《化学传感器》PPT课件.ppt
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1、第13章 化学传感器,能将各种化学物质的特性(如气体、离子、电解质浓度、空气湿度等)的变化定性或定量地转换成电信号的传感器称作化学传感器。由于化学物质种类繁多,因此化学传感器的种类和数量也很多,各种转换器件的转换原理也各不相同,并且由于转换机理相对比较复杂,因而化学传感器远不如物理传感器那样成熟和普及。但是,随着科学技术的发展,尤其是人类对环保的需要,人们对化学传感器的需求日益增多,化学传感器也就显得日益重要。因此,了解化学传感器是很有必要的。本章主要介绍离子敏、气敏、湿敏和电化学传感器。,一、离子敏传感器,(一)MOSFET场效应管的结构与特性用半导体工艺制作的金属氧化物半导体场效应晶体管的
2、典型结构如图131所示。,(二)离子敏传感器的结构与工作原理,离子敏传感器由离子敏感膜和转换器两部分构成,敏感膜用以识别离子的种类和浓度,转换器则将敏感膜感知的信息转换为电信号。如图133所示。如图134(a)所示为离子场效应管的结构示意图。MOSFET场效应管是利用金属栅上所加电压大小来控制漏源电流的;ISFET则是利用其对溶液中离子有选择作用而改变栅极电位,以此来控制漏源电流变化的。,(三)ISFET的特点和参数,ISFET具有以下特点:1、ISFET具有MOSFET一样的输入阻抗高、输出阻抗低的特点。2、ISFET是全固态化结构,因此具有体积小、重量轻、机械强度高等特点。3、敏感膜可做得
3、很薄,一般可小于100nm。这可使ISFET的水化时间很短,从而使离子活度的响应速度很快,响应时间可小于1S。4、由于ISFET是利用半导体集成电路工艺制造的,易将信息转换部分和信号放大检出部分与敏感器件集成在一块芯片上,实现整个系统智能化、小型化和全固态化。5、由ISFET的结构特点可见,离子敏感材料与场效应晶体管的漏源之间是互相绝缘的,是依靠敏感膜与绝缘体界面电位变化来控制沟道中漏源电流变化的。离子敏场效应管具有以下参数:1、线性度。2、动态响应。3、迟滞。4、选择系数。,(四)ISFET的应用,ISFET可以用来测量离子敏电极所不能测量的生物体中的微小区域和微量离子。因此,它在生物医学领
4、域中具有很强的生命力。此外,在环境保护、化工自控、矿山、地质、土壤、水文以及家庭生活等各个方面都有其作用。(1)对生物体液中无机离子的检测。(2)在环境保护中的应用。(3)在其它方面的应用。,二、半导体气敏传感器,(一)半导体气敏传感器的分类按气电转换分类,有金属氧化物半导体式、接触燃烧式、热传导式、固体电解式、恒电位电解式、伽伐尼电池式、光电干涉式以及红外线吸收式等。按构成气敏传感器材料可分为半导体和非半导体两大类。半导体气敏传感器按照半导体与气体的相互作用是在其表面还是在其内部,可分为表面控制型和体控制型两大类 半导体气敏传感器按照半导体与气体的相互作用是在其表面还是在其内部,可分为表面控
5、制型和体控制型两大类 电阻型半导体气敏传感器利用半导体接触气体时,气体在半导体表面的氧化和还原反应导致敏感元件阻值的改变来检测气体的成份和浓度;非电阻型半导体气敏传感器根据其对气体的吸附和反应,使其某些特性变化对气体进行直接或间接检测。,(二)半导体气敏传感器的工作原理,半导体气敏传感器的敏感元件采用金属氧化物半导体材料,它分为N型、P型和混合型三种。半导体气敏元件的敏感部分是金属氧化物半导体微结晶粒子烧结体,当它的表面吸附被检测气体时,半导体微结晶粒子接触介面的导电电子比例就会发生变化,从而使气敏元件的电阻值随被测气体的浓度改变而改变 当氧化型气体吸附到N型半导体上,或还原型气体吸附到P型半
6、导体上时,将使载流子减少,而使电阻值增大。相反,当还原型气体吸附到N型半导体上,或氧化型气体吸附P型半导体上时,将使载流子增多,使电阻值下降。图136描述了半导体气敏元件吸附被测气体时电阻的变化情况。,(三)半导体气敏传感器的结构及特性,1、SnO2气敏传感器其结构如图137所示,它主要由SnO2烧结体、加热器、电极引线、塑料底座及不锈钢丝网罩等部分组成。SnO2气敏元件的主要特性参数如下:(1)固有有电阻R0和工作电阻RS。(2)灵敏度S。(3)响应时间tes。(4)恢复时间tec。(5)加热电阻RH和 加热功率PH。(6)洁净空气中的 电压U0。(7)标定气体中的 电压UCS。(8)电压比
7、KV。(9)回路电压UC。,2、Fe2O3系气敏传感器,(1)Fe2O3气敏传感器:外形如图139所示。这种传感器对丙烷很敏感,但对甲烷不很敏感。,(2)Fe2O3气敏传感器 其结构如图1310所示。它对甲烷和异丁烷很敏感,但对水蒸气和乙醇不灵敏。,(四)接触燃烧式气敏传感器,结构如图1311所示。在铂丝线圈上涂有氧化铝等材料制成球状物进行烧结,再在外表面敷设铂(Pt)、钯(Pd)和铑(Rh)等稀有金属催化剂。测量电路为电桥,如图1311(B)所示,接触燃烧式气敏传感器主要用在可燃性气体测量及泄漏报警等装置上。特点是精度高、线性好、寿命长、速度快,且又不受环境温度影响。,(五)电化学式气敏传感
8、器,1、恒电位电解式传感器。图13-12为传感器的结构示意图。其工作原理是通过隔膜,将扩散吸收到电解液中的被测气体,使其电解来检测气体浓度,该电解作用是在从外部加了特定电位的电极表面上进行的,只要测定加在电极上的电位,即可确定被测气体特有的电解电位,,如图13-13所示,这种传感器的工作原理是将透过隔膜而扩散吸收到电解液中的被测气体进行电解,测量电解时所形成的电解电流,就可知道被测气体的浓度,由于各种被测气体的固有电解电位是确定的,不能任意选择,所以,选择被测气体受到限制。,(六)红外线气敏传感器,结构如图13-14所示,其工作原理是,由两个以上不同原子构成的气体分子,具有偶极矩,当红外波段的
9、光线照射它时,产生核间隔振动性的变化运动和整个分子绕一个轴作回转运动的能级迁移,吸收取决于该分子结构的特定波长的光。测量这种吸收光谱,则可判别气体分子的种类;测吸收强度就可知道被测气体的浓度,结构如图13-15所示。它的测量原理是利用固体电解质的氧离子导电特性。曲线如图13-16所示。,(七)固体电解质氧所传感器,(八)电阻式气敏传感器,电阻式气敏传感器结构如图13-17所示,它是根据具有还原性的气体的浓度增加时,其电阻值变小的原理而工作的。如图13-18所示为专门为提高使用气体的安全性而研制的电路.这个电路主要由气敏传感器、蜂呜器、变压器、指示灯等元件组成。,(九)氢敏MOS 场效应管,1、
10、原理与结构如图1319所示。氢敏MOS场效应管的栅极用钯(Pd),故又称氢敏场效应管为PdMOSFET。阀值电压变化的测量电路如图1320所示。,2、MOSFET气敏传感器的特性,(1)灵敏度 气敏MOSFET的灵敏度指器件阀值电压与气体浓度的关系,如图1321 所示。(2)温度特性。图1322为不同温度下,Pd栅气敏MOSFET对氢气的灵敏度。,(3)响应特性。如图1323所示,氢扩散系数随器件温度的增大而增大。(4)稳定性。图1324为气敏传感器在不同含量的氢气中,经过18h循环处理后的特性曲线。,(十)气敏二极管,1、PdTiO2气敏二极管。这是一种金属半导体接触元件,用金属钯Pd)和半
11、导体材料二氢化钛(TiO2)制成,使其金属半导体界面能够吸收气体,从而影响半导体禁带宽度,则二极管的单向导电性会因气体浓度不同而发生变化,由此便可检测气体。,2、PdMOS气敏二极管 PdMOS气敏二极管如图1325(a)所示,在P型Si上利用热氧化工艺生成一层厚度为50100nm的二氧化硅(SiO2),然后用蒸发溅射工艺在SiO2层上形成一层薄薄的钯(Pd)膜,便制成了PdMOS气敏二极管。,(十一)气敏传感器的应用,1、家用煤气、液化石油气泄漏报警器图1326所示为一种简单、廉价的家用煤气、液化石碑气报警电路。该电路能承受较高的的交流电压,因此,可直接由220V市电供电,且不需要再加复杂的
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