MOS场效应管放大电路.ppt
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1、5.3 场效应管放大电路,场效应管的源极、栅极和漏极分别对应于晶体管的射极、基极和集电极。与晶体管的共射、共基和共集三种组态相对应,场效应管也有共源、共栅和共漏三种组态。,5.3 场效应管放大电路,一、场效应管的偏置电路二、场效应管静态工作点的确定三、场效应管的动态分析四、场效应管三种组态放大性能的比较五、应用举例,一、场效应管的偏置电路,与晶体管放大器类似,静态工作点的设置对放大器的性能至关重要。在场效应管放大器中,由于结型场效应管与耗尽型MOS场效应管的uGS=0时,iD0,故可以采用自偏压方式,如图所示:,一、场效应管的偏置电路,在静态时,场效应管栅极电流为零,因此栅极电压为零;而漏极电
2、流不为零,必然在源极电阻上产生压降,使栅源电压为负,获得合适的工作点。,一、场效应管的偏置电路,对于增强型MOSFET,由于uGS=0时,iD=0,故一定要采用分压式偏置或混合式偏置方式,如图所示:,一、场效应管的偏置电路,二、场效应管静态工作点的确定,1、图解法 在场效应管的转移特性曲线上做出栅源回路直流负载线的方程,其交点即为工作点。,二、场效应管静态工作点的确定,对于(a)图,Q1为JFET的工作点,Q2为耗尽型MOSFET的工作点;对于(b)图,Q1为JFET的工作点,Q2为耗尽型MOSFET的工作点,Q3增强型MOSFET的工作点。,二、场效应管静态工作点的确定,2、解析法 耗尽型场
3、效应管的电流方程为:把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ:,二、场效应管静态工作点的确定,增强型场效应管的电流方程为:把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ:,二、场效应管静态工作点的确定,把下式代入上式,解关于iD的二次方程,有两个根,舍去不合理的一个根,留下合理的一个根便是IDQ。而,三、场效应管的动态分析,1、场效应管的小信号等效模型2、共源放大电路的分析3、共漏放大电路的分析4、共栅放大电路的分析,场效应管的低频小信号等效模型,与晶体管模型的导出相类似,iD是uGS 和uDS的函数:iD=f(uGS,uDS)研究动态
4、信号时用全微分表示:,场效应管的低频小信号等效模型,定义:当信号较小时,管子的电压、电流仅在Q点附近变化,可以认为是线形的,gm与rds近似为常数,用有效值表示:,场效应管的低频小信号等效模型,由此式可画出场效应管的低频小信号等效模型:可见场效应管的低频小信号等效模型比晶体管还要简单。,场效应管的低频小信号等效模型,可以从场效应管的转移特性和输出特性曲线上求出gm与rds:由转移特性曲线可知,gm是uDS=UDSQ那条曲线上Q点处的导数。由于gm是输出回路电流与输入回路电压之比,所以称为跨导。,场效应管的低频小信号等效模型,由输出特性曲线可知,rds是uGS=UGSQ这条曲线上Q点处斜率的倒数
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