《功能材料介绍》PPT课件.ppt
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1、走近科技第二讲 功能材料 Functional Materials,郝长中2010 年 5 月,目 录,概述电功能材料导电材料的分类半导体材料超导材料电接点(触头)材料磁功能材料概念软磁材料硬磁材料磁致伸缩材料,光功能材料概念软磁材料硬磁材料磁致伸缩材料点(触头)材料热功能材料膨胀材料形状记忆材料测温材料声功能材料声吸收基本原理常用吸声材料,一、概述,1、21世纪的时代特征 1)人口、资源(能源)、环境(生态)三大 压力;2)信息与经济的全球一体化;3)知识经济时代意味着科学技术与教育将 受到更高的重视;4)国防与战争仍是促进科学技术发展的动 力;,5)人类社会在发生巨大变化寿命延长(器官更换
2、,生物工程)生活水平提高(加速资源消耗)交往频繁(信息网络、交通运输)6)人的质量是社会进步的决定性因素(教育将受到重大重视,创新环境十分重要),2、功能材料的定义 材料科学是研究材料的组织结构、性质、生产流程和使用效能,以及它们之间相互关系的科学。材料科学是多学科交叉、与工程技术密不可分的应用科学。材料是人类用来制造机器、构件、器件和其他产品的物质。但并不是所有物质都可称为材料,如燃料和化工原料、工业化学品、食物和药品等,一般都不算作材料。,材料可按多种方法进行分类。按化学状态分为金属材料、无机物非金属材料、陶瓷材料、有机材料和高分子材料;按物理性质分为高强度材料、耐高温材料、超硬材料、导电
3、材料、半导体材料、超导材料、绝缘材料、磁性材料和透光材料;按物理效应分为压电材料、热电材料、铁电材料、光电材料、电光材料、声光材料、磁光材料和激光材料;按用途分为建筑材料、结构材料、研磨材料、耐火材料、耐酸材料、电工材料、电子材料、光学材料、感光材料、能源材料、生物材料和包装材料;,按组成分为单组分材料和复合材料;实际应用中又常分为结构材料和功能材料。,结构材料是以力学性质为基础,用以制造以受力为主的构件。结构材料也有物理性质或化学性质的要求,如光泽、热导率、抗辐照能力、抗氧化、抗腐蚀能力等,根据材料用途不同,对性能的要求也不一样。,功能材料主要是利用物质的物理、化学性质或生物现象等对外界变化
4、产生的不同反应而制成的一类材料。功能材料以特殊的电、磁、声、光、热、力、化学及生物学等性能作为主要性能指标,是用于非结构目的高技术材料。1965年由美国贝尔实验室的J.A.Morton博士首先提出功能材料概念。,3、功能材料的分类 功能材料种类繁多,涉及面广,有多种分类方法。目前主要是根据材料的化学组成、应用领域、使用性能进行分类。,4、功能材料的现状,近年来,功能材料迅速发展,已有10万多品种,现已开发的以物理功能材料最多,主要有:1)单功能材料,如:导电材料、介电材料、铁电材料、磁性材料、磁信息材料、发热材料、热控材料、光学材料、激光材料、红外材料等。2)功能转换材料,如:压电材料、光电材
5、料、热电 材料、磁光材料、声光材料、电流变材料、磁敏 材料、磁致伸缩材料、电色材料等。,3)多功能材料,如防振降噪材料、三防材料(防热、防激光和防核)、电磁材料等。4)复合和综合功能材料,如:形状记忆材料、隐身材料、传感材料、智能材料、显示材料、分离功能材料、环境材料、电磁屏蔽材料等。5)新形态和新概念功能材料,如:液晶材料、梯度材料、纳米材料、非平衡材料等。,目前,化学和生物功能材料的种类虽少,但发展速度很快,其功能也更多样化。,二、电功能材料,电功能材料是以特殊的电学性能或各种电效应作为主要性能指标的一类材料。,半导体材料,超导材料,电接点(触头)材料,(一)导电材料的分类 按照导电机理分
6、为两大类:电子导电材料和离子导电材料。离子导电材料的导电机理源于离子的运动,由于离子的运动速度远小于电子的运动速度,因此其电导率较小,目前最高不超过102 S/m,一般在100 S/m以下。,电导率 S/m,绝缘体,半导体,导体,超导体:,1、电子导电材料电子导电材料又分为导体、超导体和半导体。,导体电阻率公式:,i取决于晶格缺陷的多少,缺陷越多,i越大,一般与温度无关;T取决于晶格的热振动。,电阻率随着温度升高而升高,这是导体的一个特征。,2、导体材料的种类 导体材料按照化学成分主要有以下三种:1)金属材料。电导率在107108 S/m之间;银(6.63 107 S/m)、铜(5.85 10
7、7 S/m)和铝(3.45 107 S/m)2)合金材料。电导率在105107 S/m之间;黄铜(1.60 107 S/m)、镍铬合金(9.30 105S/m)3)无机非金属材料。电导率在105108 S/m之间。石墨在基晶方向为2.5106 S/m。,3、导体材料的应用 金属导体材料主要用作:电缆材料、电机材料、导电引线材料、导体布线材料、辐射屏蔽材料、电池材料、开关材料、传感器材料、信息传输材料、释放静电材料和接点材料等,还可以作成各种金属填充材料和金属复合材料。合金导体材料主要用作电阻材料和热电偶材料,如铂铑-铂热电偶等。非金属导体材料主要用作耐腐蚀导体和导电填料。,(二)半导体材料1、
8、基本概念 导电性能介于金属和绝缘体之间;(10-7104)具有负的电阻温度系数。(导体具有正的电阻温度系数)2、半导体的能带结构 当大量原子结合成晶体时(如,1019个原子大约可形成1mm3的晶体),由于相邻原子电子云相互交叠,对应于孤立原子中的每一能级都将分裂成有一定能量宽度的能带。,带隙 Band Gap,能带之间的区域,禁带 Forbidden Band,带隙不存在电子的能级,价带 Valence Band,对应价电子能级的能带,空带Empty Gap:价带上面的能带,导带Conduction Band:最靠近价带的空带,满带Filled Band:价带被电子填满,导体的能带中都有末被填
9、满的价带,在外电场的作用下,电子可由价带跃迁到导带,从而形成电流。绝缘体的能带结构是满带与导带之间被一个较宽的禁带所隔开,在常温下几乎很少有电子可以被激发越过禁带,因此其电导率很低。,半导体能带结构下面是价带,其价带是充满了电子,因此是一个满价带。上面是导带,而导带是空的。满价带和空导带之间是禁带,其禁带宽度比较窄,一般在1ev左右。价带中的电子受能量激发后,如果激发能大于Eg,电子可以从价带跃迁到导带上,同时在价带中留下一个空的能级位置-空穴。,3、半导体的导电机理,半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中,跃迁电子可在导带中自由运动,传导电子的负电荷。同时,在满价带中留下空穴,空穴带
10、正电荷,在价带中空穴可按电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此,半导体的导电来源于电子和空穴的运动,电子和空穴都是半导体中导电的载流子。,4、典型半导体材料,1)元素半导体,高纯度、无缺陷的元素半导体。杂质浓度小于10-9,在本征半导体中有意加入少量的杂质元素,以控制电导率,形成杂质半导体。,本征半导体广泛研究的元素是Si、Ge和金刚石。金刚石可看作是碳元素半导体,它的性质是1952年由Guster发现的。除了硅、锗、金刚石外,其余的半导体元素一般不单独使用。因为本征半导体单位体积内载流子数目比较少,需要在高温下工作电导率才大,故应用不多。,A.本征半导体,B.杂质半导体,利用将杂质元素掺入
11、纯元素中,把电子从杂质能级(带)激发到导带上或者把电子从价带激发到杂质能级上,从而在价带中产生空穴的激发叫非本征激发或杂质激发。这种半导体叫杂质半导体。杂质半导体本身也存在本征激发,一般杂质半导体中掺杂杂质的浓度很低,如十亿分之一就可达到目的。,掺杂原子的价电子多于纯元素的价电子,又称施主型半导体,掺杂原子的价电子少于纯元素的价电子,又称受主型半导体,n型半导体(电子型,施主型)A族元素(C、Si、Ge、Sn)中掺入以VA族元素(P、As、Sb、Bi)后,造成掺杂元素的价电子多于纯元素的价电子,其导电机理是电子导电占主导,这类半导体是n型半导体。p型半导体(空穴型,受主型)A族元素(C、Si、
12、Ge、Sn)中掺入以A族元素(如B)时,掺杂元素的价电子少于纯元素的价电子,它们的原子间生成共价键以后,还缺一个电子,而在价带其中产生空穴。以空穴导电为主,掺杂元素是电子受主,这类半导体是p型半导体。,杂质半导体的能带结构N型半导体逾量电子处于施主能级,施主能级与导带底能级之差Ed远小于禁带宽度Eg(相差近三个数量级)。因此,杂质电子比本征激发更容易激发到导带。例如Si掺杂十亿分之一As时,其Eg为1.610-19 J,Ed为6.410-21 J。Ge掺杂十亿分之一Sb时,其Eg为1.1510-19 J,Ed为1.610-21 J。,P型半导体逾量空穴处于受主能级。由于受主能级与价带顶端的能隙
13、Ea远小于禁带宽度Eg,价带上的电子很容易激发到受主能级上,在价带形成空穴导电。,2)化合物半导体,二元化合物:GaAs(砷化镓)、CdS镉、SiC、GeS锗、AsSe3硒等。三元化合物:AgGeTe2、AgAsSe2、CuCdSnTe4等(碲),GaAs,制备,发光二极管,隧道二极管,主要化合物半导体及其用途,3)固溶体半导体,由两种或多种元素或化合物互溶而成的。二元系固溶体半导体:Bi-Sb三元系固溶体半导体:(碲镉汞)Hg1-xCdxTe(镓砷磷)GeAs1-xPx,最重要的红外探测器材料,用于高速响应器件、光通信等,5、半导体材料的应用,1)半导体材料在集成电路上的应用:初期用锗单晶制
14、造二极管和三极管,现在以硅单晶为基材的集成电路在电子器件中占主导地位。化合物半导体砷化镓用于微波、超高频晶体管等;2)半导体在光电子器件、微波器件和电声耦合器上的应用:发光管、激光器、光电池、光集成等;3)半导体材料用于制造半导体传感器。,4)显示材料 液晶显示(LCD)材料(1968年发明)为21世纪上半叶主要显示材料发光二级管(LED)如下表。表 LED 发光材料及可见光区,6、以硅为基础的微电子技术仍占十分重要位置 芯片特征尺寸以每三年缩小一倍计,到2010年可能到极限(0.07m)(量子效应、磁场及热效应、制作困难、投资大)。但不同档次的硅芯片在21世纪仍大量存在,并将有所发展。,*在
15、绝缘衬底上的硅(SOI,SiOn Insulator):功能低、低漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。SOI器件用于便携式通信系统,既耐高温又抗辐照。*集成系统(IS,Integrated System):在单个芯片上完成整系统的功能,集处理器、存储器直到器件设计于一个芯片(System on a Chip)。*集成电路的总发展趋势:高集成度、微型化、高速度、低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。为了达到上述目标,有赖于外延技术(VPE,LPE,MOCVD 及 MBE)的发展,同时对硅单晶的要求也愈来愈高。表1为集成电路的发展对材料质量的要求。,表 集成电路发展对材料质量的要求,7
16、、第二代半导体材料是-族化合物,GaAs 电子迁移率是Si的6倍(高速),禁带宽(高温)广泛用于高速、高频、大功率、低噪音、耐高温、抗辐射器件。GaAs用于集成电路其处理容量大100倍,能力强10倍,抗辐射能力强2个量级,是携带电话的主要材料。InP 的性能比 GaAs 性能更优越,用于光纤通讯、微波、毫米波器件。,8、第三代半导体材料是禁带更宽的SiC、GaN 及金刚石。9、下一代集成电路的探索 光集成 原子操纵,(三)超导材料,1、超导材料定义 超导电现象:材料的电阻随温度降低而减小并最终出现零电阻的现象。超导体:低于某一温度出现超导电性的物质。1911年Onnes H K在研究极低温度下
17、金属导电性时发现,当温度降到4.2K时,汞的电阻率突然降低到接近于零。这种现象称为汞的超导现象。现已发现了上千种超导材料。,低温(液氦温度)超导已产业化,价格问题 高温(液氮温度)超导已发现30多种 YBaCuO,Je10 5 A/cm2 薄膜,块体(Bi,Pb)Sr Ca Cu O(B1 2223/Ag)带丝线材生产稳定,质量均一性未能解决。探索高温超导,及高温超导机理问题 趋导失超后的安全问题,2、超导体的基本特性,1)完全导电性(零电阻)File和Mills利用精确核磁共振方法测量超导电流产生的磁场,来研究螺线管内超导电流的衰变,得出的结论是超导电流的衰变时间不短于10万年。2)完全抗磁
18、性 处于超导状态的金属,不管其经历如何,磁感应强度B始终为零。这一现象为迈斯纳(Meissner)1933年发现,称为迈斯纳效应。,磁力线不能进入超导体内部,3)临界温度(Tc)、临界磁场(Hc)、临界电流JC是约束超导现象的三大临界条件。,当温度超过临界温度时,超导态就消失;同时,当超过临界电流或者临界磁场时,超导态也会消失,三者具有明显的相关性。只有当上述三个条件均满足超导材料本身的临界值时,才能发生超导现象(由Tc、Hc,Jc形成的闭合曲面内为超导态)。,4)约瑟夫森(B D Josephson)效应(承担超导电的 超导电子还可以穿越极薄绝缘体势垒),经典力学中,若两个区域被一个势垒隔开
19、,则只有粒子具有足够的能量时,其才会从一个区域进入另一个区域。量子力学中,粒子具有足够的能力不再是一个必要条件,一个能量不太高的粒子也可能会以一定的概率“穿过”势垒,即所谓的“隧道效应”。(约瑟夫森语言并被后人证实),3、超导体的种类(按迈斯纳效应分),按照迈斯纳(Meissner)效应分类:第一类超导体和第二类超导体,1)第一类超导体(软超导体)当H HC 时,BH第一类超导体只有一个临界磁场,即HC 只有一个特征值。除钒、铌、钌外,元素超导体都是第一类超导体,2)第二类超导体(硬超导体)当H HC2 时,BH。,钒、铌以及大多数合金或化合物超导体均属于第二类。,4、超导体的种类(按组成分类
20、),元素超导体合金超导体金属间化合物超导体陶瓷超导体高分子超导体,在低温常压下,具有超导特性的化学元素共有26种,由于临界温度太低,无太大实用价值,Nb的Tc最高,仅为9.26K,1)元素超导体,2)合金超导体 合金超导体是机械强度最高、应力应变较小、磁场强度低、临界电流密度高的超导体,在早期得到实际应用。超导合金主要有Ti-V、Nb-Zr、Mo-Zr、Nb-Ti等合金系,其中Ge-Nb3的临界温度最高(23.2K)。3)金属间化合物超导体 金属间化合物超导体的临界温度与临界磁场一般比合金超导体的高,但此类超导体的脆性大,不易直接加工成带材或线材。,1986年发现了陶瓷超导体,使超导材料获得了
21、更高的临界温度,如YBaCuO(Tc90K)、TiBaCaCuO(Tc120K)等。最大缺点为脆性大,加工困难。高温超导材料:Tc77K(液N温度),4)陶瓷金超导体,5)高分子超导体,高分子材料通常为绝缘体,但在数亿帕气压作用下也可以转变成为超导体。如:四硫富瓦稀四腈代对苯醌二甲烷目前高分子超导体的最高临界温度仅仅达到10K。,5、超导材料的应用,超导的应用,基本上可以分为强电强磁和弱电弱磁两大类。1)超导强电强磁应用 主要基于超导体的零电阻特性和完全抗磁性以及非理想第二类超导体所特有的高临界电流密度和高临界磁场。主要应用在电力方面如超导电缆、超导磁体(如超导磁悬浮列车)、巨大环形超导磁体、
22、超导磁分离等。,2)超导弱电弱磁的应用 基于Josephson效应为基础,建立极灵敏的电子测量装置为目标的超导电子学,发展了低温电子学。如超导量子干涉器件是一种高灵敏度的测量装置,主要功能是测量磁场。它可以在电工仪表、医学、生物、资源开发、环境保护、固体材料、地球物理等领域应用。,电力输送与储存目前有大约30%的电能损耗在输电线路上,采用超导体输电,可大大减少损耗,且省去了变压器和变电所。使用巨大的超导线圈,经供电励磁产生磁场而储存能量。超导磁储能系统所存能量几乎可以无损耗的储存下去,其转换率可高达95%。,3)超导材料的应用实例,磁悬浮列车,时速 400 500km.,超导计算机,速度是计算
23、机永远追求的主题,(四)电接点(触头)材料,电接点是建立和解除电接触的导电构件,广泛应用于电力系统、电器装置,仪器仪表、电信和电子设备。按电负荷的大小,电接点分为:强电、中电和弱电。,1、强电接点材料,电负荷大,要求电接点材料:接触电阻低、耐电蚀、耐磨损、高的耐电压强度、良好的来电弧能力,一定的机械强度。一般采用合金材料。,空气开关接点材料 银系合金:Ag-CdO、Ag-Fe、Ag-W、Ag-石墨等。铜系合金 如:Cu-W、Cu-石墨真空开关接点材料 Cu-Bi-Ce、Cu-Fe-Ni-Co-Bi、W-Cu-Bi-Zr合金等,2、弱电接点材料,弱电接点电负荷及机械负荷都很小,要求接点材料有极好
24、的导电性、极高的化学稳定性、良好的抗电火花烧损性和耐磨性。大多用贵金属合金材料。常用的弱电接点材料有:Au系(金)、Ag系(银)Pt系(铂)、Pd系(钯),3、复合接点材料,通过合理工艺将贵金属接点材料与非贵金属基体材料结合在一起,国外90%以上的弱电接点采用复合接点材料。,三、磁功能材料(一)基本概念 磁性是物质的基本属性之一。一切物质都具有磁性。但磁性材料通常是指那些在实际工程意义上具有较强磁性的材料。磁性材料是电子工业的重要基础功能材料,广泛应用于计算机、电子器件、通讯、汽车和航空航天等工业领域,随着世界经济和科学技术的迅猛发展,磁性材料的需求将空前广阔。当前我国磁性材料的发展居世界之首
25、,已经成为世界上永磁材料生产量最大的国家。,“磁”来源于电。一个环形电流在其运动中心产生的磁矩为P=is,i为电流强度,s为环形回路所包围的面积。原子内的电子做循轨运动和自旋运动,这必然产生磁矩,产生的磁矩分别称为轨道磁矩P1和自旋磁矩Ps。原子核虽然也产生磁矩,但它的值比电子磁矩小三个数量级,一般情况下可忽略不计。故原子磁矩的产生是电子的循轨运动与电子自旋这二者组合的结果。,磁场强度(H):指空间某处磁场的大小,单位:安/米;磁化强度(M):物质的磁性来源于内部的磁矩,只有当内部磁矩同向有序排列时才对外显示强磁性。单位体积内磁矩矢量和称为M,单位:安/米;磁感应强度(B):物质在外磁场作用下
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