EMC实用技术基础知识培训.ppt
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1、EMC实用技术基础知识培训,什么是电磁兼容性问题,电磁兼容问题可以分为两类,一类是电子电路、设备、系统在工作时由于相互干扰或受到外界的干扰,使其达不到预期技术指标。如装于机壳内的由微处理器构成的控制电路受到装在同一个机壳内的马达的干扰的问题。另一类电磁兼容问题,设备虽然没有直接受到干扰的影响,仍达不到规定的功能性指标,但不能通过国家的电磁兼容标准,如手机等设备产生超过电磁发射标准规定的极限值,或在电磁敏感度、静电敏感度等方面达不到要求。,一般论述,传导干扰:是因为源与敏感器之间有电磁线或信号电缆连接,干扰沿着电缆从一个单元传到另一个单元。传导干扰经常会影响设备的电源,这可以通过滤波器来控制。辐
2、射干扰:当一个器件发射的能量,通常是射频能量,通过空间到达敏感器时。干扰源:既可以是受干扰系统中的一部分,也可以是完全电气隔离的单元。辐射干扰 能影响设备中的任何信号路径,其屏蔽有较大难度。辐射电磁能量干扰:机理可以由法拉第定律来解释。这个定律表明当一个变化的电场作用于一个导体时,在这个导体上会感应出电流。这个电流与工作电流无关,但是电路会象与工作电流一样来接收这个电流并发生响应。换句话说,随机的射频信号能够使设备(接收机)性能恶化。大规模集成电路芯片较低的供电电压降低了内部噪声门限,而它们精细的几何尺寸的较低的电平下就受到电弧损坏,降低了电磁干扰的阈值。它们更快的同步操作产生更尖的电流脉冲,
3、这会带来从端口产生宽带发射的问题。一般来说,高速数字电路比统的模拟电路产生更多的干扰,电磁兼容的技术,使设备达到电磁兼容状态的技术有哪些?为了使设备或系统达到电磁兼容状态,通常应用印制电路板设计、屏蔽机壳、电源线滤波、信号线滤波、接地、电缆设计等技术。做电磁兼容设计时有那些文献资源可以利用?国外在电磁兼容设计方面有许多手册可以参考,国内除了一些国外设计规范的中文译本外,还有“电磁兼容工程设计手册”。如果要系统地学习电磁兼容知识,可以参考“电磁兼容原理”。另外北京瑞特电子技术公司编辑的电磁兼容与电磁干扰抑制技术刊物,提供了实用而新颖的内容。,手机电磁兼容的要求,YD 1169.1-2001 80
4、0MHzCDMA数字蜂窝移动通信系统电磁兼容性要求和测量方法 第一部分:移动台及其辅助设备 GB/T 17626.21998电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验 GB/T 17626.31998 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T 17626.41998电磁兼容 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 GB/T 17626.51998电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验 GB/T 17626.61998电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度试验 GB/T 17626.111998电磁兼容 试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变
5、化的抗扰度试验 ISO76371(1990)车辆 传导和耦合的电气骚扰 第一部分 带有12V额定电压电源的客车和小型商用交通工具 仅沿电源线的瞬态传导 ISO76372(1990)车辆 传导和耦合的电气骚扰 第二部分 带有24V额定电压电源的客车和商用交通工具 仅沿电源线的瞬态传导,电磁兼容指标测试的方法,现有的规范和标准对产品辐射的电场强度的极限值是在m、m或m处规定的。为了测试设备是否满足这些标准,需要一块能提供被测件与天线之间对应距离的足够大的场地。测试场地的背景电磁能量大大低于测试范围。被测设备所处的状态必须与实际使用状态相同,接口与适当的外设连接。被测系统要放在转台上,这样可以通过旋
6、转来找到最大辐射信号。转台与天线放在同一个地面上。这样就可以测量系统工作时的辐射了。,开阔测试,这种测试也可以在半无反射室中进行,但一个合适的测试室其尺寸和成本都是可观的。大多数辐射测试是在开阔场中进行,开阔场是精心选择的,其电磁背景很低,周围没有反射物,如建筑物。图是开阔场的示意图。,屏蔽盒测试,为了获得不同材料的屏蔽效能,采用一些其它的测试方法。屏蔽盒是最先开发的方法之一。在密封的屏蔽盒内放置接收天线的装置如图所示。这个盒子上有一个方形的开口,将它放置在屏蔽室内使外界干扰最小。,屏蔽室测试,屏蔽室内有信号发生器和发射天线。被测材料的样品牢固地夹在盒子的开口上,记录下发射天线处的场强和接收天
7、线处的场强。这种材料的屏蔽效能就是两个值的比值。纯铜板可以用来作为参考值。图所示的四个屏蔽室的装置可以用来提高测量精确度,并且拓宽测量的频率范围。,屏蔽原理1,电磁波理是经典的理论。麦克斯威尔、法拉第和其它人在电子学之前就建立了描述电场和磁场的基本方程式。然而,对实际中的复杂硬件几乎不能直接应用这些方程式。电场和磁场的衰减用从试验中得到的方程式能够更好的表达,这些方程式在屏蔽的设计中广泛应用。有许多因素会影响电磁能量源周围的场。源的种类赋予了场一些特征,如辐射幅度、距离源的距离和电磁波传输的媒介的特性都会影响场与屏蔽之间的相互作用。在电磁屏蔽中,波阻抗Zw是联系这些参数的有用的概念。波阻抗定义
8、为电场E与磁场H的比值。源上的驱动电压决定了干扰的特性。例如,环天线中流动的电流与较低的驱动电压对应。结果是在天线附近产生较小的电场和较大的磁场,具有较低的波阻抗。另一方面,四分之一波长的距离上,所有源的波的阻抗趋近于自由空间的特征阻抗,377欧姆。这时,称为平面波,作为参考,1MHz的波长是300m。,屏蔽的原理2,按照到源的距离,电磁波可以进一步分为两种,近场和远场。两种场的分界以波长除以2的距离为分界点。/2附近的区域称为过渡区。源与过渡区是近场,超过这点为远场。近场波的特性主要由源特性决定,而远场波的特性由传播媒介决定。如果源是大电流、低电压。则在的近场以磁场波为主。高电压、小电流的源
9、产生电场为主的波。在设计屏蔽控制辐射时,这个概念十分有用。由于这时屏蔽壳与源之间的距离通常在厘米数量级,相对于屏蔽电磁波为近场的情况。在远场,电场和磁场都变为平面波,即,波阻抗等于自由空间的特性阻抗。,屏蔽的原理3,用能将磁通分流的高导磁率铁磁性材料可以屏蔽200KHz以下的低阻抗波。反过来,用能将电磁波中电矢量短路的高导电性金属能够屏蔽电场波和平面波。入射波的波阻抗与屏蔽体的表面阻抗相差越大,屏蔽体反射的能量越多。因此,一块高导电率的薄铜片对低阻抗波的作用很小。对于任何电磁干扰,屏蔽作用由三种机理构成。入射波的一部分在屏蔽体的前表面反射,另一部分被吸收,还有一部分在后表面反射,如图1-7所示
10、。,对于任何电磁干扰,屏蔽作用由三种机理构成。入射波的一部分在屏蔽体的前表面反射,另一部分被吸收,还有一部分在后表面反射,如图1-7所示。,屏蔽效能,电磁屏蔽的效果如何评价?屏蔽体的有效性用屏蔽效能()来表示,屏蔽效能的定义为:lg(E1/E2)dB式中,是没有屏蔽体时测得的场强,是有屏蔽体时测得的场强。屏蔽效能与场强衰减的关系如表:,屏蔽效能与场强衰减的关系屏蔽效能越高,每增加的难度越大。民用设备的机箱一般仅需要左右的屏蔽效能,而军用设备的机箱一般需要以上的屏蔽效能。,屏蔽的原理4,屏蔽效能SE等于吸收因子A加上反射因子R,加上多次反射修正因子B,所有因子都以dB表示。SE=A+R+B 表1
11、.10和表1.11给出了不同的屏蔽效能,吸收损耗的计算公式如下:A=1.13t 式中;t-屏蔽厚度,cm;r-屏蔽材料的相对导磁率;r-屏蔽材料的相对导电率;f-频率,Hz。由于吸收主要由屏蔽厚度产生的,吸收因子对所有类型的电磁波都一样,与近场还是远场无关。以下是计算平面后反射损耗的公式,等于电场波和磁场波有类似的公式。R=168 101g(rf/r)dB,屏蔽的原理5,如果吸收因子6dB以上,多次反射因子B可以忽略,仅当屏蔽层很薄或频率低于20KHz时,B才是重要的。;在设计磁屏蔽时,特别是14KHz以下时,除了吸收损耗外,其它因素都可以忽略。同样,在设计电场或平面波屏蔽时,只考虑反射因子。
12、表1.12给出了一些常用屏蔽材料的相对导电率和导磁率。开口效应 当一束电磁波碰到屏蔽体时,在表面上感应出电流。屏蔽的一个作用是将这些电流在最小扰动的情况下送到大地,如果在电流的路径上有开口,电流受到扰动要绕过开口。较长的电流路径带来附加阻抗,因此在开口上有电压降。这个电压在开口上感应出电场并产生辐射。当开口的长度达到/4时,就变成效率很高的辐射体,能够将整个屏蔽体接收到的能量通过开口发射出去。为了限制开口效应,一般的规则是,如果屏蔽体的屏蔽效能要达到60dB,开口长度在感兴趣的最高频率处不能超过0.01。每隔一定间隔接触的复合或用指形簧片连接的缝隙可以作为一系列开口来处理。值得指出的是,材料本
13、身的屏蔽特性并不是十分重要的,相比之下缝隙开口等屏蔽不连续性是更应该注意的因素。,信号强度的衰减与屏蔽衰减极限值的判定,表1.10信号强度的衰减,表1.11屏蔽衰减极限值,用于屏蔽的金属电导率r/相对磁导率r 特性,表1.12用于屏蔽的金属特性,表1.12用于屏蔽的金属特性,表1.12用于屏蔽的金属特性,(1)干扰场,干扰能量沿着导线和自由空间传播。因此它成为与线路有关的干扰电压和辐射干扰场强。所传播的各种干扰都存在一定的频率范围。低于30MHz的低频干扰,主要是在导线中传播。这种干扰不能靠简单的屏蔽机壳来防止,而只能用适当的线路滤波器来保护有用信号不受损害。更高频率的干扰(30MHz)与导线
14、的辐射有关,因为这时导线尺寸可以和波长相比拟。就电磁波而论,电场强度E和磁场强度H是由一定的关系或联系在一起的。通常是将电场分量和磁场分量分别屏蔽。在相应的频率范围中符合一定的规则。在约1MHz以下的较低频率范围内,平行于导体壁的电力线是连续的。这里,频率的影响取决于所用屏蔽材料的壁厚和导磁率。在1MHz至100MHz的频率范围内,屏蔽柜内受干扰影响的部位包括:前面板的连接面、门或 窗以及引入的主要部件。这时电力线不再保证全部是连续的,从约100MHz频率开始,电场屏蔽效能将逐渐减小,而磁场屏蔽效能则不再增加。对于100MHz以上频率范围,所传播的波的电场和磁场分量应当认为是相等的。均匀平面波
15、的屏蔽取决于各自分量在屏蔽材料表面的集肤效应,屏蔽材料的导电率将决定波的反射损耗。,(2)RFI/EMI传输的含意,RFI/EMI可以通过传导,耦合或辐射离开干扰源或进入敏感设备,在设备的一部分和另一部分之间,如电源和附近的电路之间,或在两个分开的设备之间,都会产生干扰。传导 RFI/EMI可以通过信号线、天线馈线、电源线、甚至通过RFI/EMI敏感设备之间的接地线进行传导。耦合 EFI/EMI可以在具有某些互阻抗的元件、电路或设备之间耦合,通过这种互阻抗,一个电路中的电流或电压能在另一电路中引起电流或电压。互阻抗可以是电导、电容或电感,或者是它们的任意组合。辐射 RFI/EMI可以通过任何一
16、种设备机壳的开口、通风孔、出入口、电缆、测量孔、门框、舱盖、抽屉和面板,以及机壳的非理想连接面等进行辐射。RFI/EMI也可由进入敏感设备的导线和电缆进行辐射,任何一个良好的电磁能量辐射器也可以作为良好的接收器。,如何进行屏蔽,将从敏感设备防护外来电磁波的观点来考虑屏蔽。有效的屏蔽对设备自射 产生的电磁波也同样有效,它可以防止自身产生的电磁波对其它设备造成危险。对于已有标准来说,屏蔽的后一个目的特别重要。当电磁波在导电体内引起感应电流时,如果该导电体是由良好导体制成,此电流不会穿透该导电体。如果敏感设备封闭在一个较大的导电体内,例如在铜制机柜内,就能产生有交的屏蔽。然而,应当明白,电磁波所感应
17、的电流不应传导至屏蔽体的内部,这样的电流才是允许的,否则,该电流就有可能传导至设备或通过电磁波到达设备。在屏蔽体外抑制该电流和电磁波是屏蔽外部干扰的实质。电磁波感应的电流沿着电阻最小的路径并绕着无缝金属机壳外表面运行,但遇到任何一个连接面时,该电流宁愿绕过一个面进入内部而不越过窄缝隙到达另一个面,如图2.1所示。,围绕金属机壳的电流路径,电源围绕金属机壳运行 电流在机壳内表面运行 机壳/盖板截面图,因此,用钢制机柜进行屏蔽时,由于能为所有连接面提供一条由一个面至另一个面的高导电路径,所以电流仍保持在机箱外侧。这种导电路径是用特殊的衬垫和在连接表面进行导电涂敷而建立的,导电衬垫将在另外两章中详细
18、讨论。导电路径的任何中断都将使屏蔽效能降低,它取决于缝隙或孔洞尺寸与信号波长之间的关系。对于较低频率或较长波长来说,如果只有一个小孔则不会明显降低屏蔽效能;对于高频或较短波长来说,屏蔽效能的下降将是很剧烈的。举一个例子,屏蔽体上如果有一个直径为15mm的孔洞,对于10MHz信号(波长为30m)来说,将仍然能提供60dB屏蔽效能,但对于1GHz信号(波长为30mm)来说,若要保持同样的屏蔽效能,则孔径不能超过0.15mm。直径为15mm的孔对于1GHz信号只能提供20dB衰减。,RFI/EMI能量,如果不止一个孔洞,而且孔距小于信号半波长时,屏蔽效能将进一步降低。如果高频信号波长时,屏蔽效能将进
19、一步降低。如果高频信号要求足够的衰减,则不应采用为了通风目的的孔洞。图2.2表示RFI/EMI能量是如何通过吸收、反射和传导而耗散的。屏蔽效能及其产生的衰减与频率、源与屏蔽体的距离、屏蔽体的厚度以及屏蔽材料等有关。由于增加了对RFI/EMI能量的反射和吸收的总和,使所传输的电磁能量减小。,屏蔽的内容,屏蔽能有效地抑制通过空间传播的电磁干扰。采用屏蔽的目的有两个:一是限制内部的辐射电磁能越过某一区域;二是防止外来的辐射进入某一区域。屏蔽按其机理可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。,电场屏蔽的原理,C1,电场屏蔽的设计要点,为了获得良好的电场屏蔽效果,注意以下几点是必要的:1、屏蔽板以靠近受保护
20、物为好,而且屏蔽板的接地必须良好。此举目的是增大C4的值;2、屏蔽板的形状对屏蔽效能的高低有明显影响。例如,全封闭的金属盒可以有最好的电场屏蔽效果,而开孔或带缝隙的屏蔽盒,其屏蔽效能都会受到不同程度的影响。此举主要是影响剩余电容C1的值;3、屏蔽板的材料以良导体为好,但对厚度并无要求,只要有足够强度就可以了,磁场屏蔽的机理,磁场屏蔽通常是对直流或甚低频磁场的屏蔽,其效果比对电场屏蔽和电磁场屏蔽要差得多,因此磁场屏蔽是个棘手的问题。磁场屏蔽主要是依赖高导磁材料所具有的低磁阻,对磁通起着分路的作用,使得屏蔽体内部的磁场大大减弱。,磁场屏蔽的设计要点,提高磁场屏蔽效能的主要措施有:1、选用高导磁率的
21、材料,如坡莫合金;2、增加屏蔽体的壁厚;以上两条均是为了减少屏蔽体的磁阻;1、被屏蔽的物体不要安排在紧靠屏蔽体的位置上,以尽量减少通过被屏蔽物体体内的磁通;2、注意磁屏蔽体的结构设计,凡接缝、通风孔等均可能增加磁屏蔽体的磁阻,从而降低屏蔽效果。为此,可以让缝隙或长条形通风孔循着磁场方向分布,这有利于屏蔽体在磁场方向的磁阻减小;,磁场屏蔽的设计要点(续),对于强磁场的屏蔽可采用双层磁屏蔽体的结构。对要屏蔽外部强磁场的,则屏蔽体外层要选用不易磁饱和的材料,如硅钢等;而内部可选用容易达到饱和的高导磁材料,如坡莫合金等。反之,如果要屏蔽内部强磁场时,则材料排列次序要倒过来。在安装内外两层屏蔽体时,要注
22、意彼此间的磁绝缘。当没有接地要求时,可用绝缘材料做支撑件。若需要接地时,可选用非铁磁材料(如铜、铝)做支撑件。但从屏蔽体能兼有防止电场感应的目的出发,一般还是要接地的。,电磁场屏蔽的机理,电磁屏蔽体对电磁的衰减主要是基于电磁波的反射和电磁波的吸收两种方式。,电磁场屏蔽的机理(续),与前面已讲述的电场屏蔽及磁场屏蔽的机理不同,电磁屏蔽对于电磁波的衰减有三种不同的机理:当电磁波在到达屏蔽体表面时,由于空气与金属的交界面上阻抗的不连续,对入射波产生的反射。这种反射不要求屏蔽材料必须有一定厚度,只要求交界面上的不连续;未被表面反射掉而进入屏蔽体的能量,在体内向前传播的过程中,被屏蔽材料所衰减。这种物理
23、过程被称为吸收;在屏蔽体内尚未衰减掉的剩余能量,传到材料的另一表面时,在遇到金属与空气不连续的交界面时,会形成再次反射,并重新返回屏蔽体内。这种反射在两个金属的交界面上可能有多次的反射,屏蔽材料,哪些材料能提供最好的屏蔽效能是一个相当复杂的问题。很明显这种材料必须具有良好的导导性,所以未处理过的塑料是无用的,因为电磁波能直接通过它。当然,可以采用金属。然而,应当记住,不能只考虑导电性,其理由就在于,电磁波不但有电场分量,还有磁场分量。要知道高导磁率和高导电率同样重要,高导磁率的意思就是磁力线的高导通性。钢是一种良导体,而磁导率的量级也会令人满意。它也是相对廉价并能提供很大机械强度的材料,所以有
24、理由利用钢材,廉价的获得满意的屏蔽效能。应当注意,低频电磁波比高频电磁波有更高的磁场分量。因此,对于非常低的干扰频率,屏蔽材料的导磁率远比高频时更为重要。用于屏蔽外场直接耦合的机壳或机柜的材料是很重要的。由于是高反射屏蔽,通常采用提供电场屏蔽的薄导电材料。对于30MHz以上更高的频率,通常应主要考虑电场分量,在后一种情况下,非铁磁性材料,诸如铝或铜,能提供更好的屏蔽,因为这种材料的表面阻抗很低。,屏蔽材料,具有较高导电、导磁特性的材料可以作为屏蔽材料。常用的屏蔽材料有钢板、铝板、铝箔铜板、铜箔等。随着对民用产品电磁兼容性要求的严格化,越来越多的厂家采取在塑料机壳上镀镍或铜的方法来实现屏蔽。电磁
25、屏蔽与静电屏蔽的不同电磁屏蔽指的是对电磁波的屏蔽,而静电屏蔽指的是对静电场的屏蔽。静电屏蔽要求屏蔽体必须接地。影响屏蔽体电磁屏蔽效能的不是屏蔽体接地与否,而是屏蔽体导电连续性。破坏屏蔽体的导电连续性的因素有屏蔽体上不同部分的接缝、开口等。电磁屏蔽对屏蔽体的导电性要求要比静电屏蔽高得多。,静电屏蔽举例,静电放电可通过直接传导、电容耦合和电感耦合的三种方式进入电子线路。解决接地电阻最低的问题,保护内部电路不受静电的冲击,如果缝隙点泄放电阻抗过大,静电将击穿最小阻抗点:ESD保护电路、器件、或导电喷涂电阻过大区屏蔽外壳的不连续(如有接缝、开孔),静电便能造成壳体与内部电路之间(由分布电容形成)的电位
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