模拟电子技术习题与解答(赠送).ppt

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1、模拟电子技术习题课（部分）,第二章习题解答,晶体管器件,A:D导通，VAO=6VB:D截止，VAO=12VC:D1导通，D2截止，VAO=0VD:D1截止，D2导通，VAO=6V,习题,习题,解题的原则：先断开二极管，计算二极管连接点的电位高低。A:VA=1V,VB=3.5V,D 截止B:VA=1V,VB=1.5V,D 截止C:VA=1V，VB=0.5V,D 临界状态,习题,A:B:,习题,习题,习题,习题,第三章习题解答,基本放大电路,模拟电子习题3,解题要点:先确定发射结(三极管放大，则正向电压0.20.3V或0.60.7V)及集电极,就可以知道管子的材料及类型。在本题中：A：为集电极且电

2、位最低，所以管子是PNP型，B发射极，C基极，三极管是锗材料。,习题,三极管各极电流关系：IE=IC+IB所以，A为集电极，B为基极，C为发射极。管子为NPN型，,习题,IC=PCMVCE=15mA若IC=1mA，则VCE不得超过30V。,习题,不能放大，电源接反、发射结短路。能。不能，Rb接错。不能，VCC接反,习题,A位置：IB=(12-0.6)/40K=0.285mA,IC=22.8mA,VCE0V，因此管子饱和，实际IC=3mAB位置：IB=(12-0.6)/500K=0.0228mA,IC=1.824mA,VCE=4.7V，管子工作在放大区。C位置：发射结反偏，截止，IC=0。,习题

3、,(a)：放大。(b)：放大。(c)：饱和。(d)：截止。(e)：饱和。,习题,VCC=6V,IBQ=20A,ICQ=1mA,VCE=3V;Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(300K)，RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;Vom=1.5V,ibMAX=20A,习题,IBQ=0.04mA,ICQ=2mA,VCEQ=4VH参数等效电路,3.rbe=300+26/ICQ=9504.AV=-50RL/rbe=-1055.AVS=-AVRi/(Ri+RS)=-68.8,习题,IB=IC/1mA/20=0.05mA，Rb=12V/0.05mA=240K，rbe=300+26/ICQ=820，

4、|AV|=RC/rbe=100，得RC=4.1K。VCE=12V-1mA4.1K7.9V,习题,1.计算Q点：IBQ=-(12V-0.7)/0.3M=0.038mAICQ=-0.038-3.8mA，VCEQ=-4.4V2.H参数等效电路，图中rbe=984,AV=-100RL/rbe，Ri=Rb/rberbe，Ro=2K截止失真，减小RB,习题,IBQ=(VCC-VBE)/R1,ICQ=IBQ，VCEQ=VCCICQ(R2+R3)AV=-RL/rbe，式中RL=R2/RL Ri=R1/rbe Ro=R23.C3开路，AV,Ro都增大,习题,IBQ=(12-0.7)/750K=15A,ICQ=0

5、.01560=0.9mA,VCEQ=12-0.96.8=5.88V;75度时，75,VBE=0.6V，IBQ=(12-0.6)/750K=15.2A,ICQ=0.015275=1.14mA,VCEQ=12-1.146.8=4.25V;=115,IBQ=15,ICQ=1.725mA,VCEQ=0.27V,饱和,习题,VBE=10Rb2/(Rb1+Rb2)=4.28V,IEQICQ=(4.28-0.7)/2K=1.79mA,VCEQ=10-1.79(2K+2K)=2.84V,rbe=1.75K,AV1=-ri/(ri+RS)RL/rbe+(1+)Re=-0.98 ri/(ri+RS),AV2ri/

6、(ri+RS)3.ri=Rb1/Rb2/(rbe+1012K)8.5K,4.Ro1=2K,Ro2=(RS/Rb1/Rb2+rbe)/(1+)/Re,习题,IBQ=(12-0.7)/(Rb+51Re)=21.7A,ICQ=IBQ=1.086mA，VCEQ=-6.5V,rbe=1.5KAV1,Ri=Rb/(rbe+51Re/RL)90K,Ro=Re/(RS/Rb+rbe)/(1+)=39Vo=Ri/(Ri+Ro)Av Vs200mV,习题,|AVM|=60db=1000(倍),fL=100Hz,fH=100MHzf=fH=fL时，|AVM|=57db,第五章习题解答,功率放大器,P220 习题,(

7、1)：POM=VCC2/2RL=4.5W(2)：PCM0.2POM=O.9W(3)：每个管子的耐压:V(BR)ceo24V,习题,(1)：POM=VCC2/2RL9W VCC 12V(2)：ICM 1.5A,|V(RB)CEO|24V(3):PV=2VCC2/（RL）=11.5W(4):PCM 1.8W(5):Ui=8.5V,习题,(1)(2),习题,单电源功放的功率计算：POM=9W,则VCC24V,习题,习题,静态时C2的电压6V，调R1增大R2损坏T1,T2,习题,此电路属于OCL 功放POM=152(28)=14W78.5%,第六章习题解答,差动放大器与集成运放,第六章习题,P270

8、习题解:（1）,(2),习题,Io=2mA,Ic1=Ic2=1mA,IB1=Ic1/=10A,Vce=5VVo=AVD（vi1-vi2)=860mV，式中：RL=5.6K:,4.Rid=2rbe+(1+)Re1=26K,Ric=rbe+(1+)Re/2+(1+)ro=10MRo=11.2K,习题,RL=,vo2=0.02AVD/2=430mV RL=5.6K,Vo2215mVAVD2=21.5,3.Rid=26K,Ric10M,Ro2=5.6K,习题,求Q点 VR2=9V3K/(3K+5.6K)=3.14V,Ic3=2mA,Ic2=Ic1=1mA,VceQ=5V,rbe1=rbe2=1.6K,

9、RAB=3118K2.,习题,求Q：IC3=1mA,VB3=9V,VC2=8.3V,IE=2IC2=0.74mA,IC2=0.37mA,VCEQ3=9V,VCEQ2=9V,Re2=5.27K,rbe1=rbe2=300+26(1+)/2=3.9K,rbe3=2.4K,ri3=rbe3+(1+)Re3=245K,2.AV,Vi=5mV,Vo=955mV AV=95.5,第七章习题解答,反馈放大器,(a):电压并联交直流负反馈，反馈元件R2,习题7.1.1,7.1.2(P314）,(b)：Rf1,Rf2,C 电压并联直流负反馈 Re1 电流串联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314）,

10、(c):Rf,Re2电流并联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314）,(d):R1,R2 电压串联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314）,(e):A2,R3电压并联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314）,习题7.1.1,7.1.2(P314）,(f):R6 电流串联交直流负反馈,习题,对于并联负反馈，Rs要求越大越好；对于串联负反馈 Rs 要越小越好；因此，(a):Rs 要小，(b):Rs 要大,(a)(b),习题,Rf1引入电流串联负反馈，使rif提高，Rf2引入电压并联负反馈，使rif降低。,2.拆去Rf2虽然可提高输入电阻，但整体性能下降，解决的办

11、法是将Rf2的左端改接到T2集电极。,习题,(a):不可能，因为是正反馈，应交 换运放正负极。(b)：不能，应交换R 和RL,(a)(b),习题,(1)：反馈类型：电流并联负反馈。,(2):输出电流的计算,(3)：该电路为压控电流源,习题,习题,(1):电压串联负反馈:i-h,j-f,d-GND,a-c,习题,电路看成电压串联负反馈,若Vo=2V,则Vi=100mV,Vf=99mV,Vid=1mV,习题,电路为电压串联负反馈，ri很高，ro很低,第八章习题解答,运放的应用,习题8.1.1 P375,习题,习题,A1、A2为电压跟随器,习题,A1、A2、A3、A4均为电压跟随器,习题,习题,Vs

12、=I1R1,I1=I2Vm=I2R2=I1R2=VSR2R1 I4=VM R4=R2VS(R1 R4)=I1R2R4VO=I3R3+VM=(I1+I4)R3+VM=I1(1+R2/R4)R3I1R2=(R2+R3+R2R3/R4)VS/R1VOVS=(R2+R3+R2R3/R4)R1,习题,(1):(2):,习题,（3）：功能：,（2）：波形图,（1）:输入输出特性,取绝对值运算、小信号整流。,第九章习题解答,波形发生器,习题9.2.1 p429,(a):不能，因为是反相放大器(b):能,习题,(1)：能。(2)：Rf2Re1,f=1/2RC=58.5Hz(3):Re1 正温度系数，Rf 负温

13、度系数,习题,(a)：能(b)：不能,习题,R2断开，则输出变成方波，输出电压10V，峰峰值20V,习题,R1=2K,Rf=2R1=RP+rd/4.5K RP=4K0.5K/4.5K=3.55K,习题,(a)：不能，负反馈(b)：能，正反馈，共基极(c)：不能，负反馈，共基极(d)：能，正反馈。,习题,(a)：不能(b)：能，电容三点式(c)：不能,习题,(1)：(2)：,(3)：这种电路的主要作用是减小三极管结电容对频率的影响,习题,(a)：电感三点式(b)：电容三点式 只有在石英晶体的串联谐振频 fs 率才能满足振荡条件。,习题,在串联谐振频率下振荡，因为只有在此频率晶体才能等效于电阻。采

14、用结型场效应管的可控电阻Rds实现稳幅,习题,反馈线路中应串入一个电容,习题,习题,习题,第十章习题,直流稳压电源,习题10.1.1 P471,(1)：波形,（2）：VL=0.9V2,IL=VL/RL,（3）：ID=0.5IL,VRM=2 V2,（4）：V2A=V2B=VL/0.9=33V,ID=IL/240mA 可选100V、100mA以上的二极管,习题,：:,习题,(1)：可选择50V、0.5A的二极管（2）:可选35V50V、1000F电容,(3):V2=20V,I2=0.481.5=0.72A,习题,（1）：如果DZ接反，Vo=0.7V;如果R短路，会烧坏DZ等元件.（2）：V2=VI

15、/1.2=15V,Vo=6V(3):Ro=20/1K20,Vo/Vi=0.02(4):,习题,（1）：错误：D1、D4、DZ1、DZ2接反；运放输入端交换，漏接电源。（2）：VI=1.2V2=24V T1、R1、DZ2为电流源。（3）：VA=24V,VB=12V,VC=VD=6V,VE=13.4V,VCE3=12V（4）：电压调节范围：9V18V。,习题,Io=24V/R1，Vo=Io(R1+R2)如果R1固定，电路可起稳流作用。但此电路的稳流效果并不理想。（见题10.2.7),习题,习题,当R从0.8到120，则Io的 变化范围：1.5A 10mA。2.R=1.2V/50mA=24(原题有误）,