SPICE电路模拟六.ppt

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1、SPICE电路模拟第六章、蒙特卡罗分析,张志亮,蒙特卡罗分析的统计统计分布,蒙特卡罗分析参数描述,高斯分布.PARAM xx=GAUSS(nominal_val,rel_variation,sigma).PARAM xx=AGAUSS(nominal_val,abs_variation,sigma)均匀分布.PARAM xx=UNIF(nominal_val,rel_variation).PARAM xx=AUNIF(nominal_val,abs_variation)随机极限参数分布.PARAM xx=LIMIT(nominal_val,abs_variation),各参数意义,蒙特卡罗分析

2、的启动,通过.DC、.AC、.TRAN分析语句启动，并且可以通过MONTE参数设定蒙特卡罗分析的次数。.DC sweepVar start stop step sweep MCcommand.AC type step start stop sweep MCcommand.TRAN step start stop sweep MCcommandMCcommand的语法格式为：MONTE=$关键字+)$指明列表值,MCcommand示例,MONTE=$关键字+)$指明列表值示例：.dc k start=2 stop=4 step=0.5 monte=10.dc k start=2 stop=4 s

3、tep=0.5 monte=5 firstrun=6.dc k start=2 stop=4 step=0.5 monte=list 5:7 10.dc k start=2 stop=4 step=0.5 monte=list(5:7 10),实验：P229，图P230。右边给出了部分参考代码,monte.sp.options post.dc monte=60.param ru_1=unif(100,0.2)Iu1 u1 0-1ru1 u1 0 ru_1.end,实验：P233，图P232,最坏情况分析（P140、P233）,最坏情况分析经常被用来对MOS和双极型集成电路进行参数极端情况的分析

4、，一般用来作最坏情况分析的参数是取其统计分布的+/-2 或+/-3值来进行的。所选取的参数作最不利的组合，如：SS、FF、SF、FS等，而后在这种情况下进行电路性能模拟，从而进一步调整电路设计参数，最后以一种符合实际的折衷方法完善电路的设计。,典型参数,XL：实际沟道长度的误差Difference between the physical(on the wafer)and the drawn reference channel length.XW：实际沟道宽度的误差Difference between the physical(on the wafer)and the drawn S/D ac

5、tive width.TOX：栅极氧化层厚度Gate oxide thickness.RSH：源/漏极的方块电阻Source/drain sheet resistance.DELVTO：临界电压变化Threshold voltage shift.,典型参数的影响,实验：图P237,使用TSMC 0.18um库的TT_3V工艺，并指定MOS管尺寸的长(1u)和宽(10u)加一脉冲信号并作瞬态分析，观看输入输出波形通过使用.ALTER语句，同时在TT，以及在SS、FF、SF、FS等极限工艺角情况下依次进行分析，并在库中查看不同工艺角情况下的参数设置,数据驱动分析（P204）,数据驱动分析，允许同时

6、修改多个参数值，再执行原来指定的直流、交流、暂态分析等操作由.DATA语句定义参数值阵列在原来的直流、交流、暂态分析语句里要加入指定使用的数据阵列名称,.DATA语句定义形式,.DATA datanm pnm1+pval1+pval1.ENDDATA实例：.DATA mydata param1 param21 234 56.ENDDATA,在分析里指定使用的数据阵列名称,工作点分析.DC DATA=dataname直流扫描分析.DC vin 1 5 0.25 SWEEP DATA=dataname交流扫描分析.AC dec 10 100 10meg SWEEP DATA=dataname暂态分析.TRAN 1n 10n SWEEP DATA=dataname,实验：P103图3.1，反相器(修改),3.3V,PCH3,NCH3,使用TSMC 0.18um库的TT_3V工艺，并通过参数指定MOS管尺寸的长和宽，通过.data语句定义几组不同的长宽参数阵列，查看自动选择元件模型的结果加一脉冲信号并使用上面定义的参数数据阵列作瞬态分析，观看输出波形,