《化学沉铜介绍》PPT课件.ppt

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1、孔金属化,目的：在基材表面沉积导电层，实现层间电气连接化学沉铜（Electroless Copper)：lating Through Holes,生产流程,刷板 去钻污处理 化学沉铜,刷 板,目的：1.去孔口毛刺 2.板面清洁,去钻污处理,目的:1.去除内层铜箔残留的钻污,保证结 合良好.2.改善孔壁结构,加强结合力.工艺流程:溶胀 去钻污 中和,溶胀(Swelling),目的:使树脂表面膨胀,降低分子键能,利 于去钻污反应的进行.工艺控制:温度60-80C 时间5-10 min,去钻污(Desmearing),目的:利用KMnO4的强氧化性,将钻污除去反应原理:MnO4+C+OH MnO42

2、-+CO2+2H2O 副反应:MnO4-+OH-MnO42-+O2+2H2O MnO42-+H20 MnO2+O2+2OH-工艺控制:温度75-85C 时间10-20 min,中和（Reducing),目的：将残留于孔壁的MnO4-、MnO42-、MnO2还原工艺控制：温度40-50C 时间4-8 min,化学沉铜,工艺流程：调整 微蚀 预浸 催化 加速 沉铜,调整（Conditioner),目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的 吸附工艺控制：温度45-55C 时间4-8 min,微蚀（Micro Etch),目的：1.清洁板面 2.板面形成粗糙结构,保证沉铜层 与基材铜的结合力.反应原理:Cu

3、+Na2S2O8 CuSO4+Na2SO4工艺控制：温度25-35C 时间1-3 min,预浸(Predip),目的:防止前工位处理对催化槽的污染工艺控制：温度 常温 时间1-2 min,催化（atalyst）,目的：孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂钯胶体（dSnCL3n-)工艺控制：温度 40-45C 时间 4-6 min钯胶体的水解：d（SnCL）d+Sn(OH)2+Sn(OH)4+CL-,加速（ccelerator),目的：将钯d周围的n沉积物除去工艺控制：温度2-3C 时间-min反应原理：Sn(OH)2+Sn(OH)4+-Sn2+Sn4+H2O,化学沉铜（lectroless Coppe

4、r),反应原理：Cu2+2HCHO+4OH-Pd Cu+2HCOO-+2H20+H2反应特点：.自身催化反应.一定时间内沉积一定厚度的铜层工艺控制：温度-3C 时间-min,化学沉铜（lectroless Copper),主要副反应：Cu2+HCHO+OH-CuO+HCOO-+H20CuO+H20 Cu+Cu2+OH-HCHO+OH-HCOO-+CH3OH解决方法：.维持鼓气.加强过滤.周期性维护沉铜槽,品质控制,.背光检查：要求级.沉铜厚度：.um.去钻污厚度：.mg/cm2.层间结合：热冲击实验、金相切片,问题及设备加工能力,问题：.孔内无金属.孔壁粗糙.层间分离加工能力：.加工尺寸：“*

5、”、板厚.mm、板厚孔径比：.最大加工产能m2/月,化学沉铜工艺分类,催化剂分类：.胶体钯d（SnCL）.离子钯d2+沉铜厚度分类：.沉薄铜（.um）.沉厚铜（.um）,化学沉铜存在的缺点,.溶液中含有，废水处理难.使用甲醛作还原剂，甲醛是致癌物质不利于健康.氧化还原反应，过程控制难,直接电镀,特点：.不含、等.反应为物理吸附过程，易控制。.工艺流程简化.适用于水平或垂直分类：.d导电金属薄层.导电高分子材料.炭或石墨导电层,钯系列,常见工艺流程：（去钻污处理）整孔 预浸 催化 加速 硫化 后处理 微蚀供应商：Shipley、Atotech、Blasberg等适用设备：水平线及垂直线,导电性高分子系列,常见工艺流程：（去钻污处理）整孔 KMnO4氧化处理 有机单体催化处理 浸酸原理：C+KMnO4 CO2+MnO2MnO2+吡咯 导电性聚吡咯+Mn2+供应商：Atotech、Blasberg等适用设备：水平线及垂直线,碳黑系列,常见工艺流程：（去钻污处理）清洁 整孔 黑孔化 干燥 微蚀准备 微蚀 水洗供应商：MacDermid、Electro-chemical等适用设备：水平线及垂直线,