模拟与数字电子技术基础习题.ppt
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1、主编 李中发制作 李中发2005年1月,电子技术,第1章 半导体器件,学习要点,了解半导体的特性和导电方式,理解PN结的单向导电特性了解半导体二极管、三极管的结构理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性曲线及主要参数了解MOS场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能比较,半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。,本征半导体、杂质半导体。,N型半导体的多数载流子、少数载流子;P型半导体的多数载流子、少数载流子。,无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的,对外不显电
2、性。掺入的杂质元素的浓度越高,多数载流子的数量越多。少数载流子是热激发而产生的,其数量的多少决定于温度。,理想二极管:正向电阻为零,正向导通时为短路特性,正向压降忽略不计;反向电阻为无穷大,反向截止时为开路特性,反向漏电流忽略不计。,第1章 小 结,本章在介绍半导体基本知识的基础上,重点阐述了半导体二极管、双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)的结构、工作原理、主要特性曲线和参数等。绝对零度时,本征半导体中没有载流子。温度高于绝对零度时,将发生本征激发,产生两种载流子,即自由电子和空穴,它们总是成对出现,称为电子空穴对。电子空穴对的浓度随温度的升高而增加,在固定温度下不变。2.杂质半导
3、体有N型和P型两种,N型半导体中的多子为自由电子,P型半导体中的多子为空穴。多子由掺杂产生,其浓度由掺杂浓度决定;少数载流子由本征激发产生,其浓度与温度有关,这一点导致晶体管的很多参数与温度有关,产生热不稳定性。,将P型和N型半导体紧密结合在一起,在它们的交界面处,发生两种形式载流子的运动,即多子的扩散运动和少子的漂移运动,它们达到动态平衡时,形成稳定的空间电荷区,即PN结。PN结的最主要特性就是单向导电性。4.二极管的伏安特性曲线分为正向和反向两个区域,当正向电压小于开启电压时,流过二极管的电流近似为0;随着,UD稍有增加,电流ID迅速增加。在特性的反向区,反向电流等于反向饱和电流,但当反向
4、电压达到击穿电压值时,二极管发生反向击穿。击穿后,电流在很大范围内变化时,反向击穿电压几乎不变,利用这一特性可以制成硅稳压管。,二极管是非线性元件,在分析含二极管的电路时,常用某种模型代替二极管,主要有开关模型、固定正向电压降模型、折线化模型和低频小信号模型。不同的应用场合应使用不同的模型。二极管的主要参数有最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM、反向电流IR 和正向压降UF 等。7.双极型半导体晶体管(BJT)有两种载流子参与导电,属电流控制电流源器件(CCCS),BJT有NPN和PNP两种结构类型。其工艺特点为:基区极薄且掺杂浓度低,发射区掺杂浓度高,集电区掺杂浓度低
5、。晶体管的输出特性曲线可以分为饱和、截止、放大三个区域。,双极型晶体管在放大、饱和截止区,有不同的发射结和集电极偏置,为保证晶体管工作在放大状态,应使其发射结正偏,集电结反偏。晶体管的参数主要分为直流参数、交流参数和极限参数三类。9.场效应管为电压控制电流源器件(VCCS)。即用栅源电压 来控制沟道宽度,改变漏极电流。场效应管为单极型器 件,仅一种载流子(多子)导电,热稳定性优于BJT。场效 应管有结型和绝缘栅型两种结构,每种又分为N沟道和P 沟道两种。绝缘栅型场效应管(MOSFET)又分为增强 型和耗尽型两种类型。,10.场效应管的漏极特性曲线可分为可变电阻区、截止区和恒流区,在放大电路中,
6、应使其工作在恒流区。场效应管的参数也分为直流参数(UGS(th)或 UGS(off)、IDSS)交流参数(gm)和极限参数(IDM、PDM)三类。跨导gm反映了场效应管的电压控制作用,第2章 单级交流放大电路,理解共发射极单管放大电路的基本结构和工作原理掌握放大电路静态工作点的估算和微变等效电路的分析方法了解放大电路输入电阻和输出电阻的概念理解射极输出器的电路结构、性能特点及应用了解场效应管共源极放大电路的结构和性能特点,学习要点,放大电路的结构示意框图见下图。,放大电路概念示意图,例1:测量三极管三个电极对地电位如图所示,试判断三极管的工作状态。,三极管工作状态判断,例2:用数字电压表测得V
7、B=4.5 V、VE=3.8 V、VC=8 V,试判断三极管的工作状态。,例2电路图,放大,(3)放大电路微变等效电路,电压放大倍数,式中RL=RC/RL。当RL=(开路)时,输入电阻,Ri,输入电阻Ri的大小决定了放大电路从信号源吸取电流(输入电流)的大小。为了减轻信号源的负担,总希望Ri越大越好。另外,较大的输入电阻Ri,也可以降低信号源内阻Rs的影响,使放大电路获得较高的输入电压。在上式中由于RB比rbe大得多,Ri近似等于rbe,在几百欧到几千欧,一般认为是较低的,并不理想。,输出电阻,对负载而言,放大器的输出电阻Ro越小,负载电阻RL的变化对输出电压的影响就越小,表明放大器带负载能力
8、越强,因此总希望Ro越小越好。上式中Ro在几千欧到几十千欧,一般认为是较大的,也不理想。,例:图示电路(接CE),已知UCC=12V,RB1=20k,RB2=10k,RC=3k,RE=2k,RL=3k,=50。试估算静态工作点,并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。,解:(1)用估算法计算静态工作点,(2)求电压放大倍数,(3)求输入电阻和输出电阻,例题:在图示放大电路中,已知UCC=12V,RC=2k,RE1=200,RE2=1.8K,RB1=20k,RB2=10k,RL=3k,晶体管=50,UBE=0.6V,试求:(1)静态工作点IB、IC及UCE;(2)画出微变等效电路;(3)输入电阻r
9、i,r0及,(2)微变等效电路如图,(3)交流参数,例:图示电路,已知UCC=12V,RB=200k,RE=2k,RL=3k,RS=100,=50。试估算静态工作点,并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。,解:(1)用估算法计算静态工作点,动态分析的基本步骤:,放大电路中频微变等效电路是在晶体管低频小信号模型的基础上,增加放大电路交流通路的相关元件而构成的。具体画法如下:,(1)先将晶体管的低频小信号模型画出;,(2)再将放大电路晶体管以外的交流通路的元件画出;,(3)在中频段,画的过程中将大容量的耦合电容、旁路电容器短路,将直流电源交流短路;,现以能够稳定工作点的分压偏置共射放大电路为例进行
10、讨论,电路见图。,共射组态基本放大电路的动态分析,1.先进行静态分析,保证晶体管处于放大区;,一、静态分析,共射组态交流基本放大电路,进行直流计算的目的是检验放大电路是否是处于放大状态,如果放大状态不正确,进行交流计算就没有意义。其次,在微变等效电路中有rbe,要计算rbe就必须知道IEQ(ICQ),这也需要通过直流计算来获得。,ICQ=IBQ,UCEQ=VCC ICQRcIEQRe VCCICQ(Rc+Re),分压偏置共射放大电路,共射放大电路交流微变等效电路,因放大电路的输入信号处于中频段,所以可以将大容量的耦合电容和旁路电容器短路;将直流电源交流短路。,将晶体管的低频模型画出。,再将共射
11、放大电路交流通路的其他元件一一画出。,二、动态分析,1.求放大电路中频电压放大倍数,在画出了放大电路的微变等效电路后,求解电压放大倍数就是一个解电路的问题。,输出电压为,输入电压为,电压放大倍数为,共射放大电路求电压放大倍数,2.求放大电路的输入电阻,根据输入电阻的定义和微变等效电路有,若满足Rb1 Rb2 rbe,则Ri rbe。,共射放大电路求输入电阻,根据输出电阻的定义,需要将信号源进行置零处理,也就是,将 短路,但保留内阻;将负载电阻 开路,同时在输出端加一个测试用信号源。,3.求放大电路的输出电阻,共射放大电路求输出电阻,例2.5:有一基本放大电路如图所示,已知VCC=15V、Rc=
12、3k、Rb1=390k、Re1=100、Re2=1 k、RL=10k,UBE=0.7V,=99,耦合电容的容量足够大。试计算电路的中频电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。,解:,例2.5电路图,解:,静态计算如下,画微变等效电路,如图所示,可得电压增益,例2.5的微变等效电路,画微变等效电路,如图所示,可得电压增益,旁路电容的断开,使电压放大倍数下降,其物理意义将在后面解释。,电压放大倍数可近似等于是两电阻之比,因而电压放大倍数的稳定性提高。,输出电阻,输入电阻,=1.2+10/390=10.89k,共集组态放大电路如图所示。它的集电极负载电阻等于0,相当集电极交流接地,输入信号接基极,输出信号
13、从发射极引出,所以,共集组态放大电路也称为射极输出器。,共集组态放大电路,共集组态放大电路的偏置电阻往往只采用一个上偏置电阻,其原因是增大输入电阻。,共集组态基本放大电路的动态分析,一、静态分析,静态工作点的计算原则与共射组态放大电路一样,先画出直流通路。,基极电流:,集电极极电流:,管压降:,共集组态放大电路的直流通路,下左图所示的共集组态放大电路的微变等效电路如下右图所示。,1.中频电压放大倍数的求解,微变等效电路,二、动态分析,共集组态放大电路,式中RL=Re/RL,式中,由于 rbe,所以,电压增益近似等于1。,由此可解出电压放大倍数表达式,根据微变等效电路可列如下方程,2.输入电阻,
14、基极电流:,输入电阻:,根据电阻归算的原理,Ri是从放大电路输入端看进去的输入电阻,是从基极看进去的输入电阻,所以,所以,输入电阻,共集组态放大电路的输入电阻比共射组态基本放大电路要大,为了减少偏置电阻并联对总输入电阻下降的影响,所以共集组态放大电路经常只使用一个上偏置电阻,这个上偏置电阻一般可以用到几百千欧以上。,3.输出电阻,求,求,基极电流:,求输出电阻,根据输出电阻的定义,需要将信号源进行置零处理,也就是,将 短路,但保留内阻;将负载电阻 开路,同时在输出端加一个测试用信号源。,于是,所以,输出电阻相当两个电阻的并联,一个是Re,另一个是基极回路的等效电阻归算到发射极回路的电阻,求输出
15、电阻,4.共集组态放大电路的特点,由以上分析可知,共集组态放大电路的基本特点:,.共集放大电路只能放大电流,电压放大倍数小于且接近等于1。,.输出电压的相位与输入电压的相位相同,输出电压的波形和输入电压的波形一样,故又名射极跟随器。,3.共集电极基本放大电路的输入电阻高,输出电阻低,具有阻抗变换的特点,有较强的带负载能力,常用于多级放大电路的输入级和输出极,以及功率放大电路。,第3章 集成运算放大器和 模拟乘法器单元电路,内容提要:本章的重点是分析组成运算放大器和模拟乘法器的基本单元电路,包括差分放大电路和互补功率输出电路。对多级放大电路的有关问题以及运算放大器的参数等内容也做了介绍。,3.1
16、 集成运算放大器的基本结构,1.什么是集成电路,利用集成电路的制造工艺,将电子元器件(场效应管、双极型晶体管、二极管、电阻和小容量电容等)和连线制作在同一片半导体芯片上,构成具有特定功能的电路,称为集成电路。,2.集成电路的分类,模拟集成电路运算放大器、功率放大器、模拟乘法器、模拟锁相环、模拟稳压电源等。数字集成电路 模拟数字混合集成电路,3.模拟集成电路的特点,(1)集成电路体积小,功耗小;(2)易于制造相对精度高的器件,容易保证电路中元件 的对称性;,(5)在一些场合用有源器件代替无源器件;(6)级间采用直接耦合方式;(7)集成电路的可靠性高于分立元件构成的电子电路。,(3)电路中的电阻元
17、件由半导体的体电阻构成;(4)可以利用PN结的电容效应制造小容量的电容元件;,集成运算放大器是一个高增益直接耦合放大电路,方框图如图所示。,运算放大器方框图,集成运算放大器一般由三级组成。输入级是差分放大电路,中间级是高增益放大电路,输出级是互补推挽电路。除此以外还有一些辅助环节,例如偏置电流源、电位偏移电路等。,4.集成运算放大器的基本结构,多级放大电路的耦合方式,多级放大电路的级与级之间、信号源与放大电路之间、放大电路与负载之间的连接均称为耦合。常见的耦合方式可以分为直接耦合、电抗性元件耦合和光电耦合。,对耦合电路有两点要求,一是要保证放大电路对通频带内信号的有效传输;二是要保证各放大级的
18、正常工作,不能破坏各放大级的工作点。,耦合方式:,直接耦合,电抗性元件耦合电容耦合,电抗性元件耦合变压器耦合,光电耦合,将前一级的输出端直接接到后一级的输入端,或者级间通过电阻连接的耦合方式,称为直接耦合方式。直接耦合放大电路各级的静态工作点互相影响。,将基本放大电路去掉耦合电容,前后级直接连接。,直接耦合放大电路,集电极电位随着放大级数的增加而逐级提高。,1.直接耦合,两级阻容耦合放大电路,将放大器前级的输出端通过电容接到后级的输入端,称为阻容耦合。图为两级阻容耦合放大电路。第一级为共射放大电路,第二级为共集放大电路。,2.阻容耦合,变压器耦合的共射放大电路,将放大电路前级的输出端经变压器接
19、到后级的输入端或负载上,称为变压器耦合。,变压器耦合可以实现阻抗变换,达到阻抗匹配,使负载上获得足够大的功率输出。,3.变压器耦合,变压器耦合,级与级之间的工作点互相独立,可以通过变压器传输交流信号。,光电耦合放大电路,光电耦合是以光为媒介来实现电信号的传输,因其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。,图为光电耦合电路,将发光元件(发光二极管)与光敏元件(光电三极管)相互绝缘地组合在一起。发光元件为输入回路,将电能转换为光能;光敏元件为输出回路,将光能再转换为电能。,4.光电耦合,5.耦合方式的比较,零点漂移,输入电压为零,而直接耦合放大电路静态工作点的输出电压随时间缓慢变化的现象,称为零点漂移
20、。下左图为零点漂移的测试电路,下右图为零点漂移的时间曲线。零点漂移的特点是缓慢变化,无规则,且趋向一个方向变化。,零点漂移的测试电路,输出电压的漂移,一、零点漂移现象,温度变化、电源电压波动、元器件老化都将引起零点漂移。其中由温度变化所引起的晶体管特性参数的变化是产生零点漂移的主要原因,如反向饱和电流 ICBO 和电流放大系数 等。因而也称零点漂移为温度漂移,简称温漂。直接耦合放大电路静态工作点的电压随时间缓慢变化的现象,也称为时漂。,二、零点漂移现象产生的原因,温度漂移(V/C)是在输入端短路时,把输出端的温漂电压折合到输入端,得到等效输入漂移电压与温度变化量之比来表示,即,因晶体管存在死区
21、,若输入信号小于开启电压,则晶体管不导通。所以乙类互补输出电路在输入信号正、负半周交替过零处,因晶体管存在死区,导致集电极电流为0,从而形成的非线性失真,称为交越失真,见图。,uo,交越失真,死区,交越失真及其消除,交越失真示波器波形图,为消除交越失真,可给晶体管稍稍加一点偏置,使之处于微导通状态,消除死区,即工作在甲乙类工作状态。只要一加入信号,晶体管立刻导通。,输入信号,输出信号,为消除交越失真,使晶体管处于微导通状态,消除死区,即工作在甲乙类。只要一加入信号,晶体管立刻导通。,甲乙类互补输出极放大电路,因为二极管的正向压降与发射结的死区电压差不多,用二极管提供偏置可消除交越失真。晶体管的
22、导通角稍大于,这种甲乙类互补功率放大电路,见图。,小 结,本章重点讨论构成集成运算放大器和模拟乘法器的单元电路差分放大电路和互补输出级的工作原理及分析方法,以及构成多级放大电路的耦合方式。并介绍了集成运放和模拟乘法器的参数、类型及其选用原则。1多级放大电路有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合和光电耦合四种耦合方式,耦合电路必须保证信号的传输和放大级的正常工作。由于制造上的原因,在集成运算放大器和模拟乘法器中采用的是直接耦合方式。直接耦合多级放大电路存在零点漂移现象,其成因主要是半导体器件的参数随温度的变化而变化。抑制零点漂移的有效措施是采用差分放大电路作为多级放大电路的输入级。,2.差分放大电路利
23、用晶体管和电路参数的对称性和发射极电 阻来抑制温度漂移。分析时将输入信号等效为差模信号和 共模信号的叠加,分别计算其差模放大倍数和共模放大倍 数,二者之比为共模抑制比(KCMR)。KCMR越高,抑制零漂和温漂的能力越强。3.差分放大电路的分析分静态、差模动态和共模动态三种 情况进行。静态计算的原则同基本放大电路。差模动态根 据电路的输入、输出方式不同而有所差别。因为单端输入 可以等效成双端输入,所以双入双出与单入双出的电压增 益表达式相同;而双入单出与单入单出的电压增益的表达 式相同。共模动态分析主要解决共模抑制比的计算,双端 输出共模输出电压按0计算;单端输出则需要根据共模等 效电路计算。差
24、模动态和共模动态的计算依据是微变等效 电路。,4为使集成运算放大器有较大的动态输出范围和较强的带负载能力,其输出级通常采用互补输出电路,其实质为两个射级跟随器的组合。5.晶体管工作在乙类状态可提高效率,而为减小交越失真,常为其提供很小的静态电流,构成甲乙类功放。因为功放电路的输出信号较大,分析时一般采用图解法,理想情况下,OCL功放的最高效率为78.5%。,第4章 负反馈放大电路,内容提要:本章介绍反馈的概念,反馈放大电路中信号的传输,反馈的基本方程式。反馈的各种组态,不同组态的反馈对放大电路性能的影响,深度负反馈条件下的增益计算以及负反馈放大电路的自激等问题。,在放大电路中信号的传输是从输入
25、端到输出端,这个方向称为正向传输。反馈就是将输出信号取出一部分或全部,通过反馈网络的反向传输,再送回到放大电路的输入回路,与原输入信号相加或相减后再作用到放大电路的输入端。反馈的示意图见图。,反馈概念方框图,反向传输,反馈的概念,图中 是输入信号,是反馈信号,是净输入信号,是输出信号。无反馈时输入信号 直接加到放大电路的输入端,加入反馈以后,输入信号与反馈信号相加或相减以后,得到净输入信号,再加到放大电路的输入端,反向传输,上式取加号是正反馈,取负号是负反馈。,反馈概念方框图,为了简化分析,工程上往往仅考虑放大电路的正向传输信号,忽略放大电路内部的反向传输,放大电路的反向传输信号很小,一般在1
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