Vacuum机台专用名词.ppt

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1、真空概念&机台专有名词导读,李海波,Air knife：长片状出气孔的喷 气除屑装置Ashing：光阻去除Angstrom：Alignment：对准ADI：显影后检查EDI：蚀刻后检查a-Si：非晶硅Actone：丙酮Air shower：空气洗尘室Assembly：晶粒封装,Acceleration electrodes 加速电极Aging 老化Alloy 合金Alumina 铝土Aluminum Flow 热流铝Aluminum Plug 铝插塞Amorphous Silicon 非晶硅Anneal 回火Argon 氩气Argon instability 氩气抽气不稳定性Array 阵列,

2、PVD Group,Backing Pump 辅抽泵Barrier layer 阻障层Base Pressure 基准压力Binder 粘合剂Buffer Agent 缓冲剂Barrier layer：阻障层Brass：黄铜管，用来提供设备的真空度，CDA，厂务氮气的非制程直接使用气体的传输BDG：保持剂，溶解PR防止PR再附着，因强碱性的MEA有机溶剂较难将剥离的PR溶解，因此需加入保持剂Breakdown voltage：崩溃电压B.O.E.：缓冲蚀刻液Burn In：预烧试验BIN：针测结果类别Backstreaming 回流，逆流,PVD Group,PVD Group,Capacit

3、ance manometer 电容式测压计Cryo pump 冷冻邦浦Check Valve 整流阀，防止气体在管路中回流Chemical Vapor Deposition：CVD，化学气相沉积Clean Room 洁净室Coating 涂布Combustible Gas 易爆性气体Compressor 压缩机Contact Plug 接触窗插塞Cryogenic Pump 低温泵Cryosorption 低温吸附CA：Cathode 阴极Cathode dark space 阴极暗区,CDA：compressed dry air 压缩的干燥空气CD bias：circuit dimensio

4、n 蚀刻完后线宽Cross Section：横界面Contact：接触窗Concentration：浓度CMOS：互补式金属氧化半导体CD measure：微距测量Control Limit：管制界限CP：电路针测Cycle time：生产周期时间Central Monitor：设备中央监控系统Condensation 冷凝crane:天车,PVD Group,DC Magnetron Sputter 磁控DC溅镀机Developer 显影液Development 显影Dry Etcher 干蚀刻机Wet Etcher 湿蚀刻机Dummy Load：替代原设备的等效阻抗DIW：去离子水，纯水，

5、阻抗达16M ohmDesum：电浆预处理Defect density：缺点密度Down：设备故障DIPC：站点周期时间Discharge valve：排气阀Displacer：置换器Direction detection sensor 方向检测感应器,Exposure 曝光Ellipsometer 椭圆测量仪（T,n)Epitaxy：磊晶Exhaust：抽气装置Electromigrate：电致迁移，因高电场流通下造成金属原子沿材质本身边界向电子流方向移动造成断路。Electromigration resistance：抗电移能力ESD：静电放电EDC：工程资料分析系统Effective p

6、umping speed 有效抽气速率ELB Electric BreakerEMO Emergency Mechanical Off Switch,PVD Group,Fab 晶圆厂FTIR:Fourier Transform 红外线光谱仪，测量键结强度Facility Down：公用系统故障Facility：公用系统FT：封装后测试Future Hold：预先扣留FA：工厂自动化系统Forepump 前级邦浦Freeze drying 冷冻干燥Filament 灯丝,PVD Group,Gate valve：闸阀Gowning Room：更衣室Gas flow 气流Gauge 真空计,PV

7、D Group,Hook Up：hardware连结，gas&cable tray 组立Homogeneous nucleation：均匀成核Heterogeneous nucleation：非均匀成核Hot alumium：热铝制程，在高于400oC以上利用沉积铝在高温下所具备的较佳的表面迁移的特性，使溅镀铝对晶片表面几何结构的阶梯覆盖能力提升的多重金属化制程方式。HF：氢氟酸HEPA：高效过滤器Hot：急件Halogen lamp 卤素灯High vacuum 高真空Hot cathode 热阴极,PVD Group,Inter lock：连锁装置ITO：透光导电膜 InO 90%+SnO

8、 10%烧结而成的靶材电极Idle：闲置Interbay：工程间搬运系统Intrabay：工程内搬运系统 Ionization 电离Isolation valve 隔离阀Ion voltage 离子加速电压Ion source 离子源Ion desorption 离子逸出Ion detector 离子侦测器Indium 铟,PVD Group,LD：loadingLend：借机Lot ID.：料号Liquid nitrogen 液态氮,PVD Group,Mercury Probe 水银测量仪，测临界电压Mos：Metal-Oxide-Semiconductor，金属氧化半导体Metalliz

9、ation：金属化制程Multilevel interconnects：多重金属内连线，因在晶座上制造两层以上的金属层而所需的导通方式Multilevel metallization process：多层金属化制程MTBF:mean time between failure，平均故障周期时间MTTR:mean time to repair，平均每次修复时间MFC：mass flow controller，质流控制器MEA：剥离剂，剥除PR防止PR再附着Monitor：例行测试Merge：分批Medium vacuum 中度真空Mechanical booster pump 机械邦浦,PVD G

10、roup,Operation movement：站点转移量O-ring O-型环,PVD Group,Passivation：保护层Physical Vapor Deposition：PVD，物理气相沉积Photolithography：微影制程Poly silicon：多晶硅，由多种不同结晶方向的单晶硅晶粒所组成的纯硅物质Post bake：烘烤的预烤Peeling rate：剥离速率Positive：正片Priming：涂底Pilot：试作Polymer 聚合物Pumping speed 抽气速率,Pre-exposure bake：曝光前的预烤Pilo valve：专门控制气体是否输入气

11、动阀的开关Process gas：制程气体Pressure relief valve：舒压阀，用于调节管件内压力PVC：塑胶管PR：photo resist 光阻PH3：氢化磷Pass Room：空气缓冲室Power Zone：设备维修间Priority：派工级数,PVD Group,Reliability：可靠性Rush：快件Route：生产涂程Rework：重工Release：解除Recycle：内部回收Recipe：制程分发Radiation 辐射Regeneration 再生Rough vacuum 粗略真空,PVD Group,Sputtering deposition：溅镀Spik

12、e：尖峰，因硅对铝有一定的固态溶解度而造成的Suspector：晶座SiH4：silaneSpin dry：水洗之后，旋转烘干的机台或是动作Stainless steel：不锈钢管，用在与制程相关的制程气体传输上Stripper：剥离剂Solvent：溶剂Sensitivity:灵敏度,Supporting Room：生产支援室SPEC.Limit：规格界限SPC：statistic process control 统计制程管制SWR：特殊工程需求STB：投片Scrap：报废Stage movement：阶段转移量Split：分批Scheduling：生产排程系统Stocker：保管库,PVD

13、 Group,Teflon管：替代不锈钢不便使用的制程液氮气体传输场合TLV：Threshold limit value，启时限值silane只需1.5ppm则能爆炸Trouble shooting：故障排除Turn Ratio：周转率Tour corridor：无尘室安全走道Throughout：产速TECN：短期工程变更通知TAT：累计生产时间Thermal conductivity gauge 热导真空计Throughput 抽气量，排气量，气流通量,PVD Group,UPW：超纯水，阻抗达18M ohmUniformity：（max-min)/(max+min)Utilization

14、：动用率Up-time：可供利用的时间Ultrahigh vacuum 超高真空,PVD Group,Vacuum 真空Vacuum stage 真空级Vacuum system 真空系统Valve 阀门 roughing 粗抽阀 high vacuum 高真空阀Vent 破真空,PVD Group,Waive：规格外放行品Wait：待修WIP：在制品WAT：晶片接受测试Window：视窗,PVD Group,Yield：良率,PVD Group,Vacuum Class,粗略真空（rough vacuum）760torr1torr 中度真空(medium vacuum)1torr10-3to

15、rr 高真空(high vacuum)10-3torr10-7tor 超高真空(ultra-high vacuum)10-7torr以上,Parameter of Vacuum Pump,所能達到之最低的壓力 其大小有邦浦本身氣體逆流的大小或所用抽气媒體的 蒸汽壓大小來決定。有效之工作壓力範圍 指在此壓力範圍内，邦浦有足夠的抽气速率。抽气速率大小 邦浦的抽气速率隨壓力而改變，並非定值。排氣口壓力 主要針對排氣式邦浦而言，排氣口壓力不為一大氣 壓的邦浦必須使用輔助邦浦（或前级邦浦）组合工 作以达到抽气目的。,Function of Vacuum System,ExhaustRough Vacuu

16、m 10 torrHigh Vacuum 10 torrVentSlow Vent(N2)Normal Vent(CDA)Process Gas In(Ar,O2,N2,H20)Flush(通入N2,再抽出带走particle),-7,-3,Pump Units,Dry Pump(2 units):Roughing PumpsSystem pump:iF1800Load/Lock pump:diF600KDDCryo Pump(6 units):High Vacuum PumpsCP1,2(U8HSP,C30V):L/chCP01,02(U12HSPL,C30MV):T0/chCP3,4(U1

17、6HSPL,C31MV):S/ch,Vacuum Gauge,PIG(Pirani Indication Gauge)IG(Iron Gauge)DG(Balatron Vacuum Gauge)Color Indications,真空计之作用,有離子真空計和Pirani真空計離子真空計利用系統中之氣體分子踫撞並且將游離，正離子被集極收集，其所造成之電流大小與分子數目多少，既系統壓力成比例關係，由電流之量測以作壓力之指示。Pirani真空計利用熱電偶電阻值的改變以量測壓力,Exhaust principle,Vacuum chamber,Compressorunit,RP,IG,PiG2,PS

18、2,PiG1,MV,MB,PS1,v1,v2,N2,N2,v4,Helium gas flow,Cooling water,Cryo-u,RBH,RV2,RV3,RV1,v3,PR,N2,1.第一級冷凝500K800K 水氣與二氧化碳。2.第二級冷凝10200K 氮氣、氧氣、氬氣。3.活性炭吸附級 氫氣、氦氣、氖氣。,Cryo Pump,Cryo Pump Gas Flow,First Condensation,Second Condensation,Water in,Water out,Oil filter,Absorber,Regeneration of the Cryo pump,Exhaust system units,