最新TFT液晶的制造技术不断革新.docx
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1、TFT液晶面板前段工艺新技术摘要:自2003年液晶显示器市场进入中国市场后,液晶显示器逐步代替了当时的CRT显示 器,于此同时我国也在全力发展液晶面板制造行业,逐渐兴起的上广电、京东方、龙腾光电 等公司都引进的世代较高的生产线。液晶显示面板制造行业进入鼎盛时期,这样对液晶面板 的新工艺以及新材料有了更多更高的要求,本文主要介绍一些液晶生产前段工艺的新技术、 新材料等。关键词:TFT液晶面板、Array、Cell、新工艺引言TFT液晶的制造技术不断革新液晶显示器结合了长久以来的设计技术、流程 技术和生产技术的经验。同时,TFT液晶面板的制造工程又一直在进行著生产性 提高、成本降低和面板性能提高的
2、技术革新。基板尺寸的大型化就是提高生产性 的一个典型的例子,此外还有各方面的提高生产性能,及提高面板性能的革新技 术被不断引进。TFT液晶面板的制造工程一般被分为4个部分(如图1)。最初的工程被称 为TFT Array制程,在玻璃基板上置入薄膜晶体管和驱动所需的电路。这个工程 需要重复上光阻、微影、蚀刻,才能在玻璃基本上形成Array电路。这种微影、 蚀刻重复的次数一般被称为“光罩数”。第二个工程被称为液晶Cell制程。它 是将彩色滤光片和完成Array制程的基板,贴合并且注入液晶的工程叫做Cell 制程。在这个制程中要进行让液晶配向的配向膜涂布,和配向处理。Cell制程 是会影响到液晶面板显
3、示质量的重要制程。第4阶段的制程被称为模块工程即为 模组制程,在已经完成的Cell基板上组装驱动IC或背光光源模块等,让液面面 板“发光”的相关零组件。一、Array制程的技术革新方法(1)降低光罩数Array制程是在像素玻璃基板上反复经过数次成膜、曝光、刻蚀形成tft像 素电极的过程(如图2)。条液晶面板生产线的时候,大多是利用以下的公式来做初步投资金额与方向的判 定,来控制设备的投资额、减少折旧费,以及提高制造设备的生产效能。TFTArray制程中,减少上光阻、微影、蚀刻重复的次数,也就越少光罩数, 相对的整体的制程程数也会减少,能够缩短投资效率及总工程时间。几年前,制 程光罩数还是68层
4、,但是最近大多数面板生产商都开始采用了“5层光罩”的 制造流程。甚至有一部分业者(如三星)已经引进了 4层光罩的制程。减少光罩 数的背后原因是出于降低成本的市场压力,期望以减少制程的繁琐性来减少生产 线投资额。但是,如果只是单纯的减少光罩的情况下,将会出现良率降低的反效 果。因为要减少光罩制程的数量,在制程设计上就必须有一定的方式,不会因为 容易受到制程变动、Particle或缺陷等的影响。所以,为了显现出减少光罩制 程数的效果,生产设备就必须具备在大面积玻璃基板中,依然能保证生产质量的 均一性,和制程变动较少、较稳定的设备,及追求Particle管理简易性的设备。 另外,伴随画面的大型化和精
5、细化,画素数及配线长度在不断增加,所以如何减 少Particle更是一项课题。(2) 新电极材料的引进ZnO: Al膜作为ITO代替材料ITO的原料In是稀有金属,资源方面有问题。随著近年需求量的急速增大, 人们常谈及对其能否稳定供应的不安。20022003年间,In金属的市价约在100 美元/kg左右,随著矿山接连封闭,及需求量的激增,至2005年其市价已经超 过1,000美元/kg。在这样的背景下,人们开始关心如何节省使用In或免用In材料的相关技 术。ITO薄模的制造方法分成喷热分解法、CDC (Chemical Vapor Deposition) 法等化学成膜法,和电子光束蒸著法、溅射
6、法等物理成膜法两大类。其中,溅射法是能大面积均一地成膜,且能得到高性能膜的成膜法,因此在 FPD生产线中被广泛采用。由此,在考虑节省In材料或无In时,为使现有的设 备得到有效利用,利用溅射法成膜较受欢迎。现在,ITO中被使用的最多的SnO2的量约为10wt. %。可以考虑利用增加 SnO2,藉由SnO2含量不同的薄模的抵抗率、透过率及蚀刻速度的资料,来减少 In材料使用的可能性,不过根据实验,能够节约的In2O3仅仅只有10wt. %。而 考虑到以节省In材料的优势下,将SnO2含量增至44.5wt. %时,透过率及蚀刻 速度等都会比现有的ITO明显不佳。实际上,似乎很难透过增加SnO2含量
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