《TFT驱动原理》PPT课件.ppt

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1、,TFT電路圖,Sn,Gm,单一画素结构,储存电容 CS,TFT,L,Data line,Gate line,ITO,储存电容CS,TFT,Layer1(M1):Mental1、Gate line&Common line,Layer2:-Layer2_1(SINX):Silicon Nitride,-Layer2_2(IN):Amorphous Silicon,-Layer2_3(N+):N+,Layer3(M2):Mental2、Source、Drain、Dataline,Layer4(PASS):Pasivation,Layer5(ITO):In_Tin_Oxide,H007 Cs on

2、Com(Com on GND),第一层：Gate line(M1):扫描线，它决定TFT的开与关，也就是决定画面的更新第二和第四层：它是绝缘层起到保护和隔离的作用在第二层中的IN和N+:他们构成一中导电沟道，TFT工作时有电流通过第三层：Data line(M2):信号线，它决定每个Pixel所要到达的电压值，由于液晶电容的电势差能够决定Pixel的亮度，所以Data line信号线是决定Pixel的亮和暗第五层：ITO:它是一个透明的导电层，Pixel 之电极板,可用來控制液晶,以决定pixel透光程度,五层之基本功用,1.上图为TFT一个画素的等效电路图，扫描线连接同一列所有TFT闸极(G

3、ate)电极，而信号线连接同一行所有TFT源极(Source)电极。,G,S,D,TFT的工作原理,等效后的电路图,认识 TFT,1.TFT为一个三端子组件。2.在LCD的应用上可将其视为一开关。,MOSFET的特性是什么？,氧化层,1、这是N沟道型MOS的剖面图，当GS加有电压且大于他的起始电压的时候，则在N沟道中就感应出自由电子，然后当DS之间加有电压的时候，就产生了电流,MOSFET的相关特性,MOS电流电压特性,一 VgsVth：形成感应通道 Ids0,影响Ids之重要参数VthVgs,1、故TFT组件可看成开关,当VGSVth则ON,当VGS起始电压Vth),使通道感应出电子而使得源

4、极(Source)汲极(Drain)导通。从而就可以讯号写入，也就是TFT读取了讯号【注】：Vth 为感应出电子所需最小电压。,TFT讯号的读取与保持,、TFT组件在GateSource给予适当电压(注：VGS起始电压Vth),没有感应出载子则通道成断路。【注】：Vth 为感应出电子所需最小电压。,一）：当Gate line送入讯号，即Vg接受电压，使S、D之间感应出自由电子；二）：Data line送入讯号，使S、D之间导通，讯号使液晶动作，以此来决定画素的亮暗，同时给储存电容充电；三）：当Gate line讯号扫描完，则Vg电压消失，开关断开，使Data line讯号无法送入；四）：由于储存电容在之前得到充电，则在Vg电压消失后，由储存电容放电来维持画素的亮暗。,液晶电容,