数字电子技术加英文注释.ppt
《数字电子技术加英文注释.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《数字电子技术加英文注释.ppt(71页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、,第2章 逻辑门电路,2.1 概述2.2 半导体二极管和三极管的 开关特性2.3 最简单的与、或、非门电路2.4 TTL 集成逻辑门电路2.5 CMOS 集成逻辑门电路2.6 集成逻辑门的应用2.7 本章小结,Logic Gates,2.1 概 述,主要要求:,了解逻辑门电路的作用和常用类型。,理解高电平信号和低电平信号的含义。,2.1 概述,门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。,正逻辑:用高电平表示逻辑1,用低电平表示逻辑0负逻辑:用低电平表示逻辑1,用高电平表示逻辑0 在数字系统的逻辑设计中,若采用NPN晶体管和NMOS管,电源电压是正值,一般采用正逻辑。若采用的是PNP管和PMOS管,电
2、源电压为负值,则采用负逻辑比较方便。今后除非特别说明,一律采用正逻辑。,2.1 概述,一、正逻辑与负逻辑,VI控制开关S的断、通情况。S断开,VO为高电平;S接通,VO为低电平。,2.1 概述,二、逻辑电平,实际开关为晶体二极管、三极管以及场效应管等电子器件,Logic Levels,The voltages used to represent a 1 and a 0 are called logic levels.,逻辑电平,高电平UH:输入高电平UIH输出高电平UOH低电平UL:输入低电平UIL输出低电平UOL逻辑“0”和逻辑“1”对应的电压范围宽,因此在数字电路中,对电子元件、器件参数精
3、度的要求及其电源的稳定度的要求比模拟电路要低。,2.1 概述,5V,0V,0.8V,2V,TTL:HIGH 2-5V and LOW 0-0.8V.,This figure illustrates the general range of LOWs and HIGHs for a digital circuit.,Logic level for typical CMOS logic circuits,主要要求:,理解二极管、三极管的开关特性。,掌握二极管、三极管开关工作的条件。,2.2二极管和三极管的开关特性,一、二极管伏安特性,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,门坎电压Uth,反向击穿
4、电压,二极管的单向导电性:外加正向电压(Uth),二极管导通,导通压降约为0.7V;外加反向电压,二极管截止。,2.2.1 半导体二极管的开关特性,利用二极管的单向导电性,相当于一个受外加电压极性控制的开关。,当uI=UIL时,D导通,uO=0.7=UOL 开关闭合,二、二极管开关特性,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,假定:UIH=VCC,UIL=0,当uI=UIH时,D截止,uo=VCC=UOH 开关断开,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,一、双极型三极管结构,2.2.2 双极型三极管的开关特性,因有电子和空穴两种载流子参与导电过程,故称为双极型三极管。,2.2 半导体二极管和
5、三极管的开关特性,二、双极型三极管输入特性,双极型三极管的应用中,通常是通过b,e间的电流iB控制c,e间的电流iC实现其电路功能的。因此,以b,e间的回路作为输入回路,c,e间的回路作为输出回路。,输入回路实质是一个PN结,其输入特性基本等同于二极管的伏安特性。,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,三、双极型三极管输出特性,放大区:发射结正偏,集电结反偏;ubeuT,ubcVT,ubcVT;深度饱和状态下,饱和压降UCEs 约为0.2V。,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,四、双极型三极管开关特性,利用三极管的饱和与截止两种状态,合理选择电路参数,可产生类似于开关的闭合和断开的效果
6、,用于输出高、低电平,即开关工作状态。,当uI=UIL时,三极管截止,uO=Vcc=UOH 开关断开,假定:UIH=VCC,UIL=0,当uI=UIH时,三极管深度饱和,uo=UCES=UOL 开关闭合,MOS管是金属氧化物半导体场效应管的简称。(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)由于只有多数载流子参与导电,故也称为单极型三极管。,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,一、MOS管结构,2.2.3 MOS管的开关特性,NMOS管电路符号,PMOS管电路符号,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,二、MOS管开关特性,NMOS
7、管的基本开关电路,当uI=UIL时,MOS管截止,uO=VDD=UOH 开关断开,当uI=UIH时,MOS管导通,uo=0=UOL 开关闭合,选择合适的电路参数,则可以保证,2.3 最简单的与、或、非门电路,一、二极管与门,Y=AB,Implement AND-gate with diodes,二、二极管或门,Y=A+B,2.3 最简单的与、或、非门电路,Implement OR-gate with diodes,三、三极管非门,输入为低,输出为高;输入为高,输出为低。,利用二极管的压降为0.7V,保证输入电压在1V以下时,开关电路可靠地截止。,2.3 最简单的与、或、非门电路,Impleme
8、nt inverter with BJT,主要要求:,了解 TTL 非门的组成和工作原理。,了解 TTL 集成逻辑门的主要参数和使用常识。,2.4TTL 集成逻辑门,掌握集电极开路门和三态门的逻辑功能和应用。,掌握 TTL 基本门的逻辑功能和主要外特性。,(Transistor-Transistor-Logic),2.4 TTL集成门电路,TTL非门典型电路,一、74系列门电路,推拉式输出级作用:降低功耗,提高带负载能力,TTL inverter Logic circuit,TTL与非门典型电路,区别:T1改为多发射极三极管。,2.4 TTL集成门电路,TTL NAND-gate,TTL或非门
9、典型电路,区别:有各自的输入级和倒相级,并联使用共同的输出级。,2.4 TTL集成门电路,TTL NOR-gate,二、74S系列门电路,74S系列又称肖特基系列。采用了抗饱和三极管,或称肖特基晶体管,是由普通的双极型三极管和肖特基势垒二极管SBD组合而成。SBD的正向压降约为0.3V,使晶体管不会进入深度饱和,其Ube限制在0.3V左右,从而缩短存储时间,提高了开关速度。,抗饱和三极管,2.4 TTL集成门电路,三、TTL系列门电路,74:标准系列;,74H:高速系列;,74S:肖特基系列;,74LS:低功耗肖特基系列;74LS系列成为功耗延迟积较小的系列。74LS系列产品具有最佳的综合性能
10、,是TTL集成电路的主流,是应用最广的系列。,性能比较好的门电路应该是工作速度既快,功耗又小的门电路。因此,通常用功耗和传输延迟时间的乘积(简称功耗延迟积)来评价门电路性能的优劣。功耗延迟积越小,门电路的综合性能就越好。,74AS:先进肖特基系列;,74ALS:先进低功耗肖特基系列。,2.4 TTL集成门电路,74LS系列常用芯片,2.4 TTL集成门电路,与门,或门,异或门,2.4 TTL集成门电路,四、TTL门电路的重要参数,1.电压传输特性:输出电压跟随输入电压变化的关系曲线。,测试电路,低电平输入电压UIL,max0.8V高电平输入电压UIH,min2V低电平输出电压UOL,max0.
11、5V高电平输出电压UOH,min2.7V,74LS系列门电路标准规定:,2.4 TTL集成门电路,截止区,线性区,转折区,饱和区,实际应用中,由于外界干扰、电源波动等原因,可能使输入电平UI偏离规定值。为了保证电路可靠工作,应对干扰的幅度有一定限制,称为噪声容限。,2.输入噪声容限,高电平噪声容限是指高电平(逻辑1)所对应的电压范围,用UNH表示:,低电平噪声容限是指低电平(逻辑0)所对应的电压范围,用UNL表示:,UNL=UIL,maxUIL,UNH=UIHUIH,min,2.4 TTL集成门电路,UOH,min,UIH,min,UNH,UIL,max,UOL,max,UNL,输入低电平噪声
12、容限:UNL=UIL,maxUOL,max输入高电平噪声容限:UNH=UOH,minUIH,min,74LS系列门电路前后级联时的输入噪声容限为:,UNL=0.8V0.5V=0.3VUNH=2.7V2.0V=0.7V,5V,2.7V,0.5V,0V,5V,2V,0.8V,0V,2.4 TTL集成门电路,3.扇出系数,扇出系数N是指门电路能够驱动同类门的数量。,要求:前级门在输出高、低电平时,要满足其输出电流IOH和IOL均大于或等于N个后级门的输入电流的总和。,计算:输出为高电平时,可以驱动同类门的数目N1;输出为低电平时,可以驱动同类门的数目N2;扇出系数min(N1,N2)。,低电平输入电
13、流IIL,max-0.4mA高电平输入电流IIH,max20A低电平输出电流IOL,max8mA高电平输出电流IOH,max-0.4mA,74LS系列门电路标准规定:,2.4 TTL集成门电路,fan-out,例:如图,试计算74LS系列非门电路G1最多可驱动多少个同类门电路。,解:G1输出为低电平时,可以驱动N1个同类门;,应满足 IOL N1|IIL|,G1输出为高电平时,可以驱动N2个同类门;,Nmin(N1,N2)20,N1 IOL/|IIL|8mA/0.4mA 20,应满足|IOH|N2 IIH,N2|IOH|/IIH 0.4mA/20A 20,2.4 TTL集成门电路,五、集电极开
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 数字 电子技术 英文 注释
链接地址:https://www.31ppt.com/p-5387036.html