微机原理存储器.ppt
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1、第五章 半导体存储器,5-1 概述,一、存储器的分类,存储器可以按不同的方法进行分类1、按用途分内、外、Cache,2、按物理介质分半导体、磁表面存储器,3、半导体存储器分类RAM、ROM,二、存储器的主要性能指标,1、存储容量 存储容量字数字长,2、存取速度,存取速度,存取时间(TA)存取周期(TM),3、可靠性指对电磁场及温度变化的抗干扰能力,5、性能价格比,三、存储系统的层次结构,1、Cache主存层次 由硬件电路控制,2、主存辅存层次 由辅助软、硬件电路控制,功能:Cache的速度、主存的容量,功能:辅存的容量、辅存的价格,4、集成度指一块芯片内集成多少个基本存储电路,3、存储器系统层
2、次结构的组成原则,从以上的层次结构中可见:每位价格从上往下依次减小;,存储容量从上往下依次增加;,存取速度从上往下依次减慢;,CPU访问频率从上往下依次减少;,四、存储器的基本结构,计算机系统中主存的基本结构如下所示:,其中:存储矩阵存储二进制信息的基本存储电路的集合体,地址译码器接收CPU的地址信号进行译码,以便 选中某一单元,时序与控制电路指片选、读/写控制电路,1、随机存取存储器,典型的静态RAM的基本结构如下所示:,(1)静态基本存储电路六管静态存储电路,(2)静态RAM芯片,6264(8K8),引脚功能:,A12A0:13根地址总线,用于选 择片内213个存储单元的任意一个;,I/O
3、7I/O0:8根双向数据线,并 行传送8位读/写数据,:写入允许信号,低电平有效,:读出允许信号,低电平有效,:片选信号,为低才能对芯片进行读/写操作。,其余还有6116(2K8)、62128(16K8)62256(32K8),(3)动态RAM电路,2、只读存储器ROM,(1)EPROM的基本存储电路和工作原理,出厂时,每个单元的浮动栅极上都没电荷,管内没有导电沟道源漏极之间不导电存储“1”;在漏源极之间加25V电压,同时加50ms编程脉冲,所选单元在此电压作用下,漏极与源极之间被瞬时击穿,电子通过Sio2绝缘层注入到浮动栅。在高电压去除后,因浮动栅被Sio2绝缘层包围,注入的电子无泄漏通道,
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