气体的绝缘强度.ppt
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1、1,第一篇高 电 压 绝 缘 与 试 验,第一章 气体的绝缘强度,2,主要内容,1 气体放电的主要形式2 气体中带电质点的产生和消失3 汤逊理论和流注理论4 不均匀电场长空气间隙的放电5 冲击电压下气隙的击穿特性6 影响气体放电电压的因素7 提高气体介质电气强度的方法8 沿面放电,3,1 气体放电的主要形式,4,1 气体放电的主要形式,1.1 气体放电的基本概念,1.2 气体放电的主要形式,5,1.1 气体放电的基本概念,1.1.1 气体放电1.1.2 气体的绝缘特性1.1.3 气体的电气强度,6,1.1 气体放电的基本概念,气体放电:气体中流通电流的各种形式;,气体击穿:气体由绝缘状态突变为
2、良导电状态的过程;,沿面闪络:击穿发生在气体与液体、气体与固体交界面上的放电现象;,工程上将击穿和闪络统称为放电。,7,1.1 气体放电的基本概念,这里所研究的气体是指高压电气设备中常用的空气、N2、SF6、以及高强度混合气体等气态绝缘介质。空气:架空线路、变压器外绝缘;SF6:SF6断路器和SF6全封闭组合电器;,空气是最廉价、应用最广、自动恢复绝缘的气体,因此我们主要研究空气的放电。,气体具有自恢复特性,8,1.1 气体放电的基本概念,气体的电气强度表征气体耐受电压作用的能力。,均匀电场中击穿电压Ub与间隙距离之比称为击穿场强Eb。我们把均匀电场中气隙的击穿场强Eb称为气体的电气强度。空气
3、在标准状态下的电气强度为30kV/cm;,注意:不能把不均匀场中气隙Ub与间隙距离之比称为气体的电气强度,通常称之为平均击穿场强。,9,1.2 气体放电的主要形式,注意:电晕放电、刷状放电时气隙未击穿,而辉光放电、火花放电、电弧放电均指击穿后的放电现象,且随条件不同,这些放电现象可相互转换。,常见放电形式辉光放电电晕放电刷状放电火花放电电弧放电,10,2 气体中带电质点的产生和消失,11,2.1 气体中带电质点的产生2.2 气体中带电质点的消失,12,2.1 气体中带电质点的产生,气体原子的激发和电离,激发电子向高一能级轨道的跃迁。电离如果气体原子从外部获得足够大的能量,使外层电子摆脱原子核的
4、束缚成为自由电子。失去电子的原子就成带正电的离子,称为正离子。此过程就称为电离。分级电离:先经过激发再产生电离的过程。电离能产生电离需要的能量。,13,2.1 气体中带电质点的产生,气体原子的激发和电离,14,2.1 气体中带电质点的产生,电子要脱离原子核的束缚成为自由电子,则必须给予其能量。能量来源的不同带电质点产生的方式就不同。因此,根据电子获得能量方式的不同,带电带电质点产生的方式可分为以下几种。,15,2.1 气体中带电质点的产生,(一)碰撞电离,电子或离子与气体分子碰撞,将电场能传递给气体分子引起电离的过程。,因素:外电场强弱;能量的积累(移动距离的大小)。,电子在场强为E的电场中移
5、过x距离时获得的动能为:,m:电子的质量V:电子运动速度E:外电场强度x:电子移动距离,带电质点产生的方式,16,2.1 气体中带电质点的产生,即使满足上述条件,不是每次碰撞都能引起电离。,Wi为气体分子的电离能,碰撞电离条件当电子从电场获得的动能大于或等于气体分子的电离能时,就可能使气体分子分裂为电子或正离子,即,17,2.1 气体中带电质点的产生,由光辐射引起气体分子电离的过程,称为光电离。光电离产生的电子称为光电子。来源:紫外线、宇宙射线、x射线等;异号带电质点复合成中性质点释放出光子;激励态分子回复到正常态释放出光子条件:,(二)光电离,h:普朗克常数;C:光速:光频率;:光波长;,或
6、,18,2.1 气体中带电质点的产生,(三)热电离气体分子高热状态引起的碰撞电离过程,称为热电离。条件:,常温下,气体分子发生热电离概率极小。气体中发生电离的分子数与总分子数的比值m称为该气体的电离度。,当T10000K时才需考虑热电离;当T20000K时,几乎全部的分子都处于热电离状态,空气电离度m和温度T的关系,19,2.1 气体中带电质点的产生,金属阴极表面发射电子的过程。形式:正离子碰撞阴极表面;光电效应;强场发射;热电子发射;,(四)表面电离,20,2.1 气体中带电质点的产生,(五)负离子的形成,附着:当电子与气体分子碰撞时,不但有可能引起碰撞电离而产生出正离子和新电子,而且也可能
7、会发生电子与中性分子相结合形成负离子的情况。,电子附着系数:电子行经单位距离时附着于中性原子的电子数目。,负离子的形成并未使气体中带电粒子的数目改变,但却能使自由电子数减少,因而对气体放电的发展起抑制作用。,21,2.1 气体中带电质点的产生2.2 气体中带电质点的消失,22,2.2 气体中带电质点的消失,(一)电场作用下气体中带电质点的定向运动,带电质点一旦产生,在外电场作用下作定向运动,形成电导电流。,(二)带电质点的扩散,带电质点从浓度较大区域转移到浓度较小区域的过程,称为带电质点的扩散。电子扩散比离子扩散高3个数量级,23,2.2 气体中带电质点的消失,正离子和负离子或电子相遇时,发生
8、电荷的传递而相互中和还原为分子的过程。复合过程要阻碍放电的发展,但在一定条件下又可因复合时的光辐射加剧放电的发展。放电过程中的复合绝大多数是正、负离子之间的复合,参加复合的电子绝大多数是先形成负离子再与正离子复合。,(三)带电质点的复合,24,小 结,气体间隙中带电质点的产生和消失是气体放电的一对基本矛盾,气体放电的发展和终止取决于这两个过程谁占主导地位。强电场下,气体中带电质点的产生形式可以分为空间电离和表面电离。它们都与外界供给的能量有关,能量的形式主要是电场能、光辐射和热能,而能量的传递靠电子、光子或气体分子的热运动,其传递的过程主要是碰撞,它是造成气体分子电离的有效过程。,25,气体放
9、电发展过程,碰撞电离,光电离,热电离,空间电离,表面电离,负离子的形成,正离子碰撞阴极光电效应强场发射热电子发射,电场作用下气体中带电质点的定向运动带电质点的扩散带电质点的复合,2.1 带电质点产生,2.2 带电质点消失,26,3 汤逊理论和流注理论,27,3.1 低气压均匀电场下的汤逊理论和巴申定律,28,低气压均匀电场下的汤逊理论,一、气体放电实验及伏安特性曲线,气体中电流和电压的关系伏安特性曲线,测定气体中电流的回路示意图,29,低气压均匀电场下的汤逊理论,在曲线OA段,I随U的提高而增大。而且电流随电压按正比增长。,气体放电伏安特性,30,低气压均匀电场下的汤逊理论,在曲线AB段,当电
10、压 UB U UA时,电流I0趋向于饱和。电流的大小仅取决于电离因素的强弱(光照射)而与所加电压无关。,气体放电伏安特性,31,低气压均匀电场下的汤逊理论,在BC段:当电压提高到U0 U UB时,电流又开始随电压的升高而增大。电流随电压的增加按指数规律增长。,气体放电伏安特性,32,低气压均匀电场下的汤逊理论,在C点以后:电压U U0时,电流急剧增加。气体间隙击穿。而且无需外电离因素(光照射)就能维持间隙的放电过程,气体放电伏安特性,33,低气压均匀电场下的汤逊理论,实验分析 当UU0OA段:电流随电压升高而升高AB段:电流仅取决于外电离因素与电压无关BC段:电压升高电流增强但仍靠外电离维持(
11、非自持放电阶段)当UU0C点后:电流急剧增加,只靠外加电压就能维持(自持放电阶段),34,低气压均匀电场下的汤逊理论,非自持放电:如果取消外电离因素,气体的放电过程就会停止,那么电流也将消失。这类依靠外电离因素和外电场因素共同作用而维持的放电。,自持放电:气隙中电离过程只靠外施电压已能维持,不再需要外电离因素。,非自持放电与自持放电的分界点,35,低气压均匀电场下的汤逊理论,二、电子崩的形成,(a)电子崩的形成(b)带电离子在电子崩中的分布,为什么?,电子数目将按2、4、82n的指数规律增长,36,低气压均匀电场下的汤逊理论,电子崩的发展过程也称为过程,-电子碰撞电离系数:一个电子在电场力作用
12、下,沿电场方向行经单位距离(1cm)平均发生碰撞电离的次数,汤逊第一电离系数。,37,低气压均匀电场下的汤逊理论,均匀电场中的电子崩计算模型,过程,d,n0,x,n,dx,N-,dn,38,低气压均匀电场下的汤逊理论,从而可得n0个电子,从阴极出发在电场的作用下,经距离d,到达阳极时由碰撞电离产生的电子数(用N表示),研究表明:对均匀电场而言,为常数,电子数N:,根据碰撞电离系数的定义:,分离变量并积分之,可得:,39,低气压均匀电场下的汤逊理论,上式等号两侧乘以电子的电荷qe,即得电流关系式:,表明:电子崩电流按指数规律随极间距离d而增大。因为一旦除去外界电离因素(令),放电就会停止。-非自
13、持放电阶段,仅有过程不能维持放电的自持。,40,低气压均匀电场下的汤逊理论,过程,过程在气体电离过程中起的作用很小。造成碰撞电离的主要因素是电子。,-正离子碰撞电离系数一个正离子沿电场方向行经单位距离(1cm)时平均发生的碰撞电离次数。汤逊第二电离系数。,41,3.1.1 低气压均匀电场下的汤逊理论,-表面电离系数 折合到每个碰撞阴极表面的正离子使阴极金属表面释放出的自由电子数。汤逊第三电离系数。,过程,空间电离,表面电离,42,低气压均匀电场下的汤逊理论,由外电离因素从阴极产生的一个电子消失在阳极前,由过程形成的正离子数。即,n0个电子消失在阳极前,由过程形成的正离子数。,43,低气压均匀电
14、场下的汤逊理论,正离子消失在阴极时,由过程(表面电离)在阴极上释放出二次电子数,即,表示由过程在阴极上重新产生一个(或更多)电子,此时不再需要外电离因素就能使电离维持发展,即转入自持放电。,如果,44,低气压均匀电场下的汤逊理论,自持放电条件(击穿条件),如自持放电条件满足时,放电过程就如下图所示,循环,45,3.1.1 低气压均匀电场下的汤逊理论,表 电极空间及气体间隙中碰撞电离发展过程,46,低气压均匀电场下的汤逊理论,电子碰撞电离是气体电离的主要原因;正离子碰撞阴极表面使阴极表面逸出电子是维持气体放电的必要条件。阴极逸出电子能否接替起始电子的作用是自持放电的判据。,汤逊理论的主要内容,4
15、7,3.1.2 低气压均匀电场下巴申定律,均匀电场中几种气体击穿电压Ub与pd的关系,巴申定律:描述了气体的击穿电压Ub与pd的关系曲线(亦即Ub与的关系曲线),(1)击穿电压不仅由间隙距离d决定,而且也是pd的函数;,()击穿电压不是pd的单调函数,而是U曲线,存在击穿电压的极小值;,(3)不同气体,其巴申曲线上的最低击穿电压不同,对应的pd值也不同;,48,式中,A、B是与气体种类有关的常数,ub为气温不变的条件下,均匀电场中气体的自持放电起始电压=气隙击穿电压。,3.1.2 低气压均匀电场下巴申定律,击穿电压,汤逊理论的自持放电条件,电子碰撞电离系数的表达式,49,3.1.2 低气压均匀
16、电场下巴申定律,巴申定律,汤逊理论,50,3.1.2 低气压均匀电场下巴申定律,巴申曲线的右半支:,巴申曲线的左半支,51,低气压均匀电场下巴申定律,由巴申曲线可知,当极间距离d不变时提高气压或降低气压到真空,都可以提高气隙的击穿电压,这一结论已被工程广泛使用高气压、高真空都可以提高击穿电压,工程上已得到广泛应用(如:压缩空气开关、真空开关等),52,汤逊理论的适用范围,汤逊理论是在均匀电场、低气压、短间隙(pd较小)条件下建立起来的。当电场均匀,但pd过大时(气压高、距离大)的放电,用汤逊理论无法解释以下现象:放电时间:很短放电外形:具有分支的细通道击穿电压:与理论计算不一致阴极材料:无关汤
17、逊理论适用于pd26.66kPa cm,53,3.2 大气压均匀电场下的流注理论,54,气体放电流注理论仍以电子的碰撞电离过程为基础,它考虑了大气压、长气隙情况下不容忽视的若干因素对气体放电的影响,主要有以下两方面:空间电荷对原有电场的影响 空间光电离的作用,3.2 大气压下均匀电场的流注理论,55,电子崩头部聚集大部分正离子和全部电子,产生了电场畸变;在电场很小的区域,电子和离子浓度最大,有利于完成复合;强烈的复合辐射出许多光子,成为引发新的空间光电离辐射源。,(一)空间电荷作用,3.2 大气压下均匀电场的流注理论,56,汤逊理论没有考虑放电本身所引发的空间光电离现象,而这一因素在大气压、长
18、气隙的击穿过程中起着重要的作用。考虑初始电子崩头部成为辐射源,会向气隙空间各处发射光子而引起光电离。,(二)空间光电离的作用,3.2 大气压下均匀电场的流注理论,57,3.2 大气压下均匀电场的流注理论,起始电子发生碰撞电离形成初始电子崩;初崩发展到阳极,正离子作为空间电荷畸变原电场,在电场削弱的区域复合增加,放射出大量光子;光电离产生光电子,在加强的局部电场(正离子与阴极间电场)作用下形成二次崩;,(三)流注的形成和发展示意图,58,3.2 大气压下均匀电场的流注理论,d)二次崩电子与正空间电荷汇合成流注通道,其端部又有二次崩留下的正电荷,加强局部电场产生新电子崩使其发展;e)流注头部前方电
19、场很强,电离迅速发展,放射出大量光子,继续引起空间光电离,于是流注前方出现新的二次崩,延长流注通道;f)流注通道贯通,气隙击穿,新电子崩不断产生的电子形成负离子与原始电子崩的正离子互相渗透,形成正负离子混合的等离子体通道-流注。,59,3.2 大气压下均匀电场的流注理论,初始电子崩(电子崩头部电子数达到一定数量)电场畸变;电子崩头部附近正负空间电荷复合;放射大量光子光辐射;光电离,释放出的电子称为光电子;崩头处光电子处在了被加强了的电场附近,会迅速产生新的碰撞电离;二次电子崩;(二次电子崩电子跑到初崩正空间电荷区域)流注。,流注发展过程,60,3.2 大气压下均匀电场的流注理论,(四)流注条件
20、形成流注的必要条件是:电子崩发展到足够的程度后,电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸变,大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场;电子崩头部附近电荷密度很大,复合频繁,释放出引发新的空间光电离的辐射源,二次电子崩主要来源于空间光电离;气隙中一旦形成流注,放电就可由空间光电离自行维持。,61,3.2 大气压下均匀电场的流注理论,流注自持放电条件:,或,标准大气条件下,初崩头部电子数要达到108时,出现流注,放电才能转为自持。,也可写为:,62,流注理论对放电现象的解释,放电时间二次崩的起始电子是光子形成的,而光子以光速传播,所以流注发展非常快。,放电外形二次崩的发展具有不同的方位,所以流注的推进不可能均
21、匀,而且具有分支。,阴极材料大气条件下的气体放电不依赖阴极表面电离,而是靠空间光电离产生电子维持,因此与阴极材料无关。,63,小 结,汤逊理论适用于 均匀电场、低气压、短间隙(pd值较小)气体的击穿;流注理论适用于 均匀电场、大气压、长空气间隙(pd值较大)气体的击穿。以pd=26.66kPacm作为分界参考;,64,小 结,(1)汤逊理论的基本观点:电子碰撞电离是气体放电时电流倍增的主要过程,而阴极表面的电子发射是维持放电的必要条件。(2)流注理论的基本观点:以汤逊理论的碰撞电离为基础,强调空间电荷对电场的畸变作用,着重于用气体空间光电离来解释气体放电通道的发展过程;放电从起始到击穿并非碰撞
22、电离连续量变的过程,当初始电子崩中离子数达108以上时,引起空间光电离质变,电子崩汇合成流注;流注一旦形成,放电转入自持。,65,小 结,引起气体放电的外部原因有两个,其一是电场作用,其二是外电离因素。把去掉外界因素作用后,放电立即停止的放电形式称为非自持放电;把由电场作用就能维持的放电称为自持放电。,汤逊理论和流注理论自持放电条件的比较(1)汤逊理论:自持放电由阴极过程来维持;流注理论:依赖于空间光电离。(2)系数的物理意义不同。,66,本 节 重 点,汤逊放电理论和流注理论的使用范围;汤逊放电描述的电子崩发展过程;电子碰撞游离系数;汤逊理论的自持放电条件及其物理解释;巴申定律及其在实际中的
23、应用;流注理论与汤逊理论在考虑放电发展因素上的不同;流注及其放电的发展过程;流注及自持放电的形成条件。,67,4 不均匀电场长空气间隙放电,68,4 不均匀电场长空气间隙的放电,电力系统中大多数的带电设备都处在长间隙不均匀电场中,如,变压器高压套管引出线对低压套管及壳;高压输电线对地;实验室的试验变压器高压端对墙等。那么,关于长间隙不均匀电场气体放电的物理过程又是如何发展的呢?均匀电场:两个电极的面积远远大于两电极间的距离,这两个电极间的电场称为均匀电场。如平板电极;不均匀电场:两电极的曲率半径小于两电极间的距离时,两电极间的电场就是不均匀电场。如棒-棒、棒-板;当棒电极的曲率半径远小于棒-板
24、电极间的距离时,其间电场就是极不均匀电场。,69,4 不均匀电场长空气间隙的放电,4.1 电场不均匀程度的划分4.2 稍不均匀电场中的击穿过程4.3 极不均匀电场中的击穿过程,70,4.1 电场不均匀程度的划分,球隙的放电特性与极间距离的关系,1-击穿电压 2-电晕起始电压 3-放电不稳定区,71,4.1 电场不均匀程度的划分,电场越不均匀,击穿电压和电晕起始电压之间的差别越大从放电观点看:电场的不均匀程度可以根据是否存在稳定的电晕放电来区分;,均匀电场是一种少有的特例,在实际电力设施中常见的却是不均匀电场。,72,4.1 电场不均匀程度的划分,为了描述各种结构的电场不均匀程度,可引入一个电场
25、不均匀系数f,表示为:Emax:最大电场强度;Eav:平均电场强度,f4属不均匀电场。,73,4.1 电场不均匀程度的划分4.2 稍不均匀电场中的击穿过程4.3 极不均匀电场中的击穿过程,74,4.2 稍不均匀电场中的击穿过程,稍不均匀电场中的放电过程与均匀电场相似,属于流注击穿,击穿条件就是自持放电条件,无电晕产生。但稍不均匀电场中场强并非处处相等,电离系数是空间坐标x的函数,因此自持放电条件为。,75,4.1 电场不均匀程度的划分4.2 稍不均匀电场中的击穿过程4.3 极不均匀电场中的击穿过程,76,4.3 极不均匀电场中的击穿过程,4.3.1 电晕放电4.3.2 极性效应4.3.3 长间



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