《VLSI系统设计》PPT课件.ppt
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1、VLSI系统设计,第6章 集成微系统(MEMS)(2011-2012),(2),6.1 MEMS器件概念一个例子:NMOSFET谐振栅晶体管(RGT),.1,(3),MEMS器件,电容变化引起沟道电荷变化。Q=CV和MOS管相比,工作原理发生变化。但仍是四端器件,6.1 MEMS器件概念一个例子:NMOSFET谐振栅晶体管(RGT),.1,(4),6.1 MEMS器件概念微系统集成的问题,.1,工艺兼容性;材料复用性;描述一致性和仿真一致性;设计复杂性;处理电路多样性。MEMS-采样/放大;调制-解调;模数变换;数字信号处理;,(5),6.1 MEMS器件概念几种简单的MEMS结构,1.简单梁
2、结构,.1,(6),6.1 MEMS器件概念几种简单的MEMS结构,1.简单梁结构,.1,(7),6.1 MEMS器件概念几种简单的MEMS结构,2.简单膜结构,.1,(8),6.1 MEMS器件概念几种简单的MEMS结构,3.多方向运动结构,.1,(9),6.1 MEMS器件概念几种简单的MEMS结构,.1,4.执行运动结构,(10),6.1 MEMS器件概念几种简单的MEMS结构,.1,(11),6.1 MEMS器件概念几种简单的MEMS结构,.1,(12),6.1 MEMS器件概念多能域问题和复杂性设计问题,单片集成系统=MEMS+电路,描述:,力学热学电学 光学.,电学&微电子学,.1
3、,(13),6.1 MEMS器件概念多能域问题和复杂性设计问题,单片集成系统=MEMS+电路,力学热学电学 光学.,电学&微电子学,统一描述:,电路网表,.1,(14),6.2 集成微系统1、集成湿度传感器,.2,瑞士Sensirion公司SHT11/15型湿度温度传感器,(15),6.2 集成微系统 1、集成湿度传感器,.2,(16),6.2 集成微系统 1、集成湿度传感器,.2,传感器,聚合物感湿材料介电常数随湿度而改变。导致电容大小改变。,(17),6.2 集成微系统 2、集成加速度传感器,.2,(18),6.2 集成微系统 2、集成加速度传感器,.2,静止极板与运动极板间距因加速度而变
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