LED基础知识LED光源的封装讲义.ppt
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1、LED基础知识/白光LED封装陈志忠2007/8/31,伯乐达做的LED是A级!,江苏伯乐达光电科技有限公司JIangsu Bright Optoelectronic Technology Co.Ltd,伯乐达Bright!,提纲,LED基础知识LED的概念,LED的发光原理LED的历史LED的基本参数,LED的结构,LED的产品分类,LED的产业链,,白光LED封装白光LED的概念,白光LED的优点白光LED基本参数白光LED封装的基本工艺白光LED的封装技术,1.1 LED基本概念,LED是发光二极管LIGHT EMISSION DIODE;LIGHT EMITTING DIODE.LED
2、是通过半导体PN结把电能转化成光能的器件,+,-,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。量子阱把经过结区的电子空穴限制住,提高复合效率。,1.2 LED的基础知识:基本原理,PN结量子阱,1.3 LED的基础知识:历史,1、1965年,全球第一款商用化发光二极管诞生,效率0.1lm/W,比白炽灯低100倍,售价45$/只。,2、1968年,LED的研发取得了突破性进展,利用氮掺杂工艺使GaAsP器件的效率达到了1流明/瓦,并且
3、能够发出红光、橙光和黄色光。3、1971年,GaP绿色芯片LED。用途:指示用,长寿命10万小时,可靠4、80年代AlGaAs技术使得LED效率达到10流明/瓦,90年代的AlGaInP技术使得LED效率达到100流明/瓦。用途:显示,信号用。用于室外的运动信息发布以及汽车的高位刹车灯。,5、1994年,中村修二研制出了第一只GaN基高亮度蓝色发光二极管。用途:由于蓝光LED的出现,人们首次实现红黄蓝LED的全色显示,从90年代中期开始,许多广告、体育和娱乐场所开始应用LED大屏幕显示。,6、1997年,中村修二和美国人修博特先后研制出了GaN蓝色发光二极管激发黄光荧光粉得到白光LED,效率不
4、足10lm/W。7、2000年,日亚报道了15lm/W白光LED,8、2003年,日亚报道的光效达到60lm/W,2006年3月,其光效达到100lm/W,9、2006年7月,Cree公司报道了130lm/W白光LED,10、2006年11月,日亚报道的光效达到150lm/W,其效率已经超过节能灯,实现了真正意义上的照明。11、2007年3月,美国CREE公司光效达到157lm/W,目前LED的效率向200Lm/W前进。,1.4.1 基本参数电学参数,正向工作电压VfIf反向漏电流IrVr功率P=Vf*If测量方法,Vf,If,Ir,Vr,峰值波长(lp,nm),半峰宽(FWHM,nm)色纯度
5、:反应了单色光和白光的比例主波长(ld,nm),视觉函数(V(l),1.4.2 光学参数,发光功率(Po,mW),光通量(Lf,lm)发光效率(Le,lm/W)当Lf=632 V(l)Po(l)d l,当电功率 全部转化成光功率,最大的发光效率为632lm/W,若蓝光激发荧光粉或三色LED混合得到白光,其效率小于300lm/W.发光强度(Iv,Lop,mcd):单位立体角内的光通量.照度(illumination,lm/m2,Lx):单位面积上光通量,被照表面的明亮情况。亮度(luminance,Cd/m2):单位面积上的发光强度。光源的明亮情况。,光通量与光强的关系LED的光强与角度有关系,
6、而光通量与角度无关;发光角度为一半光强所夹的角(15o,30o,60o,90o,100o,120o,150o,180o),900 600 300 0 300 600 900Luminous Output(mcd),若LED作为点光源,光通量F与光强IV的关系F=IV*2p*(1cosq1/2)若60度发光角度光强为2000mcd,则光通量约为1.68lm但是光强随着角度变化并不是常数,以上公式只能近似的计算光通量,实际的情况是光强随着角度增大而减少。具体的数值需要通过配光曲线计算得到。,1.4.3 热学参数与可靠性,LED的结温定义为LED的PN结的温度,通常芯片具有很小的尺寸,因此通常把芯片
7、的温度等效结温。结温高将使得LED性能变差,失效。影响结温的因素:1)不良的器件结构,大的串连电阻发热;2)封装材料的热阻,大的热阻导致散热的困难,材料和导热途径;3)发光效率低下,30的电能转化成光能,其他转化成电能;4)环境的温度和联结材料,工艺。降低结温与耐热封装材料是高可靠性LED的保证。,其他可靠性测试:恒温恒湿:高温高湿测量其对高湿环境下的可靠性高低温循环:测试LED对昼夜和四季的适应性冷热冲击:测试其开关特性高温工作:加速老化,测试寿命过锡试验:深加工耐温能力大电流老化测试:比加温更苛刻的老化条件,考虑结温分布不均匀性ESD抗静电击穿能力:抗静电能力,LED寿命,LED作为电子空
8、穴对复合发光,对半导体而言,理论上它的寿命是无限长的。10万-100万小时的寿命概念源于半导体的性能。使用寿命则是指能够发挥作用的寿命,一般当光衰超过50,LED的寿命就到期了。浴盆效应:初期和后期失效率较高,初始工作还会出现性能高低起伏的退火期,而中间期大多数器件能够正常工作。在同一批LED样本中,统计失效率来评价整体器件水平。在规定时间内,失效率越低,可靠性越好。,寿命的测试方法,LED的光衰一般遵循以下规律:I=I0*EXP(-t/t)时间常数t与温度有关系,在一定的时间内分别测得温度T1对应的时间常数t1,T2对应的t2。我们把LED失效的因素归结于一个激活能Ea,则有t=t0*EXP
9、(-Ea/KT)根据上面T1,T2对应的两个时间常数t1,t2则可得到t0与Ea的值,这样我们就可以求得一定结温下的寿命值。以上的温度均指结温。,1.5 LED结构,Lumileds Packaging,GaN-LED芯片的基本结构,InGaN MQW active layer,Sapphire substrate,p-electrode(Ni/Au),p-electrode(Ni/Au),p-GaN layer,n-GaN layer,GaN buffer layer,芯片基本结构:flip-chip,芯片基本结构:SiC 垂直结构,芯片基本结构:金属衬底、垂直结构,按发光颜色分:可分成红色
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