icp等离子体仪器及原理介绍.ppt
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1、安捷伦电感耦合等离子体质谱仪(7700 ICPMS)原理介绍,安捷伦科技生命科学与化学分析仪器部,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 2,ICP-MS 简介,ICP-MS全称电感耦合等离子体质谱(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry),可分析几乎地球上所有元素(Li-U)ICP-MS技术是80年代发展起来的新的分析测试技术。它以将ICP的高温(8000K)电离特性与四极杆质谱计的灵敏快速扫描的优点相结合而形成一种新型的最强有力的元素分析、同位素分析和形态分析技术。该技术提供了极低
2、的检出限、极宽的动态线性范围、谱线简单、干扰少、分析精密度高、分析速度快以及可提供同位素信息等分析特性。自1984年第一台商品仪器问世以来,这项技术已从最初在地质科学研究的应用迅速发展到广泛应用于环境保护、半导体、生物、医学、冶金、石油、核材料分析等领域。被称为当代分析技术最激动人心的发展。,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 3,Agilent 4500-#1 selling ICP-MS worldwide 1995-1998 inclusive!Source-Myers&Assoc Market Study 2/99,等离子
3、体色谱软件,Agilent 4500 Series,Agilent 7500 Series,ShieldTorch Interface,安捷伦ICPMS的发展历史,1987年:第一代产品,第一台计算机控制ICPMS仪器,型号PMS-100。1988年:第二代产品,型号PMS-200,高基体分析接口。1990年:第三代产品,型号PMS-2000。技术发明:Omega离轴偏转透镜“被证明优于采用中心光子阻挡片的透镜电感耦合等离子体质谱手册 1992年:发明专利屏敝炬系统(ShieldTorch)应用于半导体行业ppt级K,Ca,Fe等元素的测定 1994年:第四代产品,型号HP4500。第一台台式
4、ICP-MS 1998年:第五代产品,HP4500+;发明Plasma-Chrom软件,使ICPMS与色谱技术联用实现一体化,使形态分析成为标准技术 1999年:HP4500按专业应用分为100型,200型,300型。,2000年:第六代产品,Agilent7500系列,按专业应用区分:7500a:基本配置;7500i:快速、大量样品分析;7500s:半导体行业专用;2001年:第七代产品,Agilent 7500c第一代八极杆反应池系统 应用于环保、海水、临床、医药等高基体样品的分析及联用技术和形态分析2002年:第八代产品,Agilent 7500cs,第二代八极杆反应池系统应用于半导体高
5、纯样品及其他高基体样品的分析 2003年:第九代产品Agilent 7500ce 应用于海水、临床、医药、环保及联用技术和形态分析,高性能 2007年:第十代产品Agilent 7500cx HMI系统使仪器在高基体样品分析中更加稳定,高效,2009 Agilent 7700 series ICP-MS 上市,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 5,ICP-MS的应用领域分布,环境:49%饮用水、海水、环境水资源食品、卫生防疫、商检等土壤、污泥、固体废物生产过程QA/QC,质量控制烟草酒类质量控制,鉴别真伪等Hg,As,Pb,Sn
6、等的价态形态分析,半导体:33%高纯金属(电极)高纯试剂(酸,碱,有机)Si 晶片的超痕量杂质光刻胶和清洗剂,医药及生理分析6%头发、全血、血清、尿样、生物组织等医药研究,药品质量控制药理药效等的生物过程研究,地质学:2%金属材料,合金等土壤、矿石、沉积物同位素比的研究激光熔蚀直接分析固体样品,核工业:5%核燃料的分析放射性同位素的分析初级冷却水的污染分析,化工,石化等:4%R&DQA/QC,法医,公安等:1%射击残留物分析特征材料的定性来源分析毒性分析,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 6,什么是ICP-MS?,ICP-Ind
7、uctively Coupled Plasma 电感耦合等离子体 质谱的高温离子源样品蒸发、解离、原子化、电离等过程,MS-Mass Spectrometer 质谱四极杆快速扫描质谱仪通过高速顺序扫描分离测定所有元素高速双通道模式检测器对四极杆分离后的离子进行检测,一种强有力的无机元素分析技术,ICP-MS的基本原理与Agilent 7700介绍,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 7,氩的第一电离能高于绝大多数元素的第一电离能(除He、F、Ne外),且低于大多数元素的第二电离能(除Ca、Sr、Ba等)。因此,大多数元素在氩气等离
8、子体环境中,只能电离成单电荷离子,进而可以很容易地由质谱仪器分离并加以检测。,Ar 等离子体中各元素的电离特性,Agilent 7700 ICP-MS 系统详图,ICP-MS的组成:进样系统、离子源、接口、离子透镜、八极杆碰撞反应池、四极杆滤质器、检测器、真空系统,进样系统 HMI 高基体系统,进样系统采用:低样品提升量(约0.15mL/min)雾室温度采用Peltier 制冷装置控温HMI 高基体系统(High Matrix Introduction),可根据样品基体中的含盐量在软件中自动选择等离子体条件,大大提高ICP-MS的耐盐性。,HMI 如何工作?,HMI 采用气溶胶稀释原理,与溶液
9、稀释的方法相比,可有效节省时间与试剂,减少误差与污染。,HMI 强劲的等离子体 极低的氧化物干扰,含不同浓度Mo(0,2,5 ppm Mo)的溶液中加标1 ppb Cd。比较7700 x不用HMI(1%氧化物)与7700 x 采用 HMI 条件(0.2%氧化物)下的分析结果。,氧化物比例与耐盐量(TDS)的关系,*7700 ICP-MS 采用HMI,高温等离子体的优势,CeO+/Ce+比例从 3.0%降至 1.0%(降低3倍),可除去70%基体引入的质谱干扰(ArCl+,ClO+,CaO+,etc)更高的等离子体温度受基体改变的影响小(更可靠)基体解离更佳,降低接口与透镜的污染,因而减少维护
10、更高的等离子体温度提高了难电离元素的电离效率,大大降低了此类元素的检出限(如 Be,B,As,Se,Cd,Hg等),Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 14,典型的雾化器,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 15,典型的雾化室 双通路斯科特型,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 16,有雾化室和没有雾化室时雾滴粒径大小分布比较,Title of PresentationDate,Agilent Restr
11、icted,Page 17,ICP炬管箱,炬管位置由步进电机控制,x、y、z三维可调,快速精确。炬管的拆卸、安装简单快速,便于清洗更换。等离子体部分独立于仪器主体部分,等离子气由排气管道直接排出。,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 18,电感耦合等离子体的形成,等离子气Plasma gas,辅助气Aux gas,载气carrier gas,RF工作线圈(内通循环水),射频电压诱导氩离子和电子快速震荡,产生热量(8,000 K),载气将样品气溶胶载到等离子体的中心,进而样品发生干燥、去溶剂、解离、原子化和电离等过程(中心温度680
12、0K),石英同心炬管,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 19,ICP离子源原理图,ICP最热部分 8000K,粒子蒸发与解离,采样锥口处正离子浓度最高,而多原子离子干扰浓度最低,在采样锥口处样品以正离子形态存在,气溶胶干燥,解离成单原子且电离,RF发生器频率27MHz,样品通道 6800K以上,样品停留时间为几个毫秒,+,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 20,多原子分子,原子,正离子,气溶胶,固体颗粒,原子吸收,ICP发射光谱,雾化,蒸发去溶剂,蒸发解离,化学键
13、断裂,电离,离子源作用原理安捷伦7500系列ICPMS的优化设计均围绕着离子产生与测定的高效率和降低干扰物浓度,气体或固溶胶,ICP质谱,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 21,ICP离子源中的物质,已电离的待测元素:As+,Pb+,Hg+,Cd+,Cu+,Zn+,Fe+,Ca+,K+,2)主体:Ar原子(99.99)3)未电离的样品基体:Cl,NaCl(H2O)n,SOn,POn,CaO,Ca(OH)n,FeO,Fe(OH)n,这些成分会沉积在采样锥、截取锥、第一级提透镜、第二级提取透镜、偏转透镜(以上部件在真空腔外)、ORS
14、、预四极杆、四极杆、检测器上(按先后顺序依次减少),是实际样品分析时使仪器不稳定的主要因素,也是仪器污染的主要因素;4)已电离的样品基体:ArO+,Ar+,ArH+,ArC+,ArCl+,ArAr+,(Ar基分子离子)CaO+,CaOH+,SOn+,POn+,NOH+,ClO+(样品基体产生),这些成分因为分子量与待测元素如Fe,Ca,K,Cr,As,Se,P,V,Zn,Cu等的原子量相同,是测定这些元素的主要干扰;,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 22,较高的等离子体中心通道温度尤为重要!,获得更多已电离的待测元素,Titl
15、e of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 23,等离子体温度越高,元素的电离效率就越高,就会形成更多的待测离子,Ionisation Potential(eV),6800K,6100K,7500K,As,Hg,Title of PresentationDate,Agilent Restricted,Page 24,等离子体能量越高电离效率越高,许多元素的电离度主要取决于等离子体的温度,若等离子体的能量不够高,基体水平的变化就会引起轻微的温度变化,从而严重影响灵敏度。,Title of PresentationDate,Agilent Restr
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