缺陷对光催化材料的影响.ppt
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1、缺陷对光催化材料的影响,目录,CONTENTS,光催化材料的背景,TiO2光催化存在的不足,1,2,3,缺陷对光催化性能的影响,纳米TiO2是近年来研究较多的半导体材料之一,由于其具有优良的光电性能、化学稳定性、紫外光屏蔽性和生物无毒性等特性,在废水处理、光分解水制氢、太阳能电池、紫外线屏蔽剂等方面具有广泛应用,是最具有开发前景的氧化物半导体材料。,TiO2的光催化性能是由TiO2能带位置和被吸附物质的还原电势共同决定的,由于被吸附物质的还原电势是固定的,所以通过减小TiO2的带隙宽度来提高光催化性是人们探索的主要方向。,1,光催化材料的背景,半导体光催化剂种类:一般主要是金属氧化物和金属硫化
2、物,例如:TiO2、WO3、SnO2、ZrO2、ZnO、ZnS、CdS、SrTiO3、ZnGa2O4等等。其中,TiO2其中最具有实用意义且研究最深的只有TiO2,其廉价、易得、无毒无害、化学性质稳定。特别是其光致空穴的氧化性极高,还原电位可达+2.53V。,1,光催化材料的背景,纳米TiO2中存在的晶格缺陷会对其光催化性能产生影响。光激发产生的电子和空穴到达可以发生光催化过程的 TiO2颗粒表面之前,内部的缺陷会捕获光生电子,从而降低 TiO2的光催化效率。,TiO2带隙较宽,只能被紫外光(387 nm)激发。由于紫外光在太阳光中所占的比例小于 5%,不能充分利用太阳光中的可见光部分,从而降
3、低了对太阳光的利用率;,纳米TiO2的光催化存在的不足,2,为提高TiO2对可见光的响应性能和光生电子-空穴对的分离效率,人们将过渡金属离子掺杂、非金属掺杂、自掺杂应用于TiO2光电转换研究中。其中掺杂可有效解决TiO2带隙宽的问题。,目前的制备方法主要是将TiO2在真空或强还原性气氛下(如H2,CO等)加热、激光辐照、高能粒子轰击等。这些方法都是基于“还原法”、将TiO2颗粒表面的Ti4+还原为Ti3+,需要多反应步骤、苛刻的条件、长的反应时间和复杂的设备等。此外,“还原法”生成的Ti3+大都位于颗粒表面,很容易被氧气氧化,稳定性差。,解 决 方 法,2,在光催化材料中掺杂的种类,A,B,C
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- 缺陷 对光 催化 材料 影响
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