CMOS反相器的设计.ppt
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1、CMOS反相器的设计,CMOS反相器是IC设计中结构最简单,并且最具有代表性的器件。CMOS反相器包括的器件:NMOS、PMOS。,CMOS反相器的设计,一、工艺的选择二、电路前端设计三、版图后端设计四、LVS一致性检查,一、工艺的选择,采用实验使用的工艺。0.6um N阱 1P2M 硅栅工艺,Layout(Design)Rules(I),well(N阱):1a.Minimum nwell width 1.8um1b.Minimum nwell spacing 2.5um1c.nwell enclosure of pdiff 2.0um1d.nwell enclosure of ndiff 1
2、.0um,diffusion(扩散层):2a.minimum ndiff or pdiff width 1.0um2b.minimum ndiff or pdiff spacing 1.0um2c.minimum ndiff to pdiff spacing 1.0um2d.minimum source/drain diffusion width 1.0um2e.Pmos device must be inside nwell,Layout(Design)Rules(II),poly1(多晶硅一层):3a.minimum poly1 width 0.6um3b.minimum poly1 sp
3、acing 1.0um3c.poly1 extension past ndiff or pdiff 0.4um,Metal1(金属一层):4a.minimum metal1 width 0.8um4b.minimum metal1 spacing 1.0um,Metal2(金属二层):6a.minimum metal2 width 1.0um6b.minimum metal2 spacing 1.0um,Layout(Design)Rules(III),contact(接触孔):5a.minimum contact width 1.0um5b.minimum contact spacing 1
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