《X射线衍射》PPT课件.ppt
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1、材料结构表征及应用,授课人:李 草13476179005QQ:81925904,课程教学内容,材料结构表征绪论红外吸收光谱光谱及激光拉曼光谱核磁共振波谱质谱X射线衍射分析电子显微技术 X射线光电子能谱分析材料热分析,教学参考书目,材料结构表征及应用,吴刚 主编,化学工业出版社,2012。材料分析方法,王轶农 主编,大连理工大学出版社,2012。X射线衍射技术及其应用,姜传海 编著,华东理工大学出版社,2010。晶体学基础,秦善 编著,北京大学出版社,2004。电子显微分析,章晓中 编著,清华大学出版社,2006。扫描电镜与能谱仪分析技术,张大同 编著,华南理工大学出版社,2009。仪器分析,武
2、汉大学化学系 编,高等教育出版社,2001。,第五章 X射线衍射分析,主要内容:X射线的物理基础X射线衍射原理(布拉格方程)X射线衍射方法在材料研究中的应用,在1895年以前,由阴极射线管产生的X射线在实验里已经存在了30多年,在射线发现前不断有人抱怨,放在阴极射线管附近的照相底片模糊或感光。1895年11月8日傍晚,伦琴在研究阴极射线管中气体放电实验时,为了避免杂光对实验的影响,他用黑纸板将管子包起来,却发现距阴极管一段距离外的一块涂有铂氰酸钡 结晶物质的屏幕发出了荧光。伦琴马上意识到,这可能是一种前所未有的新射线,经检查发现,射线来自阴极射线管管壁。,X射线的发现,令人惊奇的是当用木头等不
3、透明物质挡住这种射线时,荧光屏仍然发光,而且这种射线能使黑纸包住的照相底片感光,不被电磁场偏转。经过一个多月的研究,他未能搞清这种射线的本质,因此赋予它一个神秘的名字-X射线。1895年12月28日,伦琴向德国物理学医学会递交了第一篇关于X射线的论文,论新的射线,并公布了他夫人的X射线手骨照片。,X射线的发现,X射线的历史,1895年,著名的德国物理学家伦琴发现了X射线;1901年诺贝尔物理学奖。1908-1911,英国物理学家巴克拉发现次级X射线及特征X射线;1917年诺贝尔物理学奖。1912年,德国物理学家劳厄提出X射线是电磁波的假设,并推测X射线在晶体中衍射的存在;1914年诺贝尔物理学
4、奖。劳厄的假设由著名德国物理学家索末菲的学生弗雷德里希等通过实验证实。,1913年,英国物理学家布拉格父子利用X射线衍射测定了NaCI晶体的结构,从此开创了X射线晶体结构分析的历史;1915年诺贝尔物理学奖。美国物理学家康普顿发现了非弹性散射;1927年诺贝尔物理学奖。美籍荷兰物理学家德拜用X射线衍射法研究分子结构;1936年诺贝尔化学奖。美国生物学家马勒用X射线诱导基因突变;1946年诺贝尔医学奖。,X射线的历史,英国物理学家霍奇金夫人测定维生素B12的结构;1964年诺贝尔化学奖。美国科学家柯马克和英国科学家蒙斯菲尔德发明计算机控制的X射线断层扫描(CT);1979年诺贝尔医学奖。瑞典物理
5、学家瑟巴发现X射线光电子能谱;1981年诺贝尔物理学奖。,X射线的历史,1.X射线本质与可见光、红外线、紫外线以及宇宙射线完全相同,均属电磁波或电磁辐射;2.X射线的波长:10-2 102 3.X射线的波长()、振动频率(Hz)和传播速度C(ms-1)符合,X射线的性质,4.X射线具有波粒二象性,可看成具有一定能量E、动量P的X光流子 h 为普朗克常数,h=6.62610-34 J.s,X射线的性质,X射线具有很高的穿透能力,可以穿过黑纸及许多对于可见光不透明的物质;X射线肉眼不能观察到,但可以使照相底片感光。在通过一些物质时,使物质原子中的外层电子发生跃迁发出可见光;X射线能够杀死生物细胞和
6、组织,人体组织在受到X射线的辐射时,生理上会产生一定的反应。,不同的表现主要是:X射线在光洁的固体表面上不会发生像可见光那样的反射,因而不易用镜面把它聚焦和变向。X射线在物质分界面上只发生微小折射,折射率稍小于1。故X射线由空气射入固体中或由固体射入空气中时,偏折非常小,可近似认为是直线传播,因而它不能像可见光那样用透镜来加以会聚和发散,也不能用棱镜分光、变向。X射线的波长与晶体中原子间距相当,故在通过晶体时会发生衍射现象,而可见光的波长远大于晶体中原子间距,故通过晶体时不会发生衍射,因而只可用X射线研究晶体内部结构。,测定晶体结构和晶格常数;物相的定性和定量测定;测定晶体缺陷;利用小角散射测
7、定大分子结构和微粒尺寸。,局限性,无法给出材料微观成分分布和结构的不均匀性信息,且不能分析微区形貌。,X射线的应用,高速运动的电子流 射线X 射线中子流,高能辐射流,突然被减速,X射线的产生,X射线管示意图,X射线管,X射线管,电子枪:产生电子并将电子束聚焦,钨丝绕成螺旋式,通以电流钨丝烧热放出自由电子。金属靶:发射X射线,阳极靶通常由传热性好熔点较高的金属材料制成,如铜、钻、镍、铁、铝等。,X射线管的工作原理,整个X射线光管处于真空状态。当阴极和阳极之间加以数十千伏的高电压时,阴极灯丝产生的电子在电场的作用下被加速并以高速射向阳极靶,经高速电子与阳极靶的碰撞,从阳极靶产生X射线,这些X射线通
8、过用金属铍(厚度约为0.2mm)做成的X射线管窗口射出,即可提供给实验所用。,X射线管的工作原理,X射线管示意图,X射线管,连续谱:强度随波长连续变化的连续谱。特征谱:波长一定、强度很大的特征谱特征谱只有当管电压超过一定值Vk(激发电压)时才会产生,只取决于光管的阳极靶材料,不同的靶材具有其特有的特征谱线。特征谱线又称为标识谱,即可以来标识物质元素。,X射线谱,X射线谱,电子枪产生的大量电子到达靶上的时间和条件不会相同,并且绝大多数达到靶上的电子要经过多次碰撞,逐步把能量释放到零,同时产生一系列能量的光子序列,这样就形成了连续X射线。,假设管电流为10mA,则每秒到达阳极靶上的电子数可达6.2
9、4x1016个。,I,连续X射线谱,I,管流i3 i2 i1,0,m,电压不变,随着电流的升高,短波限和最大强度的峰值不变,连续谱的强度不断增加。,连续X射线谱,电流不变,随着电压的升高,短波限降低,连续谱的强度不断增加,最大强度的峰值向短波方向移动,最短波长界限0减小。,连续X射线谱,不同阳极,当电压和电流都不变时,随着靶材料原子序数的升高,短波限和最大强度的峰值不变,连续谱的强度不断增加。,I,0,m,连续X射线谱,最短波长限0,I,实验表明,连续谱的总强度可表达为:,k为常数,Z为阳极材料的原子序数,i为管电流,V为管电压。,当用W作为阳极,k1.110-9,Z=74,V=100kV时,
10、1%。,X射线管的效率很低,大量的能量用于发热。靶材料需要高熔点及水冷。,连续X射线谱,如果高能电子撞击阳极靶时,将阳极物质原子中内壳层(如K层)电子撞出电子壳层,在K壳层中形成空位,原子系统能量升高,使体系处于不稳定的激发态,按能量最低原理,L、M、N一层中的电子会跃入K层的空位,为保持体系能量平衡,在跃迁的同时,这些电子会将多余的能量以X射线光量子的形式释放。,特征X射线,因此,对于给定的靶材料,当加速电压达到某一特定值时,会激发特征X射线,从而在连续谱的某些特定波长处出现一系列强度很高,波长范围很窄的特征谱线。它们的波长只与靶材料有关,与管压和电流都没有关系,所以将它们称为该靶材料的特征
11、X射线。,特征X射线,K系特征X射线:当K层的电子被激发出去后,对于从L,M,N 壳层中的电子跃入K壳层空位时所释放的X射线,分别称之为K、K、K谱线,共同构成K系特征X射线。,原子能级及电子跃迁时产生特征X射线的情况,K层,L层,M层,特征X射线谱的频率(或波长)只与阳极靶物质的原子结构有关,而与其他外界因素无关,是物质的固有特性。19131914年莫塞利发现物质发出的特征谱波长与它本身的原子序数间存在以下关系:根据莫塞利定律,将实验结果所得到的未知元素的特征X射线谱线波长,与已知的元素波长相比较,可以确定它是何种元素。它是X射线光谱分析的基本依据。,莫塞利定律,原子各壳层上电子束缚能为:,
12、En 主量子数为n的壳层上电子能量m 电子质量Z 原子序数 常数n 主量子数,K层为1,L层为2,当电子从L能级向K能级跃迁时,释放的X光子的能量:,当电子从M能级向K能级跃迁时,释放的X光子的能量:,显然:,M层电子向K层跃迁时产生的X射线能量高于L层向K层跃迁时产生的X射线;但M层电子向K层跃迁的几率却小于L层。因此 的强度小于。,Mo靶X光管发出X光谱强度(35kV时),特征X射线,L壳层有3个不同能量的状态(E2,0,1/2;E2,1,1/2;E2,1,3/2).然而2s轨道上的电子向1s空位上的跃迁是禁阻的;而2p电子向1s空位上的跃迁是允许的.这样当2p两个状态的电子向1s轨道跃迁
13、时,将产生两条线状光谱K1K2.当3p两个状态的电子向1s轨道跃迁时,将产生谱线K1K2.,原子能级及电子跃迁时产生特征X射线的情况,K层,L层,M层,事实上,因为K1K2能量间隔太小,即使用分辩率较高的仪器也难以分辨出来;而K1K2能量间隔较大,在低分辩率的仪器上虽不可分,但在高分辩率的仪器上可分。,一些金属的特征X射线,要使得靶材料的K层电子被激发出去,加速电子的能量eVk应该大于K层电子的结合能Ek。特征谱线的强度随加速电压和管电流的提高而增加:,通常为了得到高信躁比的特征谱线,工作电压V一般为Vk的35倍。,产生物理、化学和生化作用,引起各种效应,如:使一些物质发出可见的荧光;破坏物质
14、的化学键,使新键形成,促进物质的合成引起生物效应,导致新陈代谢发生变化;X射线与物质之间的物理作用,可分为X射线散射和吸收。,X射线与物质的相互作用,H,热能,入射X射线强度为I0,透过X射线强度为I=I0e-uH,荧光X射线,光电子,散射X射线,X射线与物质的相互作用,强度为Ix的X射线通过深度为x处的dx厚度物质时,其强度的相对衰减与dx成正比:其中:L为线吸收系数(与物质种类有关)积分得:,X射线的吸收,通常将X射线的吸收写成下列公式:其中:I 透过强度;I0 入射强度;x 物质厚度;物质密度;m=L/,质量吸收系数。为X射线通过单位面积、单位质量物质后强度的相对衰减量。是反映物质本身对
15、X射线吸收性质的物理量。,I0,I,x,X射线的吸收,质量吸收系数的大小与入射X射线的波长及吸收体材料的原子序数有关:,吸收与原子序数的关系,吸收与波长的关系,当入射光子的能量等于或略大于吸收体原子某壳层电子的结合能时,此光子很容易被电子吸收,获得能量的电子从内层溢出,成为自由电子光电子。同时外层电子向内层跃迁,释放X射线荧光或激发俄歇电子。激发K层电子所产生的吸收叫K吸收限(K)。,X射线的滤波,利用上述吸收突变原理,可以合理地选用滤波材料。当某一物质的K吸收限K在入射光的 K和 K之间时,它对K特征谱峰的吸收很强烈,而对K则很少吸收,这样就可以实现单色的特征辐射。,滤波前,滤波后,滤波材料
16、一般是比靶材料原子序数小1或2的元素。,目前部分衍射仪是通过单晶单色器来获得特定波长的X射线。,滤波材料的选择,为了避免产生荧光X射线而造成强烈的吸收,靶材料的原子序数与样品材料的原子序数有如下关系:,靶材料的选择,X射线衍射分析应用,能反映整个结点分布所具有的周期性和对称性;棱与棱之间的直角尽可能最多;体积最小。晶胞通常为平行六面体,单位平行六面体的棱长a、b、c及夹角、称晶格常数。,晶胞的选择,X射线晶体学基础,晶体是由原子在三维空间中周期性排列而成的物质。晶胞是能够充分反映整个晶体结构特征的最小结构单元。,晶系 晶轴及夹角 晶胞,立方,a=b=c=90o,a,c,四方,a=bc=90o,
17、b,a,c,正交,abc=90o,a,三方,a=b=c=90o,六方,a=bc=90o=120o,c,a,b,单斜,abc=90o,b,a,c,三斜,abc90o,c,七个晶系,a,立方晶系:a=b=c,=90;简单立方、体心立方、面心立方 四方晶系:a=b c,=90;简单四方、底心四方 六方晶系:a=b c,=90,=120;简单六方 三方晶系:a=b=c,=90;简单三方 正交晶系:a b c,=90;简单正交、底心正交、体心正交、面心正交 单斜晶系:a b c,=90,90;简单单斜、底心单斜 三斜晶系:a b c,90;简单三斜,14个点阵,晶面:在晶格中,通过任意不在同一直线上的三
18、个格点的平面,称为晶面,描写晶面方位的一组数为晶面指数。,(1)平行晶面组成晶面族,晶面族包含所有格点;(2)晶面上格点分布是周期性的;(3)同一晶面族中的每一个晶面上格点分布是相同的;(4)在同一晶面族中相邻晶面间的距离相等。,晶面和晶面指数,晶面指数又称米勒指数(英国W.H.Miller 1839)确定步骤:确定晶胞的坐标轴X、Y、Z,并用a、b、c分别表示单胞的棱长;求待标晶面在X、Y、Z轴上的截距pa、qb、rc,得截距系数p、q、r;取截距系数的倒数比1/p:1/q:1/r=h:k:l(为最小整数比);去掉比号、以小括号括起来,写为(h k l)。,(010),4 8 3 8 4/1
19、 3/0 1 0 h k l,a b c,4 8 31/4 4/8 3/3 4 2 1 4 2 1 h k l,a b c,补充说明:若晶面平行于某晶轴,则该晶轴上的截距系数为,其倒数1/为0,即晶面在该晶轴上的指数为0。如果晶面与晶轴相交于负端,则在指数上部标一“-”号,如(00)。互相平行的晶面可用同一晶面指数表示,即(h k l)可代表相互平行的一组晶面。,晶向:通过晶格中任意两个格点的直线称为晶列,晶列的取向称为晶向。描写晶向的一组数为晶向指数。,(1)平行晶列组成晶列族,晶列族包含所有格点;(2)晶列上格点分布是周期性的;(3)晶列族中的每一个晶列上格点分布是相同的;(4)在同一平面
20、内相邻晶列间的距离相等。,晶向和晶向指数,晶向指数的确定 晶向指数只规定晶向而不涉及它具体的位置,因而任何晶向都可平移到坐标原点0,故晶向指数确定的步骤为:选定晶轴X、Y、Z和a、b、c为轴单位;平移晶向(棱)直线过原点;在该直线上任取一结点M,将其投影至X、Y、Z轴得截距 OX0、OY0、OZ0;作OX0/a:OY0/b:OZ0/c=u:v:w(最小整数比);去掉比号,加中括号,u v w即为晶向符号。,晶向指数的图示,没有求倒数的步骤。有正负,负值表示方法和晶面符号相同,如00。但对晶向符号,对应指数的绝对值相等而符号相反的两个晶向是同一晶向方向,如001和00是同一晶向方向。等效晶向表示
21、空间相位不同但晶向上原子排列完全相同的晶向组合。在立方晶系中,具有相同指数的晶向和晶面必定相互垂直。,补充说明:,a,b,c,a,b,c,(111),110,与晶向 uvw上格点分布完全相同的一组晶向用 表示:100,010,001100,010 and 001,晶面族 hkl代表一组与晶面(hkl)有相同晶面间距的晶面:110:(101),(011),(110),(101),(101),(101),etc.,(110),111,等效晶向和晶面族,晶面间距是指两个相邻的平行晶面间的垂直距离,通常用dhkl或简写为d来表示。各晶系的面间距有不同的公式,如:,立方晶系,四方晶系,正交晶系,六方晶系
22、,晶面间距,晶体中的原子在三维空间周期性排列,这种点阵称为正点阵或真点阵。以长度倒数为量纲与正点阵按一定法则对应的虚拟点阵称为倒易点阵,或倒格子。对于解释X射线及电子衍射图像的成因极为有用,并能简化晶体学中一些重要参数的计算公式。,倒易点阵,定义倒易点阵的基本矢量垂直于正点阵异名矢量构成的平面。所以有:对于正交晶系,有:V=a(b x c),为正点阵晶胞的体积。,倒易点阵,从矢量的“点积”关系可知,a*同时垂直b、c,因此a*垂直b、c所在的平面,即垂直(100)晶面。同理,b*垂直(010)晶面,c*垂直(001)晶面。从倒点阵的定义还可看出,正点阵和倒点阵是互为倒易的。另外,还可通过矢量运
23、算证明,正点阵的阵胞体积V和倒点阵的阵胞体积 V*具有互为倒数的关系,即:V=1/V*。从倒点阵的定义经运算还可以得到倒点阵的点阵常数a*、b*、c*、*、*、*和正点阵的点阵常数的关系如下:a*=bcsin/V,b*=casin/V,c*=absin/V,cos*=(coscos cos)/(sinsin),cos*=(coscos cos)/(sinsin),cos*=(cosacos cos)/(sinsin)。,从c*与正点阵的关系图可以看出:c在c*方向的投影OP为(001)晶面的面间距,即:OP=d001。同理可得a在a*方向的投影为(100)晶面的面间距d100;及b在b*方向的
24、投影为(010)晶面的面间距d010。,根据定义在倒易点阵中,从倒易原点到任一倒易点的矢量称倒易矢量r*hkl r*hkl=可以证明:1.r*矢量的长度等于其对应晶面间距的倒数 r*hkl=1/dhkl 2.其方向与晶面相垂直 r*/N(晶面法线),倒易点阵性质,倒易阵点与正点阵(HKL)晶面的对应关系:r*的基本性质确切表达了其与(HKL)的一一对应关系,即一个r*与一组(HKL)对应;r*的方向与大小表达了(HKL)在正点阵中的方位与晶面间距;反之,(HKL)决定了r*的方向与大小。r*的基本性质也建立了作为终点的倒易(阵)点与(HKL)的一一对应关系:正点阵中每一组(HKL)对应着一个倒
25、易点,该倒易点在倒易点阵中坐标(可称阵点指数)即为(HKL);反之,一个阵点指数为HKL的倒易点对应正点阵中一组(HKL),(HKL)方位与晶面间距由该倒易点相应的决定。倒易点阵的建立:若已知晶体点阵参数,由公式即可求得其相应倒易点阵参数,从而建立其倒易点阵。也可依据与(HKL)的对应关系,通过作图法建立倒易点阵。即在正点阵中取若干不同方位的(HKL),并据其作出对应的倒易点,各终点的阵列即为倒易点阵,倒易点阵性质,晶面与倒易结点的关系,H,热能,入射X射线强度为I0,透过X射线强度为I=I0e-uH,荧光X射线,光电子,散射X射线,X射线与物质的相互作用,当入射X射线光子与物质中的某些电子(
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