MOS反相器的分类及构成.ppt

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1、第7章 MOS 反相器,MOS反相器的分类,静态反相器动态反相器E/E反相器E/D反相器CMOS反相器有比反相器无比反相器,7.1 MOS反相器,7.1.1 电阻负载NMOS反相器1.结构和工作原理,VOH=VDD,Vi为低电平VOL时，MI截止,Vi为高电平VOH时，MI非饱和,2.电压传输特性曲线的推导,3.基本特性,RL若小：VOL高，功耗大，tr小;W/L若小(即KI小)：VOL高，功耗小，tf大。,7.1.2 E/E饱和负载NMOS反相器1.结构和工作原理,VOH=VDDVTL,Vi为低电平VOL时,MI截止,ML饱和,Vi为高电平VOH时,MI非饱和,ML饱和,下降时间tf的分析上

2、升时间tr的分析,2.饱和负载NMOS反相器瞬态特性分析,3.饱和负载NMOS反相器单元特点,(1)VOH比电源电压VDD低一个阈值电压Vt（有衬底偏值效应）；,(3)ML和MI的宽长比分别影响tr和tf。(4)上升过程由于负载管逐渐接近截止，tr较大。,(2)VOL与R有关，为有比电路；,预充偏置管MB,自举电容CB,self loading 自举电路,MB,CB,自举负载NMOS反相器1.结构和自举原理,1.结构和自举原理(续),初始状态：VI=VOH，Vo=VOL MB、ML饱和、ME非饱和,有比电路,VGL=VDDVTB,1.结构和自举原理(续),自举过程：Vi 变为VOL,ME截止,

3、Vo上升，VGL随Vo上升(电容自举)，MB截止,ML逐渐由饱和进入 非饱和导通，上升速度加快。,自举结果：tr缩短，VOH可达到VDD。,Vi,Vo,VDD,MB,ME,ML,CB,VGL,2.寄生电容与自举率,VGL CO=VGSL CB VGL=VGSL+Vo,由于寄生电容CO的存在：,应尽可能较小寄生电容Co，使达到80%以上。,3.漏电与上拉,自举电路中的漏电，会使自举电位VGL下降(尤其是低频)，最低可降到：VGL=VDDVTB，因而ML变为饱和导通，输出VOH降低：VOH=VDDVTBVTL为了提高输出高电平，加入上拉元件MA(或RA)。,7.2 E/D NMOS反相器1.结构和

4、工作原理,VOH=VDD,Vi为VOL时，ME截止，MD非饱和,MD 为耗尽型器件，VTD 0，,1.结构和工作原理（续）,有比电路（近似于无比电路）,Vi为VOH时，ME非饱和，MD饱和,2.E/D NMOS反相器单元特点,(1)VOH可达到电源电压VDD(2)VOL与R有关，但是VTD是关键的因素，近似于无比电路。(3)上升过程由于负载管由饱和逐渐进入非饱和，tr缩短，速度快。,习题,有一个E/D NMOS反相器，若VTE=2V，VTD=-2V，R=25，VDD=5V。求此反相器的逻辑电平是多少？,7.3 CMOS反相器,所谓CMOS(Complementary MOS)，是在集成电路设计

5、中，同时采用两种MOS器件：NMOS和PMOS。CMOS电路及其技术已成为当今集成电路，尤其是大规模电路、超大规模集成电路的主流技术。CMOS结构的主要优点是电路的静态功耗非常小，电路结构简单、规则，使得它可以用于大规模集成电路、超大规模集成电路,下图为CMOS结构的剖面示意图，为了能在同一硅材料(Wafer)上制作两种不同类型的MOS器件，必须构造两种不同类型的衬底，图中所示结构是在N型硅衬底上，专门制作一块P型区域(p阱)作为NMOS的衬底的方法。同样地，也可在P型硅衬底上专门制作一块N型区域(n阱)，作为PMOS的衬底。为防止源/漏区与衬底出现正偏置，通常P型衬底应接电路中最低的电位，N

6、型衬底应接电路中最高的电位。,CMOS反相器,CMOS Inverter,Vin作为PMOS和NMOS的共栅极；Vout作为共漏极；VDD作为PMOS的源极和体端；GND作为NMOS的源极和体端,反相器的逻辑符号,CMOS逻辑电路的特点（1）静态功耗极低（WnW）（2）工作电源电压范围宽。（3）抗干扰能力强，其直流噪声容限一般可达到 30%40%VDD。（4）逻辑摆幅大（VssVDD）。（5）输入阻抗高（1081010）。（6）扇出能力强。（扇出因子N0可达50，但随着所带电路数目 的增多，工作速度有所下降）。,动态功耗与工作频率密切相关（P动=CLfVDD2）。,7.3.1 CMOS反相器的

7、直流特性,CMOS反相器是CMOS门电路中最基本的逻辑部件，大多数的逻辑门电路均可通过等效反相器进行基本设计，再通过适当的变换，完成最终的逻辑门电路中具体晶体管尺寸的计算。所以，基本反相器的设计是逻辑部件设计的基础。CMOS反相器的电路构成，是由一个增强型n沟MOS管作为输入管和由一个增强型p沟MOS管作为负载管，且两栅极短接作为输入端，两漏极短接作为输出端，N管源极接地，P管源极接电源电压VDD，这就构成了两管功能上的互补。,一、CMOS反相器的工作原理,Vi为VOL时，MN截止，MP非饱和,-Kp 2(VOL-VDD-VTP)(VOH-VDD)(VOH-VDD)2=0,VOH=VDD,Vi

8、为VOH时，MN非饱和，MP截止,Kn2(VOH-VTN)VOL-VOL2=0,VOL=0,无比电路,VOH-VOL=VDD 最大逻辑摆幅，且输出摆幅与p管、n 管W/L无关（无比电路）。,CMOS反相器的等效电路图,Vi为高电平时：Tn导通，Tp截止，VOL=0 Vi为低电平时：Tn截止，Tp导通，VOH=Vdd,二、CMOS反相器电压传输特性VTC Review:Short Channel I-V Plot(NMOS),NMOS transistor,0.25um,Ld=0.25um,W/L=1.5,VDD=2.5V,VT=0.4V,Review:Short Channel I-V Plo

9、t(PMOS),PMOS transistor,0.25um,Ld=0.25um,W/L=1.5,VDD=2.5V,VT=-0.4V,变换 PMOS I-V 曲线,IDSp=-IDSnVGSn=Vin;VGSp=Vin-VDDVDSn=Vout;VDSp=Vout-VDD,使 Vin,Vout,和 IDn在同一个坐标系,CMOS Inverter Load Lines,0.25um,W/Ln=1.5,W/Lp=4.5,VDD=2.5V,VTn=0.4V,VTp=-0.4V,CMOS反相器电压传输特性VTC,Vin(V),Vout(V),a,b,c,d,e,f,三、CMOS反相器中的工作区的划分

10、,CMOS反相器中的器件工作状态表,CMOS反相器电压传输特性VTC,Vin(V),Vout(V),NMOS截止PMOS线性,NMOS饱和PMOS线性,NMOS饱和PMOS饱和,NMOS线性PMOS饱和,NMOS线性PMOS截止,a,b,c,d,e,f,四、CMOS反相器VTC分析,0ViVTN时：N管截止 P管线性（ViVtnVo+Vtp）P管无损地将Vdd传送到输出端：Vo=Vdd。VTNViVo+VTP时：N管饱和 P管线性 由In=-Ip得：,Vo+VtpViVo+Vtn时：N管饱和 P管饱和 由In=-Ip得：Vo与Vi无关(Vo与Vi的关系为一条垂直线)，称为CMOS反相器的阈值电

11、压Vth，或转换电压。Vo+VtnViVdd+Vtp时：N管线性 P管饱和 由In=-Ip得：Vdd+VtpViVdd时：N管线性，P管截止，则Vo=0。,直流导通电流Ion随Vin的变化而发生的变化VTC的输出高/低电平区：Ion=0VTC的转变区：Ion 0Vin=Vit时，Ion达到最大值：,Vout(V),2区：,3区（阈值电压）,4区：,五、CMOS反相器版图（Layout）,六、CMOS反相器的优点,传输特性理想，过渡区比较陡逻辑摆幅大：VOH=Vdd,VOL=0一般转折点电压VI*位于电源Vdd的中点，即Vth=Vdd/2，因此噪声容限很大。只有在状态转换过程中两管才同时导通，才

12、有电流通过，因此功耗很小。CMOS反相器是利用p、n管交替通、断来获取输出高、低电压的，而不象单管那样为保证Vol足够低而确定p、n管的尺寸，因此CMOS反相器是无比（Ratio-Less）电路。,7.3.2 直流噪声容限,CMOS反相器噪声容限：高电平噪声容限：高电平噪声容限表征被驱动级输入高电平时的抗干扰能力；低电平噪声容限：低电平噪声容限表征被驱动级输入低电平时的抗干扰能力。,直流噪声容限：允许的输入电平变化范围由单位增益点确定噪声容限：在VTC分别可以找到增益为1的位置；分别作为输入低电平的最大值VILmax和输入高电平的最小值VIHmin；,如果Kn=Kp,VTN=VTP=VT,采用

13、对称设计的CMOS反相器有相同的输入高电平和输入低电平的噪声容限。,Noise margin highNMH=VOH-VIH,Noise margin lowNML=VIL-VOL,V,IH,V,IL,UndefinedRegion,1,0,V,OH,V,OL,NM,H,NM,L,Gate Output,Gate Input,当数字电路相互级连时，出于电路鲁棒性的考虑，0和1离得越大越好：,46,数字电路中信号在Vdd和Gnd之间转换，各种干扰信号，可能使得电路中某些结点的信号电平偏离理想电平（Vdd，Gnd），产生所谓的噪声噪声会对电路的可靠性造成影响,i,(,t,),Inductive c

14、oupling,Capacitive coupling,Power and ground,noise,v,(,t,),V,DD,由逻辑阈值确定噪声容限：若Vit=VDD/2，VNHM=VNLMVDD/2。实际情况，VNHMVNLM，最大直流噪声容限由minVNHM,VNLM决定。,7.3.3 开关特性,CMOS反相器的开关特性：CMOS反相器开关特性接近于TTL电路，但保持了MOS集成电路的无存储的特点。CMOS反相器的开关特性包括上升沿瞬变时间(上升时间)tr、下降沿瞬变时间(下降时间)tf 和延迟时间(包括tdHL和tdLH)。,1、CMOS反相器延时的定义,tf：下降延时；tr：上升延时

15、；门电路(反相器)的传输延时定义为：tp=(tpHL+tpLH)/2,Vin,Vout,2、CMOS反相器的负载电容,三部分：MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBP；下级电路的输入电容Cin；互连线引起的寄生电容Cl。,Cin由下级电路全部NMOS和PMOS的栅电容构成。,栅电容决定于栅面积(WL)和单位面积栅氧化层电容Cox。,3、CMOS反相器输出电压的上升/下降时间,定义：输出上升时间(tr)：V10%V90%输出下降时间(tf)：V90%V10%,3.1、下降时间tf,下降时间tfVO由0.9VDD通过导通的输入管放电逐渐下降到0.1VDD所需的时间。下降时间tf由两个时间间隔

16、所组成：电容电压VO从0.9VDD下降到（VDDVTN）所需时间tf1；电容电压VO从（VDDVTN）下降到 0.1VDD所需时间tf2；,(1)阶跃输入的下降时间NMOS的导通电流是对负载电容放电的电流：VoutVDDVTN时，NMOS饱和：VoutVDDVTN时，NMOS线性：,(2)阶跃输入的下降时间总的下降时间：,下降时间常数,3.2、上升时间tr,(1)阶跃输入的上升时间PMOS的导通电流是对负载电容充电的电流：VoutVTP时，PMOS饱和：Vout从V10%上升到VTP的时间：,(2)阶跃输入的上升时间VoutVTP时，PMOS线性：Vout从VTP上升到V90%的时间：总上升时

17、间：,上升时间常数,n-Si和p-Si体内迁移率分别是：n-Si和p-Si表面有效迁移率还不到体内迁移率的一 半，并且与晶向有关。大于 具体数值与硅表面状况有关。MOS工艺常选用(100)晶 向的单晶做衬底，工程上近似认为,4、CMOS反相器传输延迟时间,tPHL，tPLH，,近似认为tPLH内只有PMOS导通，tPHL内只有NMOS导通：用最大导通电流的一半作为平均电流：对称设计时：,64,提高反相器的速度,增加器件的宽长比会同时增加导电因子和器件的栅电容和漏区电容对于固定的大负载电容可以通过增加器件尺寸提高速度对于小负载，反相器速度不会随着尺寸增加出现明显增加,5、电路的最高工作频率,必须

18、保证输入信号的时间大于电路的延迟时间。对称设计有利于提高电路的工作频率。,65,使用环形振荡器测量电路的工作频率及延迟时间：普遍规律：其中n是反相器的级数，应为奇数。,功耗（Power Dissipation）特性,CMOS反相器由于在静态时两管中总有一个管子截止，因此静态功耗极小。其动态功耗取决于电路的工作频率，则在低频工作时，CMOS反相器为微功耗电路，由 CMOS反相器构成的集成门以及由它们构成的CMOS集 成电路也为微功耗电路。但当在高频（尤其在超高频）工作时，由于动态功耗的飞速增加，它们均不再为微功 耗电路。与其它工艺比较，CMOS电路以其低功耗，易于集成的 优点，在目前硅材料时代得

19、到了最广泛的应用。,芯片功耗包括由CMOS管状态改变所产生的动态功耗与由漏电流引起的静态功耗两部分。静态功耗PD 静态功耗=导通功耗+截止功耗 理想情况，CMOS反相器静态功耗为零。实际上有静态功耗存在：,p、n结漏电,表面漏电,静态功耗的三种成因,静态功耗由三部分组成：A、CMOS管亚阈值电压漏电流所需功耗；B、CMOS管栅级漏电流所需功耗；C、CMOS管衬底漏电流所需功耗。,动态（Dynamic）功耗,动态功耗PD由三部分组成：A、电路逻辑操作所引起的状态改变所需功耗；B、P管与N管阈值电压重叠所产生的导通电流所需功耗；C、不同路径的时间延迟不同所产生的竞争冒险所需功耗。,图7.16 交变

20、动态功耗,在开关过程中，有一段p管、n管同时导通的状态产生交变（Alternation）功耗 PA,其中，I为交变电流。,其中以动态功耗为主，因此要降低功耗，关键要使VDD。可采用低压/低功耗（LV/LP）技术，通过改进电路拓扑，设计新型器件结构，选用先进工艺等技术以达到降低功耗的目的。,CMOS反相器总功耗包括三部分：,7.5 动态反相器,7.5.1 动态有比反相器 静态逻辑电路靠稳定的输入信号使MOS管保持在导通或截止状态，从而维持稳定的输出状态；动态MOS电路的工作基础是MOS管的负载电容存在电荷的存储和释放效应。,工作原理,动态电路应用中存在的问题1、各种泄漏电流会影响动态节点的信号保

21、持2、动态逻辑电路工作时出现“电荷分享”问题，造成信号丢失3、动态电路需要时钟信号控制电路的工作，对时钟信号的产生和时钟信号的布线要精心设计，防止时钟信号偏移影响电路正常工作,7.5.2 动态无比反相器,采样保持方式的动态无比反相器,漏举电路,时钟信号设计考虑,动态电路必须有时钟控制信号，时钟信号的频率对电路可靠工作是非常重要的。时钟信号的最高频率由电路的充、放电时间限制；时钟信号的最低频率受存储电荷保持时间限制。,思考：什么是摩尔定律？,7.6 按比例缩小理论,引言,基于市场竞争，不断提高产品的性能价格比是微电子技术发展的动力。在新技术的推动下，集成电路自发明以来，集成电路芯片的集成度每三年

22、提高4倍，而加工特征尺寸缩小 倍。这就是由Intel公司创始人之一Gordon E.Moore博士1965年总结的规律，被称为摩尔定律。,缩小器件的尺寸，可以减小沟道长度L和寄生电容，从而改善集成电路的性能和集成度。器件尺寸的缩小，在集成电路技术发展的历史中，起着十分重要的作用，在今后仍然是集成电路进一步发展的一个关键因素。MOS集成电路的缩小尺寸，包括组成集成电路的MOS器件的缩小尺寸以及隔离和互连线的缩小尺寸三个方面。MOS器件尺寸缩小后，会引入一系列短沟道和窄沟道效应。MOS集成电路器件缩小尺寸的理论就是从器件物理出发，研究器件尺寸缩小之后，尽可能减少这些小尺寸效应的途径和方法。,1.器

23、件和引线按CE理论缩小的规则,所谓“按比例缩小”，意味着不仅仅是简单地缩小器件的水平尺寸，而且按同样比例缩小器件的垂直尺寸；不仅缩小器件的尺寸，而且按比例地变化电源电压及衬底浓度。CE理论的基本特点是：器件尺寸、电源电压及衬底浓度这三个参数均按一个比例因子(此处1，是无量纲的常数)而变化，即所有水平方向和垂直方向的器件尺寸均按l/缩小。与此同时，为了保持器件中各处电场强度不变，所有工作电压均按同样比例降低倍(即乘1/)。为了按同样比例缩小器件内各个耗尽层宽度，衬底浓度应提高倍。这里“按比例缩小”的提法是为了着重说明器件和引线尺寸的缩小。事实上，除尺寸之外，电源电压及衬底浓度是按同样的比例改变，

24、并不一定缩小。按CE理论缩小的器件和电路性能如表1所示。,1,CE理论的一个主要弱点，是许多影响电路性能的参数，如硅的禁带宽度Eg，等效热电压kT/q，等效氧化层电荷密度Qox，功函数差MS，PN结内建电势bi，载流子饱和速度vSAT，亚阈电流斜率S，杂质扩散系数，周长面积比，介电常数，介质和硅的临界电场强度，载流子碰撞电离率以及某些工艺参数的误差等，不能按比例变化；一些不希望或不应按比例变化的参数又不得不按比例变化，这些参数包括场氧化层厚度(希望尽可能厚，以减小寄生电容)，互连线厚度(希望尽可能厚，以减缓电阻的增加)，衬底浓度(希望尽可能低，以减少寄生的PN结电容)，接触孔的面积(希望尽可能

25、大，以减少寄生串联电阻)等等。,因此带来以下一些问题：小尺寸器件的阈电压过低，造成噪声容限低以及器件截止态时电导过大(亚阈电导效应)；互连线电流密度按因子增大，引起可靠性问题(金属电迁移效应)；互连线上相对电压降及接触电压降按因子增大，引起电路性能下降；低的电源电压使其与其他电路的兼容造成困难；由于温度不按比例降低，使阈电压在电路工作温度范围内起伏过大；由于PN站内建电势bi不按比例因子缩小，导致耗尽层宽度不按比例缩小。,2.按比例缩小的CV理论,按比例缩小的CV理论是对CE理论的一种修正，其主要特点是保持电源电压不变。与CE规则一样，器件和引线的水平方向尺寸及垂直方向尺寸均按比例因子缩小，此

26、处l。为了保证在电源电压不变情况下，漏区耗尽层宽度按比例缩小，衬底浓度必须有相应的调整。由漏区耗尽层宽度公式可知 这里，电压量VDS及VBS均保持常数，并假定bi保持不变，则要求 才能使耗尽区宽度按比例因子缩小。表2 给出按CV理论缩小的器件和电路性能。,2,按比例缩小的CV理论，解决了CE理论所带来的问题，但是器件中电场强度又带来许多与高电场有关的一系列新问题。按CV理论缩小电路尺寸，可以使MOS电路的延迟时间，集成密度以及延迟功耗乘积有明显改善。但是，高电场强度、高的电流密度、高的功耗密度以及高的引线电压降，成为CV理论的主要问题。从上面的讨论可知，无论CE理论或者CV理论，都使集成电路性

27、能得到改善，集成密度得到显著提高 但是，各自都存在由于过低的电压量(CE理论)或过高的电场强度(CV理论)所带来的一系列性能限制。如果完全按用CE理论或CV理论缩小集成电路，器件性能显然不能得到最佳化。,3.按比例缩小的QCV理论,按比例缩小的QCV理论，事实上也是CE理论的修正型。它要求电源电压及其他电压量按 而变化，以实现上述对电压的要求。选择 并没有明确的物理意义，但它们与目前半导体工业中电源电压下降的速率比较接近。按QCV理论缩小的器件和电路的性能折衷了CE及CV理论的优点和缺点，因而表现出较好的电路性能。器件尺寸的缩小是实现高性能超大规模集成电路的必经之路，各种缩小尺寸的理论均有各自的特点及存在的局限性。因此，它们只能作为缩小器件尺寸的指导性理论，我们必须根据具体的应用和工艺的可能性，实现设计的最佳化。,3,