《传感技术》PPT课件.ppt
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1、 第五章光电式传感器,本章内容,5.1 光电传感器概述5.2 常用光源5.3 光电效应及光电元件 5.4 光电编码器5.5 光栅传感器,现代传感器技术,工作原理:,系统组成:,光源,光通路,光电元件,测量电路,光,光,电,电,y,被测量x1,被测量x2,光 敏感元件 电,敏感元件:光电元件,光电效应,外光电效应,内光电效应,测量方式:,改变光源,改变光路,方式:,5.1.1 光电式传感器的组成原理,5.1.2 特点及应用,特点:非接触、响应快、性能可靠、精度高应用:光学量:光强、光照度、辐射、气体成分几何量:形状、尺寸、位移、距离、表面粗糙度、形 位误差力学量:应变、速度、加速度、振动、流量、
2、密度生化量:离子浓度、荧光、电泳、染色体、分子标记,现代传感器技术,光,透射式:光被测物光电元件(透射)测量透明、半透明固体透明 度、液体混浊度、气体浓度;,1.模拟式光电传感器,反射式:光被测物光电元件(反射)测量物体表面反射率、粗糙 度、距离、位置、振动;,遮光式:光被测物光电元件(部分遮光)测量物体位移、振动、速度;,辐射式:被测物光 光电元件,辐射强度 测量辐射温度、放射线;,5.1.3 光电式传感器的一般形式,5.1.3 光电式传感器的一般形式,2.脉冲式光电传感器透射式反射式频闪式,现代传感器技术,光源 码盘光电元件,转速越高 脉冲频率越高,码盘转动遮光透光脉冲,转速传感器,转速传
3、感器,本章内容,5.1 光电传感器概述5.2 常用光源5.3 光电效应及光电元件 5.4 光电编码器5.5 光栅传感器,现代传感器技术,5.2.1 对光源的要求,照度要求:足够亮度、光通量,保证信噪比和灵敏度 均匀要求:视场亮度均匀、无阴影,避免测量误差 投影要求:控制光的方向、透射、反射、散射 发热要求:热光源、冷光源,减小发热对测量结果的影响 光谱要求:光波频率、波长:紫外 可见光 红外,现代传感器技术,可见光,紫外光,红外光,可见光:380nm 780nm红外光:780nm 1m紫外光:1nm 380nm,5.2.2 热辐射光源,原理:高温物体 光辐射,温度高 辐射能大器件:白炽灯-钨丝
4、(1879年,爱迪生)+惰性气体 提高寿命卤钨灯-钨丝+卤素(碘),卤素+内壁钨 卤化钨 受热 分解 钨 沉积到钨丝,现代传感器技术,5.2.2 热辐射光源,特点:谱线丰富,可见光+红外光,峰值在近红外区 发光效率低,15%在可见光,发热大,80%能量转化为热能,热光源寿命短(1000小时),易碎,电压高,有危险应用:可见光源-宽光谱(滤色片 窄带光谱,避免杂光干扰 仪器)近红外光源-红外检测,现代传感器技术,5.2.3 气体放电光源,原理:气体分子激发 放电 发光器件:弧光灯:碳弧灯、钠弧灯、水银弧灯(汞灯)、金卤灯荧光灯:气体放电+荧光粉,波长更长日光灯:光谱接近日光节能灯:压缩荧光灯特点
5、:效率高,省电功率大,光色接近日光,紫外线丰富有辐射,废弃物有汞污染、易碎频率低,对人眼有损害应用:强光、色温要求接近日光,现代传感器技术,5.2.4 发光二极管(LED),原理:半导体,电致发光特点:体积小功耗低(白炽灯1/8,荧光灯1/2)、发热少寿命长(10万小时,是荧光灯的10倍)响应快(毫秒级)、供电电压低、易于数字控制 价格较白炽灯贵,功率低,亮度小,器件:单色LED:红色、绿色、黄色、橙色、蓝色 应用:指示灯、背光源白色LED:2001,美国波士顿大学光学研究中心光谱丰富:(篮+黄)/(篮+绿+红)亮度高-荧光灯5倍,白炽灯的25倍应用:仪器光源、室内照明,现代传感器技术,5.2
6、.5 激光光源,LASER:Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation“受激励辐射放大产生的光”原理:外界光 光原子 能级跃迁 受激辐射 光放大谐振辐射激光特点:方向性好-发散角很小(约0.18),比普通光小23数量亮度高:能量高度集中,亮度比普通光高几百万倍单色性好:光谱范围极小,频率单一;(He-Ne激光:=632.8nm,=10-6nm)相干性好-受激辐射,传播方向/振动方向/频率/相位一致 时间相干性、空间相干性均好。,现代传感器技术,5.2.5 激光光源,固体激光器:体积小,坚固,功率高气体激光器:小巧、单色性好、能
7、连续工作、功率小;高光束质量、高稳定性、长寿命、低噪音、经济;,现代传感器技术,红外固体激光器,绿色固体激光器,红宝石固体激光器,He-Ne激光器,He-Cd激光器,He-Cd激光器(制冷),5.2.5 激光光源,半导体激光器:效率高、体积小、重量轻、结构简单、功率小、非线性,现代传感器技术,染料激光器,离子激光器,蓝色/紫色激光,红色激光,近红外小功率,蓝色激光器,本章内容,5.1 光电传感器概述5.2 常用光源5.3 光电效应及光电元件 5.4 光电编码器5.5 光栅传感器,现代传感器技术,5.3.1 外光电效应及其器件,1.外光电效应原理:光 金属物体表面 电子获得光子的能量光子能量 表
8、面溢出功 电子逸出表面 光电子发射 特点:速度快:从光照射到释放电子时间不超过10-9秒。需足够光能:光子能量 表面溢出功频率下限f0:当 f f0 时无激发电子“红限”器件:光电管、光电倍增管,现代传感器技术,5.3.1 外光电效应及其器件,2.光电管原理:光 阴极 发射光电子 阳极 空间电子流 外接电阻 压降U=f(I)特点:结构简单,灵敏度较高:20200A/lm 充入惰性气体气体轰击自由电子 灵敏度暗电流小,最低可达10-14A 体积较大、工作电压高达百伏到数千伏、玻壳容易破碎。,现代传感器技术,5.3.1 外光电效应及其器件,3.光电倍增管原理:光 阴极 光电倍增极 阳极 电流应用:
9、开关测量 光电开关,计数一般情况下,直流供电,各级电压均相等,约80V,总电压约1000V。并联电容:避免阳极脉动电流引起极间电压发生大的变化,现代传感器技术,5.3.2 内光电效应及其器件,原理:光 半导体 价带电子吸收能量 跃迁至导带 电子-空穴对 导电特性条件:光子能量 材料禁带宽度种类:内光电效应,现代传感器技术,光电导效应,光生伏特效应,5.3.2 内光电效应及其器件,1.光电导效应及器件 原理:光 半导体 电子-空穴对 导电性 电阻器件:光敏电阻原理:半导体电阻器件,加直流偏压,无极性无光照-电子-空穴对很少-电阻大(暗电阻)有光照-电子-空穴对增多-导电性增强 特点:灵敏度高,体
10、积小,重量轻,性能稳定;批量生产,价格便宜;材料:半导体-硫化镉CdS、硒化镉CdSe,现代传感器技术,5.3.2 内光电效应及其器件,结构:梳妆电极:特性:应用:工业自动化-开关元件,快速响应 家电-(感应式节能灯:判断照度),现代传感器技术,金属封装:防潮,光谱特性:,动态特性:,为非线性,不易作线性检测元件,存在单峰,应与光源光谱匹配,动态特性较好,响应时间0.1S0.001S,光照特性:,5.3.2 内光电效应及其器件,2.光生伏特效应及器件 原理:光 PN结(无偏置)电子迁移电子 N,空穴 P 电势 器件:光敏二极管(PD)光敏三极管(PT)光电池(硅、锗)PIN光电二极管雪崩光电二
11、极管光可控硅光电耦合器件(CCD),现代传感器技术,(1)光敏二极管(光电二极管,PD:Photo-Diode),原理:PN结,光照特性:,应用:线性转换元件,开关元件,,特性:,光谱特性:,无光时-高阻特性,微弱电流暗电流,A,光照时-电子N,空穴P 光电流,光照愈强-光电流愈大,注意:a)电路连接同一般二极管,输出电流小,一般为数微安到数十微安 b)入射光角度限制,动态特性:,单峰性,动态特性好,灵敏度和线性好,,5.3.2 内光电效应及其器件,(2)光敏三极管(光电三极管,PT:Photo-Triode),原理:光敏二极管(bc结)+三极管,特点:光照特性:灵敏度高于光敏二极管,非线性,
12、不如光电二极管。光谱特性:单峰性,应用:(开关元件)光电鼠标接收器、打印机打印头位置传感器、光电耦合器、车速传感器、红外遥控器,注意:a)电路连接b)入射光角度限制,5.3.2 内光电效应及其器件,连接方式:(a)开路电压输出:非线性(电压-光强),灵敏度高(b)短路电流输出:线性好(电流-光强),灵敏度低特性:光谱特性硅电池:0.51.2m(红-红外),峰值0.8 m(近红外)锗电池:0.30.7m(紫-红),峰值0.5 m(绿),特点:有源器件,无污染,轻便、简单、动态特性好(硅),工作于可见光波段-太阳能电池,(3)光电池,原理:光 PN结(无偏置)电子迁移 电子 N,空穴 P 电动势,
13、5.3.2 内光电效应及其器件,5.3.2 内光电效应及其器件,(4)PIN结光电二极管(PIN-PD)结构:PN+II-高电阻率的本征半导体(厚)PN结双电层的间距加宽,结电容变小 特点:频带宽,可达10GHz,响应速度快,灵敏度高,线性输出范围宽,线性好 输出电流小(数微安),电阻很大应用:用于光通讯,光测量,现代传感器技术,5.3.2 内光电效应及其器件,(5)雪崩光电二极管雪崩效应:工作电压很高(100200V),接近于反向击穿电压。结区内电场极强,光生电子得到极大加速,同时与晶格碰撞,从而产生电离雪崩反应。特点:有很高的内增益,可达到几百,灵敏度高响应速度特别快,带宽可达100GHz
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