建模,即,根据混合模型得,低频时,所以,共发射极截止频率,的频率响应,1.BJT的高频小信号建模,的幅频响应,令,则,特征频率,共基极截止频率

25、,2.共射极放大电路的高频响应,型高频等效电路,等效电路,2.共射极放大电路的高频响应,型高频等效电路,对节点 c 列KCL得,电路简化,忽略 的分流得,称为密勒电容,等效后断开了输入输出之间的联系,2.共射极放大电路的高频响应,型高频等效电路,电路简化,最后,2.共射极放大电路的高频响应,高频响应,由电路得,电压增益频响,又,其中,低频增益,上限频率,2.共射极放大电路的高频响应,增益-带宽积,BJT 一旦确定，,带宽增益积基本为常数,#如何提高带宽？,例题,解：,模型参数为,低频电压增益为,又因为,所以上限频率为,3.共基极放大电路的高频响应,高频等效电路,3.共基极放大电路的高频响应,高

26、频响应,列 e 点的KCL,而,所以电流增益为,其中,电压增益为,其中,特征频率,忽略,3.共基极放大电路的高频响应,几个上限频率的比较,的上限频率,特征频率,共基极上限频率,共发射极上限频率,共基极电路频带最宽，无密勒电容,3.7.3 单极放大电路的低频响应,1.低频等效电路,3.7.3 单极放大电路的低频响应,2.低频响应,按图3.7.13参数计算,中频增益,当,则,下限频率取决于,即,3.7.4 多极放大电路的频率响应,1.多级放大电路的增益,前级的开路电压是下级的信号源电压,前级的输出阻抗是下级的信号源阻抗,下级的输入阻抗是前级的负载,3.7.4 多极放大电路的频率响应,2.多级放大电路的频率响应,（以两级为例）,则单级的上下限频率处的增益为,当两级增益和频带均相同时，,两级的增益为,即两级的带宽小于单级带宽,三级放大电路参量计算,CE-CB-CC型三级放大电路如图所示。已知T的均为100，rbb100，UBE0.7V。,小信号等效电路图,