四章节恒定电流场Steadyelectriccurrentsfield.ppt
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1、第四章 恒定电流场Steady electric currents field,恒定电场:恒定电流(运动电荷)产生的电场。恒定电流周围存在恒定电场和磁场,恒定电流场的边界条件恒定电流场的能量损耗恒定电流场与静电场的比拟,矢量磁位与标量磁位媒质磁化 媒质中的恒定磁场方程式电感与互感磁场能量与磁场力,恒定电场,恒定磁场,1、恒定电场在分界面上的折射关系为,若,则。,在理想导体表面上,和 都垂直于边界面。当电流由理想导电体流出进入一般导电媒质时,电流线总是垂直于理想导电体表面。,4.1 恒定电流场的边界条件 Boundary condition,关于边界条件的说明:1、由于导体内存在恒定电场,根据边
2、界条件可知,在导体表面上的电场既有法向分量又有切向分量。电场并不垂直于导体表面,因而导体表面不是等位面。2、若媒质2是良导体,媒质1是极不良导电媒质,只要不接近,就可以近似地把良导体表面看作等位面。,例:同轴线填充两种介质,结构如图所示。两种介质介电常数分别为 和,导电率分别为 和,设同轴线内外导体电压为U。求:(1)导体间的,;(2)分界面上自由电荷分布。,解:这是一个恒定电场边值问题。不能直接应用高斯定理求解。,电流由内导体流向外导体,在分界面上只有法向分量,所以电流密度成轴对称分布。,例题:,先假设电流为I,求出电流密度J的表达式,求出E1和E2,确定出电流,由导电媒质内电场本构关系,可
3、知媒质内电场为:,设单位长度内从内导体流向外导体电流为I。,由边界条件,边界两边电流连续。,在 面上:,在 面上:,2)由边界条件:,在 面上:,在导电媒质中,自由电子移动时要与原子晶格发生碰撞,结果产生热能,这是一种不可逆的能量转换。这种能量损失将由外源不断补给,以维持恒定的电流。,4.2 恒定电场的能量损耗,圆柱体的端面分别为两个等位面。若在电场力作用下,d t 时间内有d q电荷自圆柱的左端面移至右端面,那么电场力作的功为,电场损失的功率 P 为,单位体积中的功率损失为,当J和E的方向不同时,上式可以表示为下面一般形式,表示某点的功率损耗等于该点的电场强度与电流密度的标积。,焦耳定律的微
4、分形式,设圆柱体两端的电位差为U,则,又知,那么单位体积中的功率损失可表示为,可见,圆柱体中的总功率损失为,这就是电路中的焦耳定律。,例1 已知一平板电容器由两层非理想介质串联构成,如图示。其介电常数分别为 1 和 2,电导率分别为 1 和 2,厚度分别为 d1 和 d2。当外加恒定电压为 V 时,试求两层介质中的电场强度,单位体积中的电场储能及功率损耗。,解:由于电容器外不存在电流,可以认为电容器中的电流线与边界垂直,求得,4.3.恒定电流场与静电场的比拟,静电场和恒定电场性质比较:,相同点:场性质相同,均为无旋场;场均不随时间改变;均不能存在于理想导体内部;,不同点:源不同。静电场的源为静
5、止电荷,恒定电场 的源为运动电荷。存在区域不同。静电场只能存在于导体外,恒定电场可以存在于非理想导体内。,静电比拟,例如,两电极间的电流场与静电场对应分布如下图示:,电流场,静电场,那么,利用已经获得的静电场结果可以求解恒定电流场。,静电场与恒定电场的对偶关系,4.4 电阻的计算,一、电介质隔开的导体之间漏电阻的计算,若已知两电极之间的电容,根据上述两式,即可求得两电极间的电阻及电导。,例如,已知面积为 S,间距为 d 的平板电容器的电容,若填充的非理想介质的电导率为,则平板电容器极板间的漏电导为,又知单位长度内同轴线的电容。那么,若同轴线的填充介质具有的电导率为,则单位长度内同轴线的漏电导,
6、如果同轴线的长度为l,总的漏电阻为R/l,二、特定等位面之间导体材料电阻的计算,(1)假设两电极间流过的电流I,然后按,(2)假设两电极的电压U,,然后按,的步骤计算。,计算步骤:,的步骤计算。,例2 设一段环形导电媒质,其形状及尺寸如图示。计算两个端面之间的电阻。,解 显然,必须选用圆柱坐标系。设两个端面之间的电位差为U,且令,当角度 时,电位。,当角度 时,电位。,那么,由于导电媒质中的电位 仅与角度 有关,因此电位满足的方程式为,此式的通解为,利用给定的边界条件,求得,导电媒质中的电流密度 J 为,那么由 的端面流进该导电媒质的电流 I 为,因此该导电块的两个端面之间的电阻 R 为,例:
7、电导率为的无界均匀电介质内,有两个半径分别为R1和R2的理想导体小球,两球之间的距离为d(d R1,d R2),试求两小导体球面间的电阻。,解:此题可采用静电比拟的方法求解。假设两小球分别带电荷q和-q,由于两球间的距离dR1、dR2,可近似认为小球上的电荷均匀分布在球面上。由电荷q和-q的电位叠加求出两小球表面的电位差,即可求得两小导体球面间的电容,再由静电比拟求出两小导体球面间的电阻。,由静电比拟,得到两小导体球面间的电导为,两小球表面的电位为,两小导体球面间的电容为,故两个小导体球面间的电阻为,一、矢量磁位的引入,式中:称为恒定磁场的矢量磁位。,引入矢量磁位的意义:引入辅助函数,可通过间
8、接求解方法求解空间磁场分布,简化电磁问题求解。,4.5 矢量磁位与标量磁位Vector and scalar Magnetic potential,1、矢量磁位 的定义具有普遍性,既适用于静磁场也适用于时变场,2、矢量磁位不是唯一的。事实上,若是任意连续可微的标量函数,令,显然有;,说明:,而:,上式表明:和 为性质不同的两种矢量场。这意味着满足 的 有无限多个。,3、为了确定矢量磁位的空间分布,还需规定矢量磁位的散度这种新引入的限定条件称为规范条件。,在恒定磁场中,一般采用库仑规范条件,注意:规范条件是人为引入的限定条件,可根据问题设定不同的规范条件。,为任意标量场,二、矢量磁位的求解,矢量
9、泊松方程,在直角坐标系中,矢量泊松方程可分解为三个标量泊松方程,体电流、面分布电流和细导线电流回路产生的矢量磁位分别为,1、不同电流分布时的矢量磁位,在无源区中,=0,则上式变为下述矢量拉普拉斯方程,说明:在直角坐标系中,泊松方程及拉普拉斯方程均可分解为三个坐标分量的标量方程。格林函数法以及分离变量法均可用于求解矢量磁位 的各个直角坐标分量所满足的标量泊松方程及拉普拉斯方程。镜像法也可适用于求解恒定磁场的边值问题。,2、无源区的矢量磁位,其中l为曲面S的边界,三、利用矢量磁位求磁通,四、标量磁位,式中标量 m 称为标量磁位。,说明:1、标量磁位满足拉普拉斯方程。这样,根据边界条件,求解标量磁位
10、满足的拉普拉斯方程,可得标量磁位,然后即可求出磁感应强度。2、标量磁位的应用仅限于无源区。,无源区中磁感应强度B 是无旋的,可以表示为一个标量场的梯度,令,scalar Magnetic potential,在磁场作用下,磁介质将产生磁化现象。,一、磁化与磁化强度矢量,1、分子电流模型,电子绕核运动,形成分子电流。,分子电流将产生微观磁场。,分子电流的磁特性可用分子极矩表示。,4.6 物质的磁化现象,电子运动形成的微观电流,分子电流所围面元,2、介质的磁化现象,磁化前,磁化前,分子极矩取向杂乱无章,磁介质宏观上无任何磁特性。,磁化后,磁介质内存在外加磁场时:大量分子的分子极矩取向与外加磁场趋于
11、一致,宏观上表现出磁特性。这一过程即称为磁化。,3、磁化强度矢量,磁化强度矢量描述磁介质被磁化的程度。,物理意义:单位体积内分子磁矩的矢量和。,Magnetization Vector,磁介质被磁化后,内部和表面可能会出现附加电流,称这种电流为磁化电流(束缚电流)。,若媒质的磁化强度为,则:,二、磁化电流,磁化电流,体磁化电流密度,面磁化电流密度,媒质表面外法向方向,1、若媒质被均匀磁化,无体磁化电流;磁化电流只会出现在介质表面上,2、磁化介质表面一般存在磁化电流;,3、磁化电流仍然遵循电流守恒关系;,4、若在磁介质内部存在自由线电流,则在自由电流处存在磁化线电流。,说明:,当磁介质中存在磁场
12、时:,磁介质中的磁通量为:,磁场强度矢量,定义,三、磁场强度矢量Magnetic field intensity,一般介质被磁化的程度与外加磁场强度成正比,即:,式中:为磁介质的磁化率(磁化系数),磁媒质本构关系,式中:称为媒质相对磁导率,称为媒质磁导率(relative)permeability),(relative)Permittivity,已知半径为a,长度为l 的圆柱形磁性材料,沿轴线方向获得均匀磁化。若磁化强度为M,试求位于圆柱轴线上距离远大于圆柱半径 P点处由磁化电流产生的磁感应强度。,解 取圆柱坐标系,令 z 轴与圆柱轴线一致,如图示。,又表面磁化电流密度,式中en 为表面的外法
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