《内存故障维修》PPT课件.ppt
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1、计算机维修技术,第7章 内存故障维修,教学目标:通过本章的学习,学生将了解内存的类型、特点以及发展历史,掌握内存维修的原则和方法。,教学重点与难点:,存储器的分类内存条的组成内存条的主要技术性能,7.1 内存的发展与类型,DDR SDRAM(双数据率同步动态随机存储器)DDR内存在SDRAM基础上改进了技术。DDR SDRAM在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据,在不提高时钟频率的情况下,使数据传输率提高了一倍。,DDR内存在每个时钟周期中可以存取2个数据;DDR内存数据传输频率为200400MHz;DDR芯片容量为128Mbit1Gbit;DDR采用SSTL信号标准,电压为2.5V;DDR
2、II内存增加到4个数据。DDRII提高到400800MHz。DDRII芯片容量为256Mbit2Gbit。DDRII采用SSTL2信号标准,电压为1.8V。ROM的类型(1)EPROM:可以多次写入数据,写入数据时需要专用设备。(2)EEPROM:保存数据不需电池,数据存储长达十年之久。(3)Flash ROM:也称为Flash Memory,可在不加电下长期保存信息。Flash ROM普遍用作BIOS芯片,存储容量有1Mbit、2Mbit、4Mbit等类型。,7.2 内存芯片工作原理 存储细胞由晶体管和电容组成,可以保存一位二进制数。DRAM存储细胞电路原理,在DRAM存储细胞电路中,晶体管
3、M的作用是一个开关器件,它控制着数据输入线D端到存储电容CS之间的电流通断。当晶体管M处于闭合(ON)状态时,数据线D端到存储电容CS之间是连通的。当晶体管M处于断开(OFF)状态时,数据线D端到存储电容CS之间不能连通。可见晶体管开关M控制着电容CS的充电和放电。电路中存储电容CS的作用是保存数据,当电容CS中充有电荷时,存储器为逻辑“1”状态,当电容CS中没有电荷时,存储器为逻辑“0”状态。字线WL的作用是控制晶体管M的开关状态,当WL=1时,晶体管M处于闭合(ON)状态,这时允许在数据线D端进行写或读操作。当WL=0时,晶体管M处于断开(OFF)状态,这时数据线D端的信号不能写入或读出,
4、DRAM保持电路的原来状态。数据线D也称为“位线”,他是数据位写入或读出的端点。,SRAM存储单元工作原理SRAM存储细胞(Cell)的工作原理类似于一个开关,当接通开关时,相当于“1”状态,当关闭开关时,相当于“0”状态。如果不去改变开关,它就保持上次的状态。静态存储器SRAM经常用来设计高速缓存(Cache)存储单元。SRAM存储细胞中的每一位,都是由46个CMOS晶体管构成,因此保存一个字节的数据,需要8个这样的存储单元,也就是说需要3248个CMOS晶体管。,7.3 内存条的基本组成 内存条由内存颗粒芯片、内存序列检测芯片(SPD)、ECC校验芯片(部分内存条有)、印刷电路板(PCB)
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