5.2晶体管的高频等效电路.ppt

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5.2 晶体管的高频等效电路,结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。,rbb：基区体电阻rbe：发射结电阻C：发射结电容re：发射区体电阻rbc：集电结电阻C：集电结电容rc：集电区体电阻,因多子浓度高而阻值小,因面积大而阻值小,1.混合模型：形状像，参数量纲各不相同,混合模型：忽略小电阻，考虑集电极电流的受控关系,gm为跨导，它不随信号频率的变化而变。,因在放大区iC几乎仅决定于iB而阻值大,因在放大区承受反向电压而阻值大,混合模型：忽略大电阻的分流,混合模型的单向化（即使信号单向传递）,等效变换后电流不变,晶体管简化的高频等效电路,如何得到模型中的参数？,2.电流放大倍数的频率响应,为什么短路？,电流放大倍数的频率特性曲线,电流放大倍数的波特图:采用对数坐标系,注意折线化曲线的误差,20dB/十倍频,折线化近似画法,3.晶体管的频率参数,共射截止频率,共基截止频率,特征频率,集电结电容,课后练习：电路如图。已知各电阻阻值；静态工作点合适，集电极电流ICQ2mA；晶体管的rbb=200，Cob=5pF，f=1MHz。试求解该电路中晶体管高频等效模型中的各个参数。,