《光辐射探测器》PPT课件.ppt

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1、第三章 光辐射探测器,光辐射测量原理与技术,本章内容,光辐射量的测量通常采用各种探测器把光辐射能变换成一种可测的量，因而光辐射探测器是光辐射量测量系统中的关键组成部分，其性能往往直接影响到光辐射度量测量的可行性及精确性,随着光学和光电技术的展以及对光辐射探测与精确定量、高灵敏度测量的需要，光辐射探测器的品种和数量发展，可对光辐射客观物理量进行精确的定量测量,光谱响应范围宽,响应速度快,响应度高,这些优点使光辐射量的探测和测量能力大大地提高,广义地讲，只要能提示光辐射存在，并可确定其大小都应包含的光辐射探测器的范畴内。光电探测器利用光电效应，把入射到物体表面的辐射能变换成可测量的电量：,热探测器

2、利用热电效能,通过这些探测器参量的变化,温度的变化使探测器的电阻值发生变化，或表面电荷发生变化，或产生电动势等,探测器接收光辐射能,引起物体自身温度升高,反映入射光辐射量,常见光辐射探测器的分类,3.1 光辐射探测器的性能参数,对于光辐射探测器的应用，较关注的性能是：,3.1.1 响应度定义：单位辐射度量产生的电信号量，记作R，电信号可以是电流，称为电流响应度；也可以是电压，称为电压响应度。,探测器的响应度描述光信号转换成电信号大小的能力。,辐射度量测量中，测不同的辐射度量，应当用不同的响应度。,探测器的响应度一般是波长的函数。与上面定义的积分响应度对应的光谱响应度为（3-1),积分响应度和光

3、谱响应度的关系为(3-2),注意,积分响应度不仅与探测器的光谱响应度有关，也与入射辐射的光谱特性有关，因而，说明积分响应度时通常要求指出测量所用的光源特性。,光电探测器响应度可简单地推导如下,由普朗克量子理论可知，单个光子的入射能量为hv，则单位时间内入射到探测器表面的光子数为探测器的量子效率为（3-3）,输出信号电子数,探测器接收的光子数,=,单位时间内探测器的输出信号电子数为（3-4）,探测器的辐射通量光谱电流响应度为（3-5）,对于光电探测器，最大响应波长为（3-6）,内光电效应外光电效应,3.1.2 噪声及其评价参数,1、噪声,在系统中任何虚假的或不需要的信号统称为噪声。研究噪声的目的

4、是探讨系统探测信息的极限以及在系统设计中如何抑制噪声以提高探测本领。,分析噪声源的性质,（1）散粒噪声,由于光子流以间断入射的形式投射到探测器表面，以及探测器内部光子转换成电子动能而产生的电子流具有统计涨落的特征，形成散粒噪声。假设入射光子服从Poisson概率密度分布(3-8）,在实验室进行光辐射测量时，可用一固定频率对信号进行调制。这样，系统的工作频带宽度可减少。锁频技术可使系统工作在一个很窄的通频带范围内，有利于减少系统噪声。增加信号的积分时间，缩小测量系统的频带，也可以减少散粒噪声。,（2）产生-复合（G-R）噪声,光导型探测器的G-R噪声是由于半导体内的载流子在产生和复合过程中，自由

5、电子和空穴数随机起伏所形成的，也属于白噪声，相当于光伏型中单向导电P-N结内的散粒噪声。(3-9),（3）热噪声或Johnson噪声,热噪声由电阻材料中离散的载流子（主要是电子）的热运动造成。热噪声电流的均方值为：(3-10)使探测器制冷或者探测器及前置放大器一起制冷，可以减少热噪声电流。,（4）1/f 噪声,一般认为，它与半导体的接触、表面、内部存在的势垒有关，所以有时叫做“接触噪声”，其值随信号调制频率的增加而减少(3-11)(3-12),（5）温度噪声,由热探测器和背景之间的能量交换所造成的探测器自身的温度起伏，称为温度噪声。（3-13）,只有信号足够强，才能与噪声电流区别开。信噪比，作

6、为表征探测系统探测能力和精度的一个十分重要的指标，记作SNR(3-14),2.噪声等效功率NEP,噪声等效功率是探测器产生与其噪声均方根电压相等的信号所需入射到探测器的辐射功率(3-15),用NEP描述探测器探测能力的不便之处,数值越小，表示探测器的探测能力越强，相对缺乏直观性。为此一般引入NEP的倒数D探测率（3-16）,更常采用的是采用比探测率D*（3-17）,需要注意：探测器的比探测率不是一个固有常量。,探测器的比探测率不是一个固有常量。,首先，它和响应度成正比，随波长变化的规律与响应度的相同。其次，与各种影响响应度和噪声电流的因素都有关系，所以在给出探测器的比探测率时，一般注明测量的条

7、件。一些不在圆弧号内说明的可另加注释。,3,3.2 光电探测器,光电管和光电倍增管,光伏探测器,光电导探测器,3.2.1 光电管和光电倍增管,光电管1.光电管工作电路,2.光电效应方程根据光子说及能量转换和守恒定律有:h表示一个光子的能量 E0金属的逸出功3.光阴极的量子效率:,4.光电管的基本特征积分响应度:响应时间约10-8S(快速变化的脉冲光),暗电流 ID=Ir+IlIr热电流,光阴极在f下的热电子发射Il漏电流(为主),阴极间的非无穷大电阻产生无光照射时产生微小的电流输出光电管的最小可测功率由暗电流决定(漏电流),光电特征光电流与入射通量之间的关系(如图),非线性响应,光电流的输出值

8、与照射时间的关系,5.光电管的种类真空管:响应时间(约10-8至10-9s)P与的线性好,响应度S较低充气管(管内充Ar):响应时间长P与的线性范围短,响应度高达150A/lm,光电倍增管：,1.二次电子发射:电子将能量转换给发射表面,因电子束射到材料上而引起材料表面的电子发射二次电子发射的现象低噪声、反应时间快二次发射系数：1,二次电子发射材料,半导体:氧化的银镁合金、氧化铜镀合金2.光电倍增管的工作原理：基本特性 AD4D3D2D1K,结构示意图,工作原理K受照后发射电子D1、D2、D3是二级电子发射极电位依次逐级升高，光电子被电场加速后打到二次电子发射极上产生二次电子发射，使光电子数倍增

9、，最后到达阳极A。,光电倍增管的基本特性：,a)放大系数M 设有n个二次发射极，则M=nb)灵敏度（响应度）光谱响应度:由光阴极材料决定 积分响应度:分阴极响应度和阳极响应度 光电倍增管的积分响应度为：S=SA=Skn 其中Sk为光阴极响应度,c)光电特性曲线（如图）,d)电极管各级间电压分配:等压分配和非等压分配e)暗电流：采用降低光电倍增管的工作温度来减小暗电流,另外还可减小阴极老化,3、光电倍增管常设计成聚焦或散焦式两种聚焦式光电倍增管的示意图,4、使用光电倍增管时的注意事项由于疲劳现象存在，测试前必须预照后再进行测量温度控制在(环境温度)250C保证供电直流电源具有很高的稳定性,3,3

10、.3 热探测器,热探测器是各种探测器中唯一能得到无选择性响应的探测器。为提高热探测器的探测能力，应最大限度地吸收各种波长的入射辐射能，所以热探测器表面常用煤黑、黑色金属氧化物或黑色无定形金属等做成黑的。,按照能量守恒定律，热探测器吸收入射辐射能与探测器表面温度升高之间的关系可写成：吸收的辐射热能=探测器的热传导损失+探测器表面的温升所需的能量。表达式可写成为:(3-24),式（3-24）表示探测器表面吸收的辐射能，部分消耗在热导损失上（探测器温升 损失的热辐射功率），部分使表面温升。,设入射辐射通量即是频率 的调制光信号，则解式（3-24）可得探测器表面温度变化的幅度(3-25),要提高热探测

11、器响应度，应减少探测器的热导和热容。,为此，热探测器常常做成薄条或薄片状，以减少热容；探测器表面的支承部分要尽可能少，引线要短且细，以减少热导。这样热探测器在结构上较脆弱，且热导和热容的减少还受到工艺等的限制，故热探测器的时间常数比光电探测器大得多，一般为ms级。,为了减少外界温度、空气流动等对热探测器信号探测的影响（温度噪声），常常把探测片封装在密封的真空容器内。,真空封装的热探测器响应度为非真空封装状态的两倍以上，但是，真空封装后与外界的热交换也变差，时间常数将会增大。,在绝大多数情况下，热探测器响应度的不平坦可忽略不记，只是在精确光谱量标定时才需考虑。,虽然平坦的光谱响应十分重要，但实际

12、上由于探测器表面黑色层的吸收比不可能是理想平坦的，探测器外面的窗材料不仅限制透过辐射能的波长范围，且在透射谱段的光谱透射比也不完全平坦，故热探测器并不具有完全理想平坦的光谱响应。,3.3 热探测器,3,3.3.1 热电偶和热偶堆,热电偶是基于两种不同金属在其连接点有温差时会产生热电动势的塞贝克效应。当一个连接点受光辐照时升温，而另一连接点不受辐照时，在回路中就会产生电流。,热偶堆,把多个热电偶串接构成热偶堆，可提高响应度（N个串联热电偶的热偶堆，其响应度为单个热电偶的N倍。）,由于两连接点相距不远，所以当接在桥式回路中时，环境温度变化的影响可自动补偿，故一般工作在常温下。热电偶产生的温差电动势

13、V和温度T(K)之间的关系可写成（3-26）,塞贝克系数(3-31)由式(3-24)及式(3-26)，可得热电偶的响应度为,在频率很低时，G C,则即用高吸收比的表面层、高塞贝克系数且性能稳定的热电偶金属、低热导的结构可使热电偶有较高的响应度。,热噪声和温度噪声是热电偶的主要噪声源,3.3,3.3.2 测辐射热计,测辐射热计的机理是材料吸收光辐射能引起的温度变化，进而使材料电阻值发生变化。,简单介绍,探测片和半球（或超半球）透镜贴在一起，以增加辐射能的会聚能力。,透镜材料多用锗或蓝宝石补偿片与探测片相同，但有挡片使它不受辐射的照射，其作用是补偿环境温度变化对测量的影响。,3.3,3.3.3 热释电探测器,热释电探测器一种性能较好的热探测器，具有光谱响应范围平而宽、性能稳定、时间常数小等优点。热释电探测器是基于某些铁电材料吸收辐射能后温度的变化导致其表面电荷变化，从而在外电路产生信号电流（3-29）,热释电探测器需要工作在调制光中，因为不调制的辐射能虽然使元件表面产生一定的温度变化，表面电荷很快就会中和完毕，在外电路难以产生持续的信号电流。,热释电材料的表面温度超过某一规定温度时，材料电极化将消失，热释电性能也不复存在，故热释电探测器只能在一定工作温度范围。由于热释电探测器的性能受负载电路的影响甚大，所以常和放大器封装在一个壳里。,3.3,Thank You!,